公开(公告)号：CN104781909A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380057792.X

申请日：2013-11-05

申请人： 戴纳洛伊有限责任公司

发明人： S.E.霍赫斯特勒 ,  K.D.波拉 ,  L.S.穆迪 ,  P.B.麦肯兹 ,  刘俊佳

IPC分类号： H01L21/04 ,  C07F9/80 ,  C07F9/78 ,  C07F9/68

CPC分类号： C07F9/78 ,  C07F9/70 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/228 ,  H01L29/66803 ,  H01L21/04 ,  C07F9/68 ,  C07F9/80 ,  H01L21/02005

摘要： 描述了用于形成包含掺杂剂的基底的溶液配方和方法。在具体实施方案中，该掺杂剂可包含砷(As)。在一个实施方案中，提供了包含溶剂和掺杂剂的掺杂剂溶液。在一个特定实施方案中，该掺杂剂溶液可具有至少大致等于能够致使基底表面处的原子连接到掺杂剂溶液的含砷化合物上的最低温度的闪点。在一个实施方案中，基底表面处的多个硅原子共价键合到该含砷化合物上。

公开(公告)号：CN1276792A

公开(公告)日：2000-12-13

申请号：CN98810370.2

申请日：1998-09-11

申请人： 科罗拉多州大学研究基金会

发明人： 史蒂文·H·斯特劳斯 ,  本杰明·G·诺兰 ,  托马斯·J·巴巴里克 ,  贾斯顿·J·罗克韦尔

IPC分类号： C07F1/08 ,  C07F3/00 ,  C07F3/06 ,  C07F5/00 ,  C07F5/02 ,  C07F5/06 ,  C07F7/00 ,  C07F9/00 ,  C08G79/00 ,  H01M2/16 ,  H01M4/60 ,  H01M4/62 ,  H01M6/18

CPC分类号： H01G9/155 ,  C07F5/003 ,  C07F5/022 ,  C07F5/069 ,  C07F7/003 ,  C07F7/025 ,  C07F9/005 ,  C07F9/5325 ,  C07F9/68 ,  C07F9/902 ,  H01M6/181 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/0568 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022

摘要： 本发明提供包含下式的多氟化阴离子的化合物及其用途:[M1(XC(CFa(R1)b)(CFc(R2)d)R3)m(R4)n]－p。具体地,本发明提供包含一种阴离子的化合物,所述阴离子包含与过渡金属或第Ⅲ、Ⅳ或Ⅴ族元素配位的多氟化醇根。