利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

114 条记录 (耗时 0.017 秒)

    通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法
    1.
    发明授权
    通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法 有权

    公开(公告)号：CN104276752B

    公开(公告)日：2018-08-03

    申请号：CN201410306858.0

    申请日：2014-06-30

    申请人： 德拉克通信科技公司

    发明人： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

    IPC分类号： C03B37/01

    CPC分类号： C03B37/018 ,  C03B37/0183 ,  C03B37/01861 ,  C03B37/01869

    摘要： 本发明涉及制造前体的方法。即,涉及通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的方法,其包含以下步骤:提供具有供给侧和排出侧的中空基管;通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第反应条件的第等离子体反应区,用于在排出侧的换向点处或附近在基管内表面的至少部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积,提供在内表面的至少部分上具有非玻璃化层的基管;通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区,用于在内表面的至少部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积,获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管;冷却在具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管,获得初级预制品的前体。

    用于执行等离子体化学气相沉积工艺的方法
    2.
    发明公开
    用于执行等离子体化学气相沉积工艺的方法 有权

    公开(公告)号：CN106399978A

    公开(公告)日：2017-02-15

    申请号：CN201611148513.2

    申请日：2012-12-14

    申请人： 德雷卡通信技术公司

    发明人： I·米利塞维克 ,  M·J·N·范斯特拉伦 ,  J·A·哈特苏伊克

    IPC分类号： C23C16/511

    CPC分类号： C23C16/511 ,  C03B37/0183 ,  H01J37/32247

    摘要： 本发明涉及一种用于执行等离子体化学气相沉积工艺的方法。包括以下步骤：提供设备，该设备包括大体上为圆柱形的共振器，该共振器具备外圆柱壁，该外圆柱壁包围围绕圆柱轴线沿圆周方向延伸的共振腔，该共振器还具备在圆柱方向限界共振腔的侧壁部分，并且具备在沿圆周方向围绕圆柱轴线延伸的狭缝结构，该狭缝结构提供从共振腔径向向内的入口，其中该狭缝结构包括在圆柱方向相互偏移的多个狭缝部分，将衬底管从所述共振腔径向向内地容纳在管状内部空间中，将微波注入到所述共振腔中，以及使所述衬底管相对于所述共振器的圆柱轴线旋转。

    通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法
    4.
    发明公开
    通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法 有权

    公开(公告)号：CN104276752A

    公开(公告)日：2015-01-14

    申请号：CN201410306858.0

    申请日：2014-06-30

    申请人： 德拉克通信科技公司

    发明人： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

    IPC分类号： C03B37/01

    CPC分类号： C03B37/018 ,  C03B37/0183 ,  C03B37/01861 ,  C03B37/01869

    摘要： 本发明涉及制造前体的方法。即，涉及通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的方法，其包含以下步骤：提供具有供给侧和排出侧的中空基管；通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第一反应条件的第一等离子体反应区，用于在排出侧的换向点处或附近在基管内表面的至少一部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积，提供在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管；通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区，用于在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积，获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管；冷却在具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管，获得初级预制品的前体。

    用于制造光纤用初级预制品的PCVD方法
    5.
    发明公开
    用于制造光纤用初级预制品的PCVD方法 有权

    公开(公告)号：CN104118987A

    公开(公告)日：2014-10-29

    申请号：CN201410171494.X

    申请日：2014-04-25

    申请人： 德拉克通信科技公司

    发明人： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克

    IPC分类号： C03B37/018

    CPC分类号： C03B37/0183 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01823 ,  C03B37/01869 ,  C03B2201/31 ,  C03B2207/28 ,  C03B2207/70 ,  C03B2207/80

    摘要： 通过PCVD工艺制造光纤用初级预制品的方法，包括以下步骤：提供具有供给侧和排出侧的中空玻璃基管；经由中空玻璃基管的供给侧将气体流供给到所述中空基管的内部，所述气体流包括包含至少一种形成玻璃的气体的主气体流，和包含至少一种掺杂剂的至少一种副气体流；在所述中空基管内部通过微波辐射产生等离子体反应区，以在所述中空基管的内表面上进行玻璃层的沉积，所述反应区沿着所述中空基管的纵轴在位于所述中空基管的供给侧附近的换向点与位于排出侧附近的换向点之间往返移动，以得到在其内表面上沉积有玻璃层的基管；和任选地将步骤iii)中得到的在其内表面上沉积有玻璃层的基管进行收缩处理，以形成实心初级预制品。

    宽带多模光纤及其制造方法
    8.
    发明授权
    宽带多模光纤及其制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102073098B

    公开(公告)日：2012-08-22

    申请号：CN201010562261.4

    申请日：2010-11-29

    申请人： 烽火通信科技股份有限公司

    发明人： 连海洲 ,  陈伟 ,  李诗愈 ,  王彬 ,  王彦亮

    IPC分类号： G02B6/028 ,  C03B37/018 ,  C03B37/025

    CPC分类号： C03B37/0183 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/26

    摘要： 本发明公开了一种宽带多模光纤及其制造方法，该方法包括以下步骤，首先制造出光纤预制棒芯棒样品，然后采用PCVD沉积工艺制造光纤预制棒芯棒，其中纤芯的沉积过程分成多段进行，分段沉积过程中以光纤预制棒芯棒样品的折射率剖面分布曲线与理论折射率剖面分布曲线之间的偏差，调整GeCl4在每一段的补偿量；最后将光纤预制棒芯棒装入石英套管中融熔、拉丝得到宽带多模光纤。采用本发明提供方法获得的宽带多模光纤，完全消除了纤芯的中心凹陷以及冒尖，光纤满注入带宽在850nm和1300nm分别大于3500MHz·km和500MHz·km，850nm有效带宽大于4700MHz·km，可满足万兆高速宽带网络的应用需求，且与目前的低速网络系统兼容。

    一种PCVD工艺制作大直径光纤芯棒的方法
    9.
    发明授权
    一种PCVD工艺制作大直径光纤芯棒的方法 有权

    公开(公告)号：CN101811822B

    公开(公告)日：2012-03-07

    申请号：CN201010152987.0

    申请日：2010-04-16

    申请人： 长飞光纤光缆有限公司

    发明人： 刘泳涛 ,  李震宇 ,  韩庆荣 ,  童维军 ,  龙胜亚

    IPC分类号： C03B37/018

    CPC分类号： C03B37/0183

    摘要： 本发明涉及一种高沉积速率PCVD工艺制作大直径低水峰光纤芯棒的方法。它包括以下步骤：取外径为36～65毫米的纯石英衬管腐蚀清洗后进行PCVD加工；将纯石英衬管置于微波谐振腔保温炉内，微波谐振腔相对纯石英衬管作轴向往复移动，移动速度为15～30米/min，高频功率5.5KW～20.5KW；衬管内沉积速率为2.5～5.0g/min，单层沉积厚度为1.0～3.0微米；沉积完成后通过电热熔缩车床缩塌即得到实心光纤芯棒，芯棒外径为30mm～61mm，包层芯层直径比：1.2≤b/a＜3.0、芯棒外径与芯层直径的比：3.8≤c/a＜6.0。本发明不仅制作工艺简便，沉积速率高，而且能够满足更大范围包层芯层直径比的设计要求和低水峰低衰减的光纤性能要求。