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公开(公告)号：CN104584218B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201380042822.X
申请日：2013-08-29
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/41725 , G06F2101/00 , G06F2201/00 , H01L21/00 , H01L29/0692 , H01L29/1066 , H01L29/42316 , H01L29/808
摘要： 本发明涉及一种具有结型场效应晶体管(JFET)(100)的半导体器件，其包括具有包括顶侧表面(106a)的第一类型半导体表面(106)的衬底(105)，以及在该半导体表面形成的第二类型顶部栅极(110)。第一类型漏极(120)和第一类型源极(115)在顶部栅极的相对侧上形成。第一深沟槽隔离区(125)具有围绕顶部栅极、漏极和源极的第一内沟槽壁(125a)和第一外沟槽壁(125b)，并且从顶侧表面垂直地延伸到深沟槽深度(139)。在半导体表面上形成的第二类型下沉区(135)在第一外沟槽壁之外横向地延伸。下沉区从顶侧表面垂直地延伸到第二类型深部，其既低于深沟槽深度也在横向上处于第一内沟槽壁之内，以提供底部栅极。
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公开(公告)号：CN103673943B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310433843.6
申请日：2013-09-23
申请人： 约翰内斯·海德汉博士有限公司
CPC分类号： G01B7/30 , G01D5/24438 , G01D5/24476 , G01D5/2455 , G06F1/00 , G06F2101/00 , G06F2201/00
摘要： 本发明涉及一种位置测量仪和用于其运行的方法，该位置测量仪带有编码载体，该位置测量仪带有：至少一个第一分度轨道和第二分度轨道，其中，第二分度轨道是增量分度轨道，用于通过在测量方向上探测第一分度轨道和第二分度轨道产生第一位置信号的第一探测器组件，用于通过在测量方向上探测第二分度轨道产生第二位置信号的第二探测器组件，用于将第一位置信号处理成第一绝对位置值的第一位置处理单元以及用于将第二位置信号处理成第二绝对位置值的第二位置处理单元，其中，第二位置处理单元可利用绝对辅助位置值初始化，绝对辅助位置值由第一位置处理单元输送给第二位置处理单元。
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公开(公告)号：CN104584218A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380042822.X
申请日：2013-08-29
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/41725 , G06F2101/00 , G06F2201/00 , H01L21/00 , H01L29/0692 , H01L29/1066 , H01L29/42316 , H01L29/808
摘要： 本发明涉及一种具有结型场效应晶体管(JFET)(100)的半导体器件，其包括具有包括顶侧表面(106a)的第一类型半导体表面(106)的衬底(105)，以及在该半导体表面形成的第二类型顶部栅极(110)。第一类型漏极(120)和第一类型源极(115)在顶部栅极的相对侧上形成。第一深沟槽隔离区(125)具有围绕顶部栅极、漏极和源极的第一内沟槽壁(125a)和第一外沟槽壁(125b)，并且从顶侧表面垂直地延伸到深沟槽深度(139)。在半导体表面上形成的第二类型下沉区(135)在第一外沟槽壁之外横向地延伸。下沉区从顶侧表面垂直地延伸到第二类型深部，其既低于深沟槽深度也在横向上处于第一内沟槽壁之内，以提供底部栅极。
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公开(公告)号：CN103673943A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310433843.6
申请日：2013-09-23
申请人： 约翰尼斯海登海恩博士股份有限公司
CPC分类号： G01B7/30 , G01D5/24438 , G01D5/24476 , G01D5/2455 , G06F1/00 , G06F2101/00 , G06F2201/00
摘要： 本发明涉及一种位置测量仪和用于其运行的方法，该位置测量仪带有编码载体，该位置测量仪带有：至少一个第一分度轨道和第二分度轨道，其中，第二分度轨道是增量分度轨道，用于通过在测量方向上探测第一分度轨道和第二分度轨道产生第一位置信号的第一探测器组件，用于通过在测量方向上探测第二分度轨道产生第二位置信号的第二探测器组件，用于将第一位置信号处理成第一绝对位置值的第一位置处理单元以及用于将第二位置信号处理成第二绝对位置值的第二位置处理单元，其中，第二位置处理单元可利用绝对辅助位置值初始化，绝对辅助位置值由第一位置处理单元输送给第二位置处理单元。
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