-
公开(公告)号：CN101548401A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780034521.7
申请日：2007-09-18
申请人： 康奈尔研究基金会股份有限公司
IPC分类号： H01L35/00
CPC分类号： G21H5/00 , G01T1/2018 , G01T3/06 , G01T7/00
摘要： 本发明公开了一种自供电的传感器(如100、180、220、400)，该传感器可以发出一启动信号来唤醒处于休眠模式以节省电池电力的电路或系统，以便在紧急情况下进行运算和通信。在湿度传感器装置100中，放射性同位素产生偏压，传感器电容利用该偏压来识别自供电传感器。第一个自供电电容偏置构架160是基于在聚合物电容110的漏电电阻变化，第二个自供电电容偏置构架140是基于聚合物电容器电容值的变化。另一个传感器装置通过传感器电容的漏电电阻或电容值变化来调节MOSFET 114的电导，实现简单可读电子输出信号。本发明中还公开了一温度传感器180和一基于可核裂变物质接近传感器装置400的MEMS悬臂结构。
-
公开(公告)号：CN102686276A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080060087.1
申请日：2010-03-31
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： A61N5/10
CPC分类号： H01J37/147 , A61N5/10 , A61N5/1043 , A61N5/1048 , A61N5/1077 , A61N2005/1087 , G06N3/02 , G21H5/00 , G21K1/093 , G21K5/04 , H01J37/04 , H01J2237/0473
摘要： 本发明的目的在于获得消除扫描电磁铁的磁滞影响、且在光栅扫描、混合扫描中实现高精度射束照射的粒子射线照射装置。包括：扫描电源(4)，该扫描电源(4)输出扫描电磁铁(3)的励磁电流；以及照射控制装置(5)，该照射控制装置(5)控制扫描电源(4)，照射控制装置(5)包括扫描电磁铁指令值学习生成器(37)，该扫描电磁铁指令值学习生成器(37)对预扫描的结果进行评价，在评价的结果不满足规定的条件的情况下，更新励磁电流的指令值(Ik)，来执行预扫描，将评价的结果满足规定的条件的励磁电流的指令值(Ik)输出到扫描电源(4)，该预扫描是基于由扫描电源(4)输出的励磁电流的指令值(Ik)的、一系列的照射动作。
-
公开(公告)号：CN102686276B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080060087.1
申请日：2010-03-31
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 岩田高明
IPC分类号： A61N5/10
CPC分类号： H01J37/147 , A61N5/10 , A61N5/1043 , A61N5/1048 , A61N5/1077 , A61N2005/1087 , G06N3/02 , G21H5/00 , G21K1/093 , G21K5/04 , H01J37/04 , H01J2237/0473
摘要： 本发明的目的在于获得消除扫描电磁铁的磁滞影响、且在光栅扫描、混合扫描中实现高精度射束照射的粒子射线照射装置。包括：扫描电源(4)，该扫描电源(4)输出扫描电磁铁(3)的励磁电流；以及照射控制装置(5)，该照射控制装置(5)控制扫描电源(4)，照射控制装置(5)包括扫描电磁铁指令值学习生成器(37)，该扫描电磁铁指令值学习生成器(37)对预扫描的结果进行评价，在评价的结果不满足规定的条件的情况下，更新励磁电流的指令值(Ik)，来执行预扫描，将评价的结果满足规定的条件的励磁电流的指令值(Ik)输出到扫描电源(4)，该预扫描是基于由扫描电源(4)输出的励磁电流的指令值(Ik)的、一系列的照射动作。
-
-
-
公开(公告)号：CN104681106A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410819915.5
申请日：2014-12-08
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： G21C11/06
摘要： 一种高通量中子通道，在同等条件下可以从中子通道出口引出更多量的中子，它将现用的中子通道由圆柱形改变为圆台形状，并在中子通道周围添加了聚乙烯慢化层和石墨反射层。使中子通道引出口的中子通量提高80％以上；先添加石墨作反射层，使中子通量提高50％以上，然后将中子通道形状由圆柱形改变为圆台形状，使中子通量提高60％左右，再在中子通道和石墨反射层之间添加聚乙烯慢化层，使得中子先慢化再反射，最终使中子通量提高80％以上；因此同等活度的252Cf中子源在中子活化分析、辐照等实际应用方面可以从中子通道出口引出更多量的中子，不仅提高中子源经济效益，同时减少工作人员的操作时间和中子源对人体及环境的辐射。
-
公开(公告)号：CN108806816A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810349397.3
申请日：2018-04-18
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种中子能谱精准调控技术及装置，包括外中子源、模块化中子能谱调控区、中子能谱精细调控区、屏蔽层、以及中子能谱调节单元存储区。其中，模块化中子能谱调控区、中子能谱精细调控区、中子能谱调节单元存储区均包括多个标准中子能谱调节单元，每个标准中子能谱调节单元外壳尺寸完全相同，位置可以任意互换；每个标准中子能谱调节单元内部填充有多个模块化结构，每个模块化结构内部选择性填充所需材料或材料组分，实现对中子能谱的精准梯度调节。本发明可动态精准构建多种类型的复杂中子能谱，为先进核能系统研发及核技术交叉应用研究提供特定中子能谱辐射场。
-
公开(公告)号：CN105810280A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610252492.2
申请日：2016-04-21
申请人： 北京师范大学
IPC分类号： G21H5/00
CPC分类号： G21H5/00
摘要： 本发明提供一种基于硅酸盐玻璃毛细管的中子聚束系统，包括中子源和毛细管中子聚束系统；中子源，用于发出中子束；毛细管中子聚束系统，用于会聚所述中子束；所述毛细管中子聚束系统由多根硅酸盐单毛细管构成，其横截面的轮廓为六角形；多根单毛细管的排列方式是：多根毛细管以中间单毛细管为中心轴，沿垂直于中心轴方向上对称排列，中心轴上的单毛细管曲率为零，越靠近中心轴的单毛细管的曲率越小；沿垂直于中心轴的方向上，每根单毛细管的截面为圆形或正方形，并且在同一个垂直于中心轴平面上，多根单毛细管的截面相同。该系统小巧灵便，便具有很好的实用性。
-
公开(公告)号：CN105551558A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610060976.7
申请日：2016-01-28
申请人： 南京喜悦科技股份有限公司
发明人： 杜玉田
IPC分类号： G21H5/00
CPC分类号： G21H5/00
摘要： 本发明涉及放射源倒装技术领域，尤其是一种放射源加源操作平台，包括提源平台和加源平台，提源平台和加源平台之间设有传递操作杆的传送组件，操作杆用于提源和加源，使用时通过传送组件传递操作杆，摈弃了原来使用绳子拉拽操作杆的方式，更方便、快捷和安全，而且调整工作位置时只需要移动加源平台即可，加源平台上的工作人员无需撤离，所以工位转换时间能够在几秒钟内完成，可以大大加快倒装源关键步骤的操作效率，从而为企业的生产赢得宝贵时间，提升企业效益，此外该放射源加源操作平台成本低、维护方便，不会给企业造成过大经济负担，且一次投入后可多次使用、维护成本低，操作简便安装方便且体积小，适用于辐照室内狭小的空间要求。
-
公开(公告)号：CN101548401B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200780034521.7
申请日：2007-09-18
申请人： 康奈尔研究基金会股份有限公司
IPC分类号： H01L35/00
CPC分类号： G21H5/00 , G01T1/2018 , G01T3/06 , G01T7/00
摘要： 本发明公开了一种自供电的传感器(如100、180、220、400)，该传感器可以发出一启动信号来唤醒处于休眠模式以节省电池电力的电路或系统，以便在紧急情况下进行运算和通信。在湿度传感器装置100中，放射性同位素产生偏压，传感器电容利用该偏压来识别自供电传感器。第一个自供电电容偏置构架160是基于在聚合物电容110的漏电电阻变化，第二个自供电电容偏置构架140是基于聚合物电容器电容值的变化。另一个传感器装置通过传感器电容的漏电电阻或电容值变化来调节MOSFET 114的电导，实现简单可读电子输出信号。本发明中还公开了一温度传感器180和一基于可核裂变物质接近传感器装置400的MEMS悬臂结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.015 秒)
