一种制备铜铟镓碲薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108767059A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810522180.8

    申请日:2018-05-28

    摘要: 一种制备铜铟镓碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将TeO2、Cu(NO3)2、In(NO3)3和Ga(NO3)3先后放入溶剂中,配制澄清透明溶液,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,自然晾干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量,得到铜铟镓碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铟镓碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铟镓碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种硝酸盐体系制备铜铝碲薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108520900A

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201810523623.5

    申请日:2018-05-28

    摘要: 一种硝酸盐体系制备铜铝碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将TeO2、Cu(NO3)2和Al(NO3)3先后放入溶剂中,配制澄清透明溶液,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,自然晾干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量,得到铜铝碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铝碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铝碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种制备铜铟铝碲薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108711584A

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201810522795.0

    申请日:2018-05-28

    摘要: 一种制备铜铟铝碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将TeO2、Cu(NO3)2、In(NO3)3和Al(NO3)3先后放入溶剂中,配制澄清透明溶液,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,自然晾干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量,得到铜铟铝碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铟铝碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铟铝碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种硝酸盐体系制备铜铟碲薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108624873A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201810523624.X

    申请日:2018-05-28

    IPC分类号: C23C18/12

    摘要: 一种硝酸盐体系制备铜铟碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将TeO2、Cu(NO3)2和In(NO3)3先后放入溶剂中,配制澄清透明溶液,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,自然晾干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量,得到铜铟碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铟碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铟碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种硝酸盐体系制备铜镓碲薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108682619A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810522852.5

    申请日:2018-05-28

    IPC分类号: H01L21/02 H01L31/18

    CPC分类号: H01L21/02521 H01L31/18

    摘要: 一种硝酸盐体系制备铜镓碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将TeO2、Cu(NO3)2和Ga(NO3)3先后放入溶剂中,配制澄清透明溶液,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,自然晾干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量,得到铜镓碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜镓碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜镓碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种氯化物体系制备铜镓碲薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108682618A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810522839.X

    申请日:2018-05-28

    IPC分类号: H01L21/02 H01L31/18

    CPC分类号: H01L21/02521 H01L31/18

    摘要: 一种氯化物体系制备铜镓碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将TeO2、CuCl2和GaCl3先后放入溶剂中,配制澄清透明溶液,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,自然晾干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量,得到铜镓碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜镓碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜镓碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。