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公开(公告)号：CN102156008B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201110061292.6
申请日：2007-06-29
申请人： 马特森技术公司
发明人： 保罗·J·蒂曼斯
CPC分类号： G01K15/00 , G01J5/0007 , G01J5/0806 , G01J5/0831 , G01J5/0846 , G01K11/125
摘要： 本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置，它们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和测量系统可布置和构造成使得以相对晶片表面预定角度反射的光被测量，而其它光不会。测量还可基于评价晶片中或晶片上的图案的像的对比度。其它测量法可采用确定晶片内光程长度以及根据反射或透射光的温度测量。
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公开(公告)号：CN101680833B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880017330.4
申请日：2008-05-23
申请人： 佐勒技术公司
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： G01N21/3504 , G01K11/125 , G01N21/39 , G01N2021/1787 , G01N2021/3513
摘要： 一种吸收光谱法的方法，包括沿着穿过所关注的一定量气体的多于一个的视线路径，在多个波长处获取吸收数据。该方法进一步包括沿着多个视线路径标识多于一个的温度和气体物质浓度箱，以及创建温度和气体物质浓度的图。如此创建的图将具有来源于沿着多于一个视线路径标识的选定温度和气体物质浓度箱的至少二维信息。还公开了用于实现上面的方法的设备。
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公开(公告)号：CN101842677A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880113782.2
申请日：2008-09-05
申请人： 马特森技术公司
CPC分类号： G01K11/125 , G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/522 , G01K15/00 , H01L21/67248
摘要： 公开一种可靠地确定基板的透射系数的系统和方法。通过例如确定校准基板的透射系数，温度测量装置能够得以校准。该方法和系统特别好地适合用于其中半导体晶片被制造以得到集成的电路芯片的热处理腔室中。
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公开(公告)号：CN104706330A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310683151.7
申请日：2013-12-12
申请人： 百略医学科技股份有限公司
发明人： 何佳整
IPC分类号： A61B5/01
CPC分类号： G01K13/002 , G01J5/0025 , G01J5/0265 , G01J5/0806 , G01J5/089 , G01J5/0896 , G01K11/125 , G02B19/0014 , G02B19/0085 , A61B5/01
摘要： 本发明涉及一种额温测量装置，其包含有装设于本体前端的检测单元及点光源，检测单元及点光源相邻设置，检测单元与本体的端缘之间设有第一凸透镜，通过第一凸透镜将能量聚焦后传递至检测单元，以提升测量准确度，又使得本发明利用有限的空间下仍可达到聚焦的效果，进一步并有助于将本发明整体轻量化及小型化。
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公开(公告)号：CN102318038A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200880132794.X
申请日：2008-12-26
申请人： 瓦伊系统有限公司
发明人： L·伊夫斯
IPC分类号： H01L21/205 , G01K11/12
CPC分类号： G01K11/125 , C23C14/541 , C23C16/52 , C30B23/002 , C30B25/16 , H01L21/02521 , H01L21/67248 , H01L22/10
摘要： 提供一种温度测定方法和温度测定装置，能够在蒸镀形成半导体层时直接且高精度地了解半导体层的温度。使用在成膜中或成膜后的半导体层达到温度Ts时光透射率急剧变化的波长λs的激光，通过光检测装置监测该激光对于半导体层的透射量。如果使提供给半导体层的热变化，则在时刻A或B或C半导体层的温度达到Ts时由上述光检测装置监测的激光的受光量急剧变化。因此，能够准确地了解在时刻A或B或C半导体层的温度达到Ts，能够校正例如通过温度变化监测装置观测的温度信息的误差等。
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公开(公告)号：CN101680833A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017330.4
申请日：2008-05-23
申请人： 佐勒技术公司
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： G01N21/3504 , G01K11/125 , G01N21/39 , G01N2021/1787 , G01N2021/3513
摘要： 一种吸收光谱法的方法，包括沿着穿过所关注的一定量气体的多于一个的视线路径，在多个波长处获取吸收数据。该方法进一步包括沿着多个视线路径标识多于一个的温度和气体物质浓度箱，以及创建温度和气体物质浓度的图。如此创建的图将具有来源于沿着多于一个视线路径标识的选定温度和气体物质浓度箱的至少二维信息。还公开了用于实现上面的方法的设备。
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公开(公告)号：CN101512744A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032373.5
申请日：2007-06-29
申请人： 马特森技术公司
发明人： 保罗·J·蒂曼斯
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01K15/00 , G01J5/0007 , G01J5/0806 , G01J5/0831 , G01J5/0846 , G01K11/125
摘要： 本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置，它们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和测量系统可布置和构造成使得以相对晶片表面预定角度反射的光被测量，而其它光不会。测量还可基于评价晶片中或晶片上的图案的像的对比度。其它测量法可采用确定晶片内光程长度以及根据反射或透射光的温度测量。
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公开(公告)号：CN106662488A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201680002324.6
申请日：2016-03-18
申请人： 株式会社堀内电机制作所
IPC分类号： G01K11/06
CPC分类号： G01K11/06 , G01K3/04 , G01K11/125
摘要： 本发明提供利用了即使是含有分子量高的油脂的乳化物在常温下也维持高的透明性、若在凝固后升温至规定温度则可靠地分离成水相和油相的乳化物的温度管理介质。该温度管理介质具备在常温下为液状、且若冷却至规定温度则凝固、并且通过从该凝固的状态进行升温而熔化并相分离的乳化物，该乳化物包含水、油脂、乳化剂、多元醇及电荷中和剂，水、多元醇及电荷中和剂的合计量相对于水、油脂、乳化剂、多元醇及电荷中和剂的总量的比例即水相比为10～50质量％。
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公开(公告)号：CN102445284B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110303076.8
申请日：2011-09-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G01K11/00
CPC分类号： G01K11/125 , G01B9/02021 , G01B9/02025 , G01B9/0209 , G01B11/0675
摘要： 本发明提供一种温度测量方法。该温度测量方法即使在测量对象物上形成有薄膜的情况下，也能够比以往准确地对测量对象物的温度进行测量。其包括以下工序：将来自光源的光传送到在基板上形成有薄膜的测量对象物的测量点；对由基板的表面的反射光构成的第1干涉波、由基板与薄膜之间的界面的反射光、在薄膜的背面的反射光构成的第2干涉波进行测量；计算从第1干涉波到第2干涉波的光路长度；根据第2干涉波的强度计算薄膜的膜厚；根据算出的薄膜的膜厚计算基板的光路长度与算出的光路长度之间的光路差；根据算出的光路差校正算出的从第1干涉波到第2干涉波的光路长度；利用被校正的光路长度计算测量对象物的测量点处的温度。
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公开(公告)号：CN101868704B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200880117305.3
申请日：2008-11-17
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC分类号： G01K11/125 , G01K11/00
摘要： 本发明的实施例涉及一种温度传感器和一种包括该温度传感器的分析装置。温度传感器包括具有检测表面(12)的载体(11)，检测表面上有温度指示剂(14)，并且任选地，目标成分能够在检测表面上集中并任选地结合到特定俘获元件。向载体中发射入射光束(L1)并在检测表面(12)诱发倏逝波激励。然后由光检测器(31)检测反射光束(L2)或光学，例如发光响应中的光量。在一个范例中，倏逝光在结合表面(12)受到温度指示剂以及任选的目标成分和/或标记颗粒的影响(吸收、散射)，因此将在受抑全内反射光束(L2)中缺失。这可以用于从反射光束(L2，L2a，L2b)中的光量确定检测区域的温度以及任选的结合表面(12)处目标成分量。任选地使用磁场发生器(41)在结合表面(12)产生磁场(B)，由此可以操控，例如吸引或排斥磁标记颗粒(1)。
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