抗蚀剂剥离组合物和生产电气装置的方法

    公开(公告)号:CN102422228B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201080019900.0

    申请日:2010-04-20

    发明人: A·克里普

    IPC分类号: G03F7/42 H01L21/02

    摘要: 一种液体组合物,其包含:(A)至少一种极性有机溶剂,其选自在0.06-4重量%溶解氢氧化四甲铵(B)的存在下(重量%基于相应试验溶液(AB)的总重量),在50℃下对含远紫外线吸收发色团的30nm厚聚合物减反射阻挡层显示出恒定去除速率的溶剂,(B)至少一种氢氧化季铵,和(C)至少一种含至少一个伯氨基的芳族胺;及其其制备方法,和一种使用该液体组合物作为抗蚀剂剥离组合物生产电气装置的方法及其它在通过硅通孔图案化和/或通过电镀和形成凸点生产3D叠层集成电路和3D晶片级封装中除去负型和正型光致抗蚀剂以及蚀刻后残留物中的用途。

    抗蚀剂剥离组合物和生产电气装置的方法

    公开(公告)号:CN102422228A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201080019900.0

    申请日:2010-04-20

    发明人: A·克里普

    IPC分类号: G03F7/42 H01L21/02

    摘要: 一种液体组合物,其包含:(A)至少一种极性有机溶剂,其选自在0.06-4重量%溶解氢氧化四甲铵(B)的存在下(重量%基于相应试验溶液(AB)的总重量),在50℃下对含远紫外线吸收发色团的30nm厚聚合物减反射阻挡层显示出恒定去除速率的溶剂,(B)至少一种氢氧化季铵,和(C)至少一种含至少一个伯氨基的芳族胺;及其其制备方法,和一种使用该液体组合物作为抗蚀剂剥离组合物生产电气装置的方法及其它在通过硅通孔图案化和/或通过电镀和形成凸点生产3D叠层集成电路和3D晶片级封装中除去负型和正型光致抗蚀剂以及蚀刻后残留物中的用途。