公开(公告)号：CN107293617A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710536712.9

申请日：2017-07-04

申请人： 常州天合光能有限公司

发明人： 张耀 ,  梁笑 ,  范伟 ,  蒋文曲 ,  卢佳 ,  毛文龙

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/228

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/228

摘要： 本发明公开了一种高效低成本太阳能电池扩散工艺，本发明在常压扩散炉石英管中使用密舟装载硅片，在进舟升温之后，通入氧气进行前氧化过程，然后升温之后，进行一次推结、一次沉积、二次沉积以及二次推结之后，升温进行高温推结，升温推结之后，经由后氧过程，最后降温吸杂处理之后，出舟完成本发明的扩散工艺。本发明能够增加扩散产能、降低工艺气体成本、提高扩散方阻的均匀性和重复性，优化了表面掺杂浓度和结深，改善蓝光响应，并减少硅片内部缺陷，提高了太阳能电池转换效率。

公开(公告)号：CN104599956B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410412614.0

申请日：2014-08-20

申请人： 加利福尼亚大学董事会 ,  罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： P·特雷福纳斯三世 ,  R·A·赛格曼 ,  M·L·霍弗瑞斯特 ,  A·吉维 ,  竹井邦晴

IPC分类号： H01L21/225

CPC分类号： H01L21/2254 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L21/385

摘要： 通过包含聚合物膜的掺杂剂掺杂基材。本文公开了一种用于掺杂基材的方法，所述方法包括在基材上设置包含含掺杂剂聚合物和非极性溶剂的组合物的涂层；在750‑1300℃的温度下退火1秒至24小时，以使所述掺杂剂扩散到基材中；其中所述含掺杂剂聚合物是具有共价结合的掺杂剂原子的聚合物，所述含掺杂剂聚合物不含氮和硅；所述方法不包括在退火步骤之前在涂层上形成氧化物封盖层的步骤。

公开(公告)号：CN106463366A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580023013.3

申请日：2015-04-17

申请人： 赢创德固赛有限公司

发明人： C.马德 ,  C.京特 ,  J.埃尔茨 ,  S.马滕斯 ,  J.莱姆库尔 ,  S.特劳特 ,  O.旺尼克

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/228 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/228 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及用于掺杂半导体衬底的液相法，其特征在于将含有至少一种第一掺杂剂的第一组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上，以制造半导体衬底的表面的被第一组合物涂覆的一个或多个区域；将含有至少一种第二掺杂剂的第二组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上，以制造半导体衬底的表面的被第二组合物涂覆的一个或多个区域，其中所述被第一组合物涂覆的一个或多个区域和所述被第二组合物涂覆的一个或多个区域不同并且没有显著重叠，且其中第一掺杂剂是n型掺杂剂且第二掺杂剂是p型掺杂剂或反之亦然；将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的区域各自完全或部分活化；任选地，将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的未活化区域各自氧化；和将半导体衬底加热到使掺杂剂从所述涂层扩散到所述半导体衬底中的温度。本发明还涉及可通过该方法获得

公开(公告)号：CN106449384A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610940303.0

申请日：2016-10-25

申请人： 安徽富芯微电子有限公司

发明人： 陆益 ,  刘宗帅 ,  纪锦程 ,  顾晶伟

IPC分类号： H01L21/228 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L21/228 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/74

摘要： 本发明涉及可控硅元件领域，具体涉及一种P型层开管Al扩散硅元件制备方法。包括以下步骤：步骤一，在Si表面镀Al膜层；步骤二，通过合金方式形成Al-Si合金层，即Si表面包括Al-Si合金层和Al膜层；步骤三，除去Al膜层，即获得Al-Si合金层作为Al杂质源；步骤四，将Al-Si合金层和Si层在一定温度、一定气氛下结深推进一定时间，使得Al向Si扩散；步骤五，后处理，即获得产品。本发明的制备方法工艺简单，可工业化性强，对设备要求低，产品均匀性好、扩散一致性好。

公开(公告)号：CN106159034A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510162481.0

申请日：2015-04-08

申请人： 司红康

发明人： 司红康

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/228

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/228

摘要： 本发明提供一种太阳能电池制结工艺，包括：进舟通氮，并升温至1050摄氏度；向扩散炉内通入携三氯氧磷气体和氧气，其中在上述1050摄氏度扩散5分钟后，5分钟内降温至720摄氏度并保持700摄氏度扩散5分钟，之后在5分钟内均匀升温至1050摄氏度并保持1050摄氏度扩散5分钟，之后在5分钟内均匀降温至800摄氏度完成扩散；接着进行推进工艺；最后出舟。本发明制备成本低，产品性能高。

公开(公告)号：CN102428573B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201080022069.4

申请日：2010-05-13

申请人： 纳克公司

发明人： 乌马·斯里尼瓦桑 ,  赵新 ,  亨利·希斯洛麦尔 ,  尼拉杰·帕卡拉

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/228 ,  H01L21/268 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

摘要： 单独或组合使用基于激光的工艺以有效地处理半导体的掺杂域和/或电流采集结构。举例来说，可使用激光束将掺杂剂从裸露的硅/锗表面驱入硅/锗半导体层中。已发现深触点可有效产生高效太阳能电池。可有效地图案化电介质层以在集电器与沿半导体表面的掺杂域之间提供所选触点。快速处理方法适于高效生产工艺。

公开(公告)号：CN105720135A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610099702.9

申请日：2016-02-24

申请人： 江苏永能光伏科技有限公司

发明人： 袁磊 ,  殷武 ,  徐为 ,  孙翔 ,  王孟孟 ,  常宇峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/228

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1864 ,  H01L21/228 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的降温退火工艺，它包含以下步骤：(1).扩散进舟；(2).氧化；(3).低温状态扩散通源；(4).高温状态扩散推结；(5).硅片出炉降温，稳定炉管温度；(6).二次进炉低温退火；(7).扩散出舟。本发明减小扩散“死层”，减少高温反应导致的热缺陷，从而提高太阳能电池的转化效率；对开路电压提升尤为明显，高出传统工艺2mV以上，且填充因子也有提高，从而电池片的转化效率明显提高；减少了扩散后硅片表面的PN结“死层”厚度，减少高温扩散带来的晶格损伤，提高少子寿命。

公开(公告)号：CN103069544B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180042652.6

申请日：2011-08-19

申请人： 赢创德固赛有限公司

发明人： S.韦伯 ,  M.帕茨 ,  H.施蒂格 ,  J.莱姆库尔

IPC分类号： H01L21/228 ,  H01L21/02 ,  C07F9/50 ,  H01L31/18 ,  C23C18/12

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/14 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/228 ,  H01L29/16 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及用于制造p-掺杂硅层，尤其是由液体含硅烷配制品制成的那些硅层的方法。本发明还涉及涂有p-掺杂硅层的衬底。此外，本发明涉及基于硼化合物的特定掺杂物用于硅层的p-掺杂的用途。

公开(公告)号：CN102468439B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110365158.5

申请日：2011-11-11

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 森田敏郎 ,  神园乔

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L31/186 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5253 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供扩散剂组合物，该扩散剂组合物含有缩合产物(A)和杂质扩散成分(B)。缩合产物(A)是水解烷氧基硅烷而得到的反应产物。杂质扩散成分(B)是磷酸单酯、磷酸二酯或它们的混合物。

公开(公告)号：CN104810281A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510105153.7

申请日：2015-03-11

申请人： 苏州启澜功率电子有限公司

发明人： 丛培金 ,  范玉丰 ,  丛济洲

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/228 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/66136 ,  H01L21/228 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/66143

摘要： 本发明涉及一种台面沟槽隔离法瞬态电压抑制二极管阵列芯片及制作工艺，其采用台面工艺在N+面制作台面隔离槽的方法，可以使多个瞬态抑制二极管之间彻底分开，并把表面击穿变为体击穿，增加了二极管的可靠性；采用涂覆硼液态源深结扩散形成P+结的方法，可以代替外延片进行芯片制作，扩散结深平坦均一，衬底无源区宽度可控，不受外延层宽度限制；采用玻璃粉电泳形成台面保护层，增强了二极管阵列的抗机械损伤能力，同时提高了二极管阵列的抗浪涌能力；采用含氯气的烧玻璃方法，可以增加二极管PN结耗尽层的宽度，降低结电容，使二极管可以迅速将浪涌电压箝位到一个安全的电压范围内，以保护后面数字电路不受损坏。