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公开(公告)号：CN104979171B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510259857.X
申请日：2015-05-20
IPC分类号： H01L21/266
摘要： 本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤：首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处理，可在硅片表面生长超薄氧化层，避免硅片在去胶过程中生成上述硅棱，从而避免硅剥落问题，减少表面缺陷并提高产品成品率。
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公开(公告)号：CN104900494A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510260171.2
申请日：2015-05-20
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02002 , H01L21/02 , H01L21/02052 , H01L21/02057
摘要： 本发明公开了一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法，对使用过的晶圆片的表面进行处理，使其表面呈现裸硅状态；清洗；对清洗过的轻掺杂晶圆片进行处理使其生长氧化层；进行N型或P型杂质注入；进行高温处理；进行表面处理，使其表面呈现裸硅状态；进行清洗，即得到外延膜厚监控片。本发明制备的膜厚监控片的表面掺杂浓度均匀性远远优于CZ法制作的重掺杂衬底片，增加了试炉膜厚结果的准确性，使监控结果能够真实反应机台工艺状态，最大程度降低由于监控片监控结果的不准确造成的物料损失，产能降低及产品工艺参数超标。
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公开(公告)号：CN102969703B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210428835.8
申请日：2012-10-31
摘要： 本发明公开了一种具有自我ESD保护的输入输出电路，通过添加体区控制电路、辅助保护管和辅助保护管控制电路，使得输入输出电路具有自我ESD保护功能。和其它输入输出电路相比，该电路不需要额外添加ESD保护电路，缩小了芯片面积，节省了成本。电路设计师可以根据输出管实际的尺寸对辅助保护管和辅助保护管的控制电路进行灵活取舍。该电路不受制造工艺的限制，可以广泛的应用于体硅CMOS工艺、SOI CMOS工艺中。
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公开(公告)号：CN102655149A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210150748.0
申请日：2012-05-07
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于PD SOI工艺的体栅耦合NMOS ESD保护结构，在该结构中栅极采用H型结构，在H型栅的边栅外侧和内侧进行两处体区P+注入，漏区采用N+深注入，将SOI基片上的硅膜穿通，源区采用N+浅注入，对SOI基片上的硅膜进行部分注入，以便在源区外侧进行体区P+注入并将体区接触引出，部分漏区利用SAB层对硅化物进行阻挡，形成镇流电阻。使用时，将漏区连接到PAD，H型栅的边栅外侧的体区和栅极进行连接，源区和H型栅内侧的体区连接到地。本发明通过将H型栅的边栅外侧的体区和栅极进行连接，能够充分利用漏体的寄生电容和源区下的体区寄生电阻组成耦合电路，在栅极耦合一定的电压，降低该ESD保护结构的开启电压，保证多个该结构的均匀导通，提高ESD保护能力。
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公开(公告)号：CN104979171A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510259857.X
申请日：2015-05-20
IPC分类号： H01L21/266
CPC分类号： H01L21/266
摘要： 本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤：首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处理，可在硅片表面生长超薄氧化层，避免硅片在去胶过程中生成上述硅棱，从而避免硅剥落问题，减少表面缺陷并提高产品成品率。
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公开(公告)号：CN104900493A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510259860.1
申请日：2015-05-20
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02054
摘要： 本发明公开了一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法，取若干晶圆放入超声擦片机中，利用去离子水冲洗的同时进行超声擦片；超声擦片结束后直接将晶圆从超声擦片机中取出，然后将晶圆放入纯IPA清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出置于纯EKC清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出置于纯IPA清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出置于去离子水槽中冲洗；将上述冲洗过的晶圆甩干。本发明采用晶圆生产线现有设备和现有清洗液，生产成本较低，且能够实现多片同时清洗，生产效率较高，满足大规模生产的需求。
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公开(公告)号：CN103178058B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310109113.0
申请日：2013-03-29
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，在该结构中，栅极采用条形栅结构，漏区和源区采用漏深源浅非对称结构，在漏端一侧，除了进行深N+注入外，还在漏端边侧和中间进行P+注入，以形成P+N+二极管；在源端，同样采取N+和P+间隔注入的方式，但源端的P+注入不应太宽，且应该和漏端相对应的N+的中间位置对齐。源端的N+和P+无需通过SAB层覆盖，在进行硅化物工艺时可以短接在一起以形成体接触。该结构具有可调开启电压、抗辐照能力强、导通均匀性好和消除边缘漏电等优点，可以有效地应用于输入PAD、输出PAD以及电源和地之间的ESD保护。
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公开(公告)号：CN104900494B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510260171.2
申请日：2015-05-20
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法，对使用过的晶圆片的表面进行处理，使其表面呈现裸硅状态；清洗；对清洗过的轻掺杂晶圆片进行处理使其生长氧化层；进行N型或P型杂质注入；进行高温处理；进行表面处理，使其表面呈现裸硅状态；进行清洗，即得到外延膜厚监控片。本发明制备的膜厚监控片的表面掺杂浓度均匀性远远优于CZ法制作的重掺杂衬底片，增加了试炉膜厚结果的准确性，使监控结果能够真实反应机台工艺状态，最大程度降低由于监控片监控结果的不准确造成的物料损失，产能降低及产品工艺参数超标。
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公开(公告)号：CN104900493B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510259860.1
申请日：2015-05-20
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法，取若干晶圆放入超声擦片机中，利用去离子水冲洗的同时进行超声擦片；超声擦片结束后直接将晶圆从超声擦片机中取出，然后将晶圆放入纯IPA清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出置于纯EKC清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出置于纯IPA清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出置于去离子水槽中冲洗；将上述冲洗过的晶圆甩干。本发明采用晶圆生产线现有设备和现有清洗液，生产成本较低，且能够实现多片同时清洗，生产效率较高，满足大规模生产的需求。
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公开(公告)号：CN102655149B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210150748.0
申请日：2012-05-07
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种基于PD SOI工艺的体栅耦合NMOS ESD保护结构，在该结构中栅极采用H型结构，在H型栅的边栅外侧和内侧进行两处体区P+注入，漏区采用N+深注入，将SOI基片上的硅膜穿通，源区采用N+浅注入，对SOI基片上的硅膜进行部分注入，以便在源区外侧进行体区P+注入并将体区接触引出，部分漏区利用SAB层对硅化物进行阻挡，形成镇流电阻。使用时，将漏区连接到PAD，H型栅的边栅外侧的体区和栅极进行连接，源区和H型栅内侧的体区连接到地。本发明通过将H型栅的边栅外侧的体区和栅极进行连接，能够充分利用漏体的寄生电容和源区下的体区寄生电阻组成耦合电路，在栅极耦合一定的电压，降低该ESD保护结构的开启电压，保证多个该结构的均匀导通，提高ESD保护能力。
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