一种红外探测器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118136695A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410449110.X

    申请日:2024-04-15

    摘要: 本发明涉及半导体封装领域,特别是涉及一种红外探测器,包括陶瓷管壳和红外探测芯片;所述陶瓷管壳包括管壳本体,以及设置于所述管壳本体的多个导电单元,所述导电单元包括导电接触点、导电埋线及外侧电连接件;导电接触点与外侧电连接件通过导电埋线电连接;所述红外探测芯片的芯片凸点与对应的所述导电接触点固连。本发明可以充分减小红外探测器的尺寸,提升生产效率与产品良率。本发明通过导电接触点直接与红外探测芯片的芯片凸点垂直互连,代替了相关技术中水平方向上的引线键合工艺,再通过管壳本体内的导电埋线,将芯片的电信号直接传导到红外探测器外部,可以充分减小红外探测器的尺寸,同时降低生产成本,提升了生产效率与产品良率。

    红外探测器增益信号输出电路、方法、装置及红外探测器

    公开(公告)号:CN118089935A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410233674.X

    申请日:2024-03-01

    IPC分类号: G01J1/44

    摘要: 本发明公开了一种红外探测器增益信号输出电路、方法、装置及红外探测器,涉及红外探测器技术领域。各增益信号输出子电路包括至少两个增益放大器;像素阵列与信号电流输出模块连接,信号电流输出模块分别与各增益信号输出子电路内的首级增益放大器的第一输入端连接,首级增益放大器的输出端与下一级增益放大器的第一输入端连接,各增益放大器的输出端输出对应的增益模式。在至少两个增益放大器的基础上,实现同一时间点输出至少两种增益模式的增益信号,满足用户的多种增益模式下的同时显示的场景,提高应用场景的实用性和多样性,也提高用户的体验感。实现按行输出,像素阵列的一行时间同时至少两种增益模式下对应的行数据。

    一种晶圆级封装结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN117410259A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311413999.8

    申请日:2023-10-27

    IPC分类号: H01L23/488 H01L21/60

    摘要: 本申请涉及半导体领域,公开了一种晶圆级封装结构及其封装方法,包括:准备预处理窗口晶圆和预处理电路晶圆;在中间载体的原子级光滑的表面上生长金属层;金属层具有原子级光滑的表面;将生长有金属层的中间载体与第一目标晶圆进行键合;第一目标晶圆为预处理窗口晶圆或预处理电路晶圆;剥离中间载体,使金属层转移至第一目标晶圆上;将具有金属层的第一目标晶圆与第二目标晶圆进行键合,得到晶圆级封装结构;第二目标晶圆为预处理窗口晶圆或预处理电路晶圆,且与第一目标晶圆不同。通过借助表面原子级光滑的金属层键合,使得键合表面的粗糙度降低,从而提升键合质量,降低键合温度,同时减少键合表面预处理等工艺步骤,提升键合效率。

    一种红外探测器封装结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN117038743A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311051964.4

    申请日:2023-08-21

    发明人: 李同毅

    摘要: 本申请涉及半导体领域,公开了一种红外探测器封装结构及其封装方法,包括相对设置的窗口晶圆和电路晶圆;设于所述窗口晶圆与所述电路晶圆相对表面的第一种子层;设于所述电路晶圆与所述窗口晶圆相对表面的第二种子层;设于所述第一种子层与所述电路晶圆相对表面的第一墙体;设于所述第二种子层与所述窗口晶圆相对表面的第二墙体;设于所述第一墙体和所述第二墙体之间的键合体。本申请红外探测器封装结构在窗口晶圆和电路晶圆之间设置有第一墙体和第二墙体,使得窗口晶圆和电路晶圆之间的距离增大,可以增大封装结构中腔体的空间,改善芯片内部的真空度,提高芯片性能,并且,可以减小窗口晶圆上的杂质对芯片成像效果的影响,提升封装结构的良率。

    一种晶圆级封装的红外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN116443804A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310459810.2

    申请日:2023-04-21

    摘要: 本申请涉及半导体领域,公开了一种晶圆级封装的红外探测器及其制作方法,包括:传感器晶圆、窗口晶圆、吸气剂和金属激活电极,窗口晶圆具有墙体围成的凹槽,吸气剂设于墙体的端面和/或内侧面;传感器晶圆和窗口晶圆键合形成真空腔体,金属激活电极设置于真空腔体以外的区域;吸气剂与金属激活电极连接或者通过导电介质电连接。本申请中金属激活电极只对吸气剂进行加热,避免由热激活导致的MEMS结构热失效、探测器封装失效和焊料溢球等问题。吸气剂设置在窗口晶圆上墙体的端面和/或内侧面,可在不增加探测器尺寸的前提下增大吸气剂面积,从而更好地维持真空腔体内部真空度;还可使窗口晶圆出光面全部用来设置光学窗口,从而提升探测器性能。

    一种图像显示方法、装置、设备及可读存储介质

    公开(公告)号:CN115904194A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202310091907.2

    申请日:2023-02-03

    发明人: 张仲刚 刘吉刚

    摘要: 本申请公开了一种图像显示方法、装置、设备及可读存储介质,方法包括:获取目标场景的可见光图像和红外图像;将可见光图像和红外图像中的一种图像作为顶层图像,另一种图像作为底层图像,利用顶层图像覆盖底层图像,以在显示屏上显示出顶层图像;捕捉用户在显示屏上的擦除动作,根据擦除动作确定感兴趣区域;将感兴趣区域处的顶层图像隐藏,以在感兴趣区域处显示出对应的底层图像。本申请公开的技术方案,利用可见光图像和红外图像中的某一种图像显示感兴趣区域,另一种图像显示全景,达到画中画显示效果,且通过用户的擦除动作实现画中画显示,以提高图像显示的灵活性和显示效果,并使得用户在观察感兴趣区域的同时可兼顾整体画面。

    一种用于晶圆划片的芯片保护电路及其制作方法、晶圆

    公开(公告)号:CN115459233A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202211164187.X

    申请日:2022-09-23

    摘要: 本申请涉及晶圆划片领域,公开了一种用于晶圆划片的芯片保护电路及其制作方法、晶圆,包括导电保护层、第一导电连接体和静电释放体;导电保护层和第一导电连接体用于设于晶圆上芯片的电路结构的表面,静电释放体与所述电路结构处于同一水平位置;第一导电连接体用于电连接导电保护层和静电释放体,静电释放体接地。本申请芯片保护电路中导电保护层设在芯片电路结构的表面,当对晶圆进行划片时,产生的碎屑冲击到导电保护层上,不会对电路结构直接产生冲击,有效减少损伤。同时晶圆划片时芯片产生的静电荷通过导电保护层、第一导电连接体转移至静电释放体,进而转移至大地,高效消除静电荷,实现对芯片的静电保护,大大降低芯片电路失效的可能。

    探测器芯片的制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115285932A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210947364.5

    申请日:2022-08-09

    IPC分类号: B81C1/00 G01J5/20

    摘要: 本申请提供了一种探测器芯片的制备方法,通过在将窗口片与器件晶圆进行键合形成与探测器阵列中的各个探测单元对应的真空腔体后,再利用激光透过窗口片照射至真空腔体中的吸气剂上,利用激光给吸气剂提供的能量激活吸气剂,使得吸气剂可以重新具备吸气能力。在对吸气剂进行激活的过程中,由于激光仅对准吸气剂所在的区域进行照射,激光产生的能量不会对探测单元的结构造成损伤,同时也可以有效的避免激活过程中产生焊料溢球的现象,有利于提高探测器芯片的可靠性能。

    一种非制冷红外焦平面探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109824008B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201910126342.0

    申请日:2019-02-20

    IPC分类号: B81B7/00 B81C1/00 G01J5/10

    摘要: 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器,包括基底层;位于所述基底层上表面的支撑层;位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层,且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触;位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器,包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层,功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触,从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路,提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外,本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。