公开(公告)号：CN104885155B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201380068291.1

申请日：2013-12-11

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 铃木哲雄 ,  藤原直也 ,  平野贵之

IPC分类号： G11B5/73 ,  G11B5/84

CPC分类号： G11B5/731 ,  G11B5/8404

摘要： 本发明的磁记录介质用铝基板为成膜有厚度6μm以上的SiO2膜的铝基板，其特征在于，前述SiO2膜是将前述铝基板加热至150℃~370℃并利用气相成膜法而成膜的。

公开(公告)号：CN105723460A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201580002518.1

申请日：2015-04-20

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 森谷友博 ,  岛津武仁

IPC分类号： G11B5/851 ,  G11B5/65 ,  G11B5/738

CPC分类号： G11B5/8404 ,  C03C17/361 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3634 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3649 ,  C03C2217/70 ,  C03C2218/151 ,  C03C2218/156 ,  C03C2218/31 ,  C23C14/081 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C30B23/066 ,  C30B23/08 ,  C30B29/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/52 ,  G11B5/65 ,  G11B5/731 ,  G11B5/851

摘要： 本发明的目的在于提供包含具有更大的磁各向异性常数Ku的磁记录层的磁记录介质的制造方法。本发明的磁记录介质的制造方法包括：(a)准备基板的工序；(b)将基板加热至350℃以上，使以MgO为主成分的非磁性材料沉积，形成基底层的工序；以及(c)在基底层之上形成磁记录层的工序。

公开(公告)号：CN108305645A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711430804.5

申请日：2017-12-26

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也

IPC分类号： G11B5/706 ,  G11B5/725 ,  G11B5/73 ,  G11B5/851

CPC分类号： G11B5/7006 ,  C22C19/07 ,  C22C27/06 ,  C22C2202/02 ,  G11B5/653 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/731 ,  G11B5/70605 ,  G11B5/725 ,  G11B5/851

摘要： 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

公开(公告)号：CN104885155A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068291.1

申请日：2013-12-11

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 铃木哲雄 ,  藤原直也 ,  平野贵之

IPC分类号： G11B5/73 ,  G11B5/84

CPC分类号： G11B5/731 ,  G11B5/8404

摘要： 本发明的磁记录介质用铝基板为成膜有厚度6μm以上的SiO2膜的铝基板，其特征在于，前述SiO2膜是将前述铝基板加热至150℃~370℃并利用气相成膜法而成膜的。