-
公开(公告)号：CN101685274B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200810200574.8
申请日：2008-09-26
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C23G1/22 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/3218 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
摘要： 本发明公开了一种用于厚膜光刻胶的清洗剂。该清洗剂包含二甲基亚砜，氢氧化钾，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸类缓蚀剂和缩水剂。本发明的光刻胶清洗剂可以在较大的温度范围内(45～90℃)使用，用于除去半导体制造工艺中金属、金属合金或电介质等基材上的厚度的厚膜光刻胶(光阻)，特别是适合用于除去厚度在100μm以上的高交联度的负性光刻胶。同时，该光刻胶清洗剂对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有极弱的腐蚀性，不会对晶片图案和基材造成损坏，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101842746A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880109166.X
申请日：2008-10-06
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
摘要： 一种光刻胶清洗剂，其含有：季铵氢氧化物、水、烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜、聚羧酸类缓蚀剂和氨基唑类缓蚀剂。光刻胶清洗剂组合物可有效去除金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其他刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属，以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性，还可防止金属表面氧化物的产生。
-
公开(公告)号：CN101685274A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810200574.8
申请日：2008-09-26
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C23G1/22 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/3218 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
摘要： 本发明公开了一种用于厚膜光刻胶的清洗剂。该清洗剂包含二甲基亚砜，氢氧化钾，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸类缓蚀剂和缩水剂。本发明的光刻胶清洗剂可以在较大的温度范围内(45～90℃)使用，用于除去半导体制造工艺中金属、金属合金或电介质等基材上的厚膜光刻胶(光阻)，特别是适合用于除去厚度在100μm以上的高交联度的负性光刻胶。同时，该光刻胶清洗剂对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有极弱的腐蚀性，不会对晶片图案和基材造成损坏，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101614971B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200810039757.6
申请日：2008-06-27
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3765 , C11D7/261 , C11D7/34 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂，其含有季铵氢氧化物、水、芳基醇、二甲基亚砜和聚丙烯酸类缓蚀剂。本发明的光刻胶清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有极弱的腐蚀性，环境友好且可在较大的温度范围内使用。
-
公开(公告)号：CN101750915A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204611.2
申请日：2008-12-15
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种半导体晶圆金属保护液及其使用方法。这种半导体晶圆金属保护液包含水、缓蚀剂，所述的缓蚀剂为硼酸和/或硼酸盐。这种半导体晶圆金属保护液可以显著抑制碱性清洗液对半导体晶圆中金属图案和金属基材的腐蚀，价格便宜，对环境友好，其使用方法操作简便，在半导体晶圆制造等微电子领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101614970A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810039756.1
申请日：2008-06-27
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂组合物，包含醇胺类化合物、水溶性极性有机溶剂和水，其中还包含选自环己六醇磷酸酯和环己六醇磷酸盐中的一种或几种。本发明的清洗剂组合物可以有效除去半导体晶片上的光刻胶、刻蚀或灰化后的光刻胶残留物或其它残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很弱的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101750914A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204103.4
申请日：2008-12-05
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂组合物。这种光刻胶清洗剂组合物包含季铵氢氧化物、水、芳基醇、二甲基亚砜和至少一种选自柠檬酸、柠檬酸酯和柠檬酸盐的缓蚀剂。这种光刻胶清洗剂组合物可进一步包含极性有机共溶剂、表面活性剂和/或其它缓蚀剂。这种光刻胶清洗剂组合物可以除去金属、金属合金或电介质基材上的厚度为20μm以上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料的腐蚀性较低，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101750912A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810203715.1
申请日：2008-11-28
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/426 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/2068 , C11D3/30 , C11D3/3445 , C11D3/43 , C11D7/08 , C11D7/263 , C11D7/3209 , C11D7/34 , C11D7/5009 , C11D11/0047 , C23G1/16 , G03F7/425 , H01L21/31133
摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂组合物。这种光刻胶清洗剂组合物包含季铵氢氧化物、水、烷基二醇碳原子数目为3～18的烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜和至少一种选自硼酸、硼酸盐和硼酸酯的缓蚀剂。这种光刻胶清洗剂组合物可进一步包含极性有机共溶剂、表面活性剂和/或其它缓蚀剂。这种光刻胶清洗剂组合物可以除去金属、金属合金或电介质等基材上的厚度为20μm以上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料的腐蚀性较低，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101487993A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200810032832.6
申请日：2008-01-18
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/5009 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 本发明的一种厚膜光刻胶清洗剂，其含有二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺类化合物、芳基烷基醇和/或其衍生物以及聚羧酸类化合物。本发明的厚膜光刻胶清洗剂可以有效除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性，使其对晶片图形和基材表现出很低的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101398638A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710046699.5
申请日：2007-09-29
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D7/26 , C11D7/263 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D7/5022 , C23F11/10 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02068 , H01L21/31133
摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂，其含有：季铵氢氧化物、水、烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜、聚羧酸类缓蚀剂和氨基唑类缓蚀剂。本发明的光刻胶清洗剂可以有效除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属，以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性，还可防止金属表面氧化物的产生，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
23 条记录 (耗时 0.022 秒)
