公开(公告)号：CN101027267A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580032316.8

申请日：2005-03-30

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： L·W·夏夫 ,  B·L·吉尔摩

IPC分类号： C04B41/91 ,  H01L21/00

CPC分类号： C04B41/5338 ,  C04B41/009 ,  C04B41/91 ,  H01L21/67098 ,  C04B35/565

摘要： 本文公开了一种纯化碳化硅结构、包括碳化硅涂覆的碳化硅结构的方法。所述方法可将碳化硅结构中铁污染物的数量降低100到1000倍。纯化后，碳化硅结构适用于高温硅晶片处理。

公开(公告)号：CN100575311C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200580032316.8

申请日：2005-03-30

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： L·W·夏夫 ,  B·L·吉尔摩

IPC分类号： C04B41/91 ,  H01L21/00

CPC分类号： C04B41/5338 ,  C04B41/009 ,  C04B41/91 ,  H01L21/67098 ,  C04B35/565

摘要： 本文公开了一种纯化碳化硅结构、包括碳化硅涂覆的碳化硅结构的方法。所述方法可将碳化硅结构中铁污染物的数量降低100到1000倍。纯化后，碳化硅结构适用于高温硅晶片处理。

公开(公告)号：CN105622166A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610017511.3

申请日：2016-01-12

申请人： 武汉理工大学

发明人： 张金咏 ,  任欣楠 ,  张帆

IPC分类号： C04B41/84 ,  C04B41/91

CPC分类号： C04B41/5315 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4905 ,  C04B41/5338 ,  C04B41/84 ,  C04B41/91 ,  C04B35/58071

摘要： 本发明涉及一种硼化钛表面改性的方法。一种硅烷偶联剂改性硼化钛陶瓷表面的处理方法，其特征在于包括如下步骤：1）硼化钛陶瓷的表面氧化刻蚀：采用丙酮超声振荡，置于马弗炉中进行氧化刻蚀，使陶瓷片其表面氧化形成TiO2；2）硅烷偶联剂的水解：将醇和去离子水混合均匀，得到醇的水溶液，加入硅烷偶联剂；3）在硼化钛陶瓷表面施加硅烷偶联剂：用笔刷将所得硅烷偶联剂溶液均匀涂抹在表面经氧化处理的硼化钛陶瓷表面，涂抹完毕后，使用聚丙烯薄膜将陶瓷片完整覆盖，置于50-70℃环境下保温，保温时间为3-5h；除去聚丙烯薄膜，室温自然阴干，使用乙醇对陶瓷片进行清洗，烘干。施加偶联剂之后的硼化钛陶瓷与有机树脂的粘结性能明显提高。