公开(公告)号：CN108155232A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711261540.5

申请日：2017-12-04

申请人： 维西埃-硅化物公司

发明人： 艾曼·谢比卜 ,  凯尔·特里尔

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861

摘要： 本发明公开了高电子迁移率晶体管器件。一种器件包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)和第二HEMT。第一HEMT包括第一栅极、耦合到第一栅极的源极以及耦合到第一栅极的漏极。第二HEMT包括耦合到源极和漏极的第二栅极。第二HEMT具有比第一HEMT更低的阈值电压。

公开(公告)号：CN104106129B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201380008763.4

申请日：2013-02-07

申请人： 索尼公司

发明人： 竹内克彦 ,  谷口理

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/432 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

摘要： 半导体装置具有设置于沟道层(14)的上部上的上部障壁层中的第一障壁层(15)，第一障壁层(15)构成沟道层(14)侧的界面层并且由这样的化合物半导体构成：在第一障壁层(15)与沟道层(14)的接合部，该化合物半导体的载流子运动侧能带比沟道层(14)的载流子运动侧能带更远离沟道层(14)之内的本征费米能级。半导体装置具有设置于上部障壁层的表面层的第二障壁层(16)，第二障壁层(16)由这样的化合物半导体构成：在第二障壁层(16)与第一障壁层(15)形成接合的状态下，在该接合处，该化合物半导体的位于带隙两边的载流子运动侧及其相对侧的能带比第一障壁层(15)的位于带隙两边的载流子运动侧及其相对侧的能带更远离第一障壁层(15)内的本征费米能级。此外，半导体装置包括：低电阻区域(16g)，其设置在第二障壁层(16)的至少表面层并且通过含有具有与载流子的导类型相反的导电型的杂质来保持比周边区域低的电阻；位于低电阻区域(16g)的相对两侧并且连接到第二障壁层(16)的源极电极(23s)和漏极电极(23d)；隔着栅极绝缘膜(25)设置于低电阻区域(16g)上方的栅极电极(27)。

公开(公告)号：CN103797581B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201280035805.9

申请日：2012-07-06

申请人： 埃皮根股份有限公司

发明人： J·德鲁恩 ,  S·迪格鲁特 ,  M·杰曼

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明涉及一种在衬底上生长III‑V外延层的方法、一种包括衬底的半导体结构、包括这样的半导体结构的设备、和电路。诸如例如HEMT等的III族氮化物设备，包括在两个有源层之间，例如在GaN和AlGaN之间的2DEG。这些晶体管工作在耗尽模式操作中，这意味着必须耗尽沟道来将晶体管截止。对于诸如例如功率开关或集成逻辑等的某些应用，负极性栅极电源是不期望的。然后，晶体管可以工作在增强模式（E模式）中。

公开(公告)号：CN104584218B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201380042822.X

申请日：2013-08-29

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： B·胡 ,  P·郝 ,  S·彭迪哈卡

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/41725 ,  G06F2101/00 ,  G06F2201/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/808

摘要： 本发明涉及一种具有结型场效应晶体管(JFET)(100)的半导体器件，其包括具有包括顶侧表面(106a)的第一类型半导体表面(106)的衬底(105)，以及在该半导体表面形成的第二类型顶部栅极(110)。第一类型漏极(120)和第一类型源极(115)在顶部栅极的相对侧上形成。第一深沟槽隔离区(125)具有围绕顶部栅极、漏极和源极的第一内沟槽壁(125a)和第一外沟槽壁(125b)，并且从顶侧表面垂直地延伸到深沟槽深度(139)。在半导体表面上形成的第二类型下沉区(135)在第一外沟槽壁之外横向地延伸。下沉区从顶侧表面垂直地延伸到第二类型深部，其既低于深沟槽深度也在横向上处于第一内沟槽壁之内，以提供底部栅极。

公开(公告)号：CN103620751B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201280031197.4

申请日：2012-07-04

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 大来英之 ,  上本康裕 ,  引田正洋 ,  竹田秀则 ,  佐藤高广 ,  西尾明彦

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7789 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7787

摘要： 具备基板、形成在基板之上的第1氮化物半导体层（1）、层叠在第1氮化物半导体层（1）之上、比该第1氮化物半导体层（1）带隙大、开设有底部达到第1氮化物半导体层（1）而贯通的凹槽部的第2氮化物半导体层（2）、将凹槽部（11）的内壁和第2氮化物半导体层（2）覆盖而层叠、比第1氮化物半导体层（1）带隙大的第3氮化物半导体层（12）、在凹槽部（11）的上层形成在第3氮化物半导体层（12）上的栅极电极（5）、和分别形成在栅极电极（5）的两侧方的第1欧姆电极（4a）及第2欧姆电极（4b）。

公开(公告)号：CN106067472A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610232311.X

申请日：2016-04-14

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 柳春基

IPC分类号： H01L27/32

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248

摘要： 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基底，该薄膜晶体管(TFT)阵列基底包括：基底；栅极下台阶层，设置在基底上；栅电极，设置在栅极下台阶层上；半导体层，形成在栅电极之上；蚀刻停止件，设置在半导体层上。栅极下台阶层形成在栅电极下方并具有比栅电极的宽度大的宽度。

公开(公告)号：CN103187436B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210129809.5

申请日：2012-04-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许竣为 ,  余俊磊 ,  姚福伟 ,  游承儒 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02271 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002

摘要： 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括第一III‑V族化合物层。第二III‑V族化合物层设置在第一III‑V族化合物层上方，并且在组成上不同于第一III‑V族化合物层。载流子沟道位于第一III‑V族化合物层和第二III‑V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III‑V族化合物层上方。p型层设置在源极部件和漏极部件之间的第二III‑V族化合物层的一部分上方。栅电极设置在p型层上方。栅电极包括耐熔金属。耗尽区设置在载流子沟道中并位于栅电极下方。还提供了高电子迁移率晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN105960713A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201580005427.3

申请日：2015-01-20

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·海克马特少巴塔瑞 ,  G·G·莎赫迪

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/80 ,  H01L27/095

CPC分类号： H01L29/8086 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/098 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/802 ,  H01L29/8124 ,  H01L29/8126 ,  H01L29/868

摘要： 一种结型场效应晶体管(JFET)，其具有栅极区域，所述栅极区域包括具有不同导电类型的材料的两个分离的子区域，和/或肖特基结，其基本抑制在栅极结被正向偏置时的栅极电流；以及并入这种JFET装置的互补电路。根据本发明的一个方面，提供了一种结型场效应晶体管(JFET)，其包括沟道区和栅极区域。所述栅极区域包括第一栅极子区域以及第二栅极子区域。所述第一栅极子区域与所述沟道区形成结。所述第二栅极子区域与所述第一栅极子区域形成结。所述沟道区以及所述第二栅极子区域包括第一导电类型的材料。所述第一栅极子区域包括第二导电类型的材料，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。

公开(公告)号：CN103928463B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310126266.6

申请日：2013-04-12

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 陈永初 ,  陈立凡 ,  林镇元

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/0705 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/085 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/808

摘要： 本发明公开了一种高压ED NMOS元件嵌入高压横向NJFET及其制造方法，该高压ED NMOS元件嵌入高压横向NJFET包含一高压(HV)n型金属氧化物半导体(NMOS)嵌入HV结栅极场效应晶体管(JFET)的半导体装置被提供。根据第一示例实施例，具有嵌入HV JFET的HV NMOS可包含衬底、被设置为邻近该衬底的N型阱区、被设置为邻近该N型阱区的P型阱区、以及被设置为邻近该N型阱区且在该P型阱区相对侧的第一及第二N+掺杂区。该P型阱区可包含P+掺杂区、第三N+掺杂区以与栅极结构，该第三N+掺杂区介于该P+掺杂区以及该栅极结构之间。

公开(公告)号：CN103325823B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201210575964.X

申请日：2012-12-26

申请人： 创世舫电子日本株式会社

发明人： 山田敦史

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，本发明提供一种AlGaN/GaN HEMT，所述AlGaN/GaN HEMT包括化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上方的栅电极、以及形成在化合物半导体层叠结构与栅电极之间的p型半导体层，并且该p型半导体层具有在平行于化合物半导体层叠结构的表面的方向上的拉伸应变。