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公开(公告)号：CN108155200A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711145148.4
申请日：2013-07-29
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约翰·费尔登
CPC分类号： H01J29/385 , G01N21/9501 , G02B21/125 , H01J1/34 , H01J31/26 , H01J31/50 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H01L27/14806 , H01L27/14893
摘要： 本揭露涉及包含具有硼层的硅衬底的光阴极。在具有相对所照射(顶部)表面和输出(底部)表面的单晶硅衬底上形成光阴极。为防止所述硅氧化，使用使氧化和缺陷降到最低的方法将薄(例如，1nm到5nm)硼层直接安置于所述输出表面上，并且然后在所述硼层上方形成低功函数材料层以增强光电子的发射。所述低功函数材料包含碱金属(例如，铯)或碱金属氧化物。在所述所照射(顶部)表面上形成可选第二硼层，并在所述硼层上形成可选抗反射材料层以增强光子进入所述硅衬底中。在所述相对所照射(顶部)表面与输出(底部)表面之间产生可选外部电位。所述光阴极形成新颖传感器和检查系统的一部分。
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公开(公告)号：CN1943000A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011183.6
申请日：2005-04-11
申请人： ITT制造企业公司
CPC分类号： H01J31/48 , G01T1/2957 , H01J31/26 , H01J31/49 , H01J2231/50068 , H01J2231/5016
摘要： 增强型固态成像传感器(41)包括用于将来自图像的光转化成电子的光阴极(54)、用于接收来自光阴极的电子的电子增倍器(53)，以及包括通过电子增倍器的多个通道接收来自电子增倍器的电子的多个像素的固态图像传感器(56)。固态图像传感器自从电子增倍器接收的电子产生增强图像信号。多个通道布置在多个通道图案中，以及多个像素布置在多个像素图案中。将多个通道图案的每一个映射到多个像素图案的相应一个，使得基本上通过多个像素图案的相应一个接收来自多个通道图案的每一个的电子信号。
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公开(公告)号：CN105788997A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610216950.7
申请日：2008-11-07
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN102067264A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880129779.X
申请日：2008-11-07
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN104704640B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201380050971.0
申请日：2013-07-29
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约翰·费尔登
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01J29/385 , G01N21/9501 , G02B21/125 , H01J1/34 , H01J31/26 , H01J31/50 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H01L27/14806 , H01L27/14893
摘要： 在具有相对所照射(顶部)表面和输出(底部)表面的单晶硅衬底上形成光阴极。为防止所述硅氧化，使用使氧化和缺陷降到最低的方法将薄(例如，1nm到5nm)硼层直接安置于所述输出表面上，并且然后在所述硼层上方形成低功函数材料层以增强光电子的发射。所述低功函数材料包含碱金属(例如，铯)或碱金属氧化物。在所述所照射(顶部)表面上形成可选第二硼层，并在所述硼层上形成可选抗反射材料层以增强光子进入所述硅衬底中。在所述相对所照射(顶部)表面与输出(底部)表面之间产生可选外部电位。所述光阴极形成新颖传感器和检查系统的一部分。
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公开(公告)号：CN100397548C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN02819977.4
申请日：2002-10-09
申请人： ITT制造企业公司
CPC分类号： H01J31/26 , G01T1/2957 , H01J31/48
摘要： 增强复合型固态传感器包括一个成像装置，该成像装置包括与一个图像增强器阴极(54)，一个微通道片(MCP)(53)和主体外壳(61)组装在一起的固态传感器(56)。该装置将图像增强器的最好的功能，良好的信噪比和高对数增益与互补金属氧化物半导体(CMOS)或者电荷耦合装置(CCD)的电子读出功能相结合。本发明主要应用于需要良好的弱光灵敏性和高增益的夜视系统。
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公开(公告)号：CN106537596A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580039421.8
申请日：2015-07-15
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种用于检测低光信号的电子轰击检测器，其包含：真空管结构，其界定圆柱形真空管腔室；光电阴极，其安置在所述真空管腔室的第一端处；传感器，其安置在所述真空管腔室的第二端处；环电极，其安置在所述真空管腔室中用于产生使所发射的光电子朝向所述传感器加速的电场；及磁场产生器，其经配置以产生施加聚焦透镜效应于所述光电子上的对称磁场。所述环电极及所述磁场产生器是使用缩短距离聚焦方法及加速/减速方法中的一者而操作，使得所述光电子具有低于2keV的着靶能量。反射模式光电阴极的使用是使用多极偏转器线圈或由分段圆形电极结构形成的环电极而实现。大角度偏转是使用磁偏转器或静电偏转器而实现。
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公开(公告)号：CN103887126A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410085728.9
申请日：2008-11-07
申请人： 浜松光子学株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN107078006A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053589.4
申请日：2015-08-13
申请人： 福通尼斯荷兰公司
发明人： 比约恩·普路易斯
CPC分类号： H01J31/507 , G02B23/12 , H01J29/023 , H01J29/085 , H01J29/481 , H01J29/88 , H01J31/26 , H01J31/49
摘要： 改进的图像增强传感器及包括该改进的图像增强传感器的成像设备。根据本发明，提供了一种用于获取、放大和显示图像且包括真空封壳的图像增强传感器，该图像增强传感器包括：光电阴极，该光电阴极被布置成在从图像获取电磁辐射之后将光电子释放到真空封壳中，该电磁辐射撞击光电阴极；阳极，该阳极与光电阴极分隔放置且与光电阴极处于面对关系，该阳极被布置成接收光电子且转换光电子，用以在此基础之上显示图像；以及电源单元，该电源单元用于将电力提供给图像增强传感器；其中，该图像增强传感器还包括灌封材料，其中，该灌封材料包括泡沫化合物。
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