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公开(公告)号：CN114450636A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080067173.9
申请日：2020-09-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种被配置为保持衬底的衬底台，包括：多个传感器元件，被配置为检测来自投影系统的辐射束，辐射束形成在衬底水平具有细长形状的照射区域，细长形状具有长边缘和短边缘并且限定纵向方向和垂直于纵向方向的横向方向，传感器元件沿着纵向方向布置，其中多个传感器元件被布置为在横向方向上与细长形状的长边缘中的一个相距不同距离。
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公开(公告)号：CN114556167B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202080071117.2
申请日：2020-09-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 约斯特·安德烈·克鲁格斯特 , A·尼基帕罗夫 , W·J·恩格伦 , 廉晋 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , 哈利勒·戈凯·叶根
Abstract: 一种扩散器，所述扩散器被配置成接收和透射辐射。所述扩散器包括散射层(510)，所述散射层被配置成散射所接收的辐射，所述散射层(510)包括第一物质且具有在其中分布的多个空隙。所述第一物质可以是散射物质，或替代地，所述空隙中的至少一个空隙可以包含所述散射物质，并且所述第一物质具有与所述散射物质相比更低的折射率。
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公开(公告)号：CN117581121A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280045908.7
申请日：2022-04-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 公开了用于确定投影系统的像差图的相位步进测量系统的衍射光栅。光栅是二维衍射光栅，用作EUV光刻设备中的晶片级光栅。特别地，衍射光栅包括衬底并且是自支撑的，该衬底设置有圆形贯通孔径(51)的二维阵列。在一些实施例中，可以选择圆形孔径的半径与相邻孔径的中心之间的距离之比，以最小化波前重建算法的增益误差和串扰误差。例如，比率可以在0.34与0.38之间。在一些实施例中，圆形孔径被分布成使得相邻孔径的中心之间的距离是不均匀的并且跨衍射光栅变化。例如，光栅的局部节距可以跨衍射光栅随机变化。
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公开(公告)号：CN112867969A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980068441.6
申请日：2019-09-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 被配置成接收并传输辐射的第一扩散器包括多个层，每个层被布置成通过不同方式改变穿过该层的EUV辐射的角分布。被配置成接收并传输辐射的第二扩散器包括：第一层和第二层。所述第一层由第一材料形成，所述第一层包括位于所述第一层的至少一个表面上的纳米结构。所述第二层由邻近于所述第一层的所述至少一个表面的第二材料形成，使得所述第二层也包括纳米结构。所述第二材料具有与所述第一层的折射率不同的折射率。所述第一扩散器和第二扩散器可以被配置成接收并传输EUV辐射。
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公开(公告)号：CN111699438A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201880085191.2
申请日：2018-12-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·M·G·鲁曼 , T·F·E·M·欧文瑞斯 , W·J·恩格伦
Abstract: 一种使用光学传感器设备(15)的光学测量方法，所述光学传感器设备包括光学元件(20)、光检测器(26)以及支撑件(30)，所述光学元件包括被配置成选择性地透射入射辐射的标记(22)，所述光检测器被配置成接收由所述标记透射的辐射并且提供指示所接收的辐射的输出信号，所述支撑件支撑所述光学元件并且与所述光学元件成热接触。支撑件的热导率大于光学元件的热导率，并且支撑件的热膨胀系数大于光学元件的热膨胀系数。所述方法包括使用光学传感器设备执行第一测量，所述第一测量包括利用辐射照射所述标记。在第一测量期间光学元件的温度改变。支撑件的温度在整个第一测量期间大致恒定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112867971B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201980069319.0
申请日：2019-09-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： V·穆罕默迪 , Y·乔杜里 , P·C·德赫罗特 , W·J·恩格伦 , M·J·P·T·范德霍恩
IPC: G03F7/20 , G02B5/22 , H01L27/146
Abstract: 一种用于减少有害波长的辐射的透射的辐射滤光片。辐射滤光片包括锆和SiN3。辐射滤光片可以形成辐射传感器的一部分，该辐射传感器包括：被布置为接收由辐射滤光片透射的辐射的钝化层、被布置为接收由钝化层透射的辐射的光电二极管以及连接到光电二极管的电路元件。辐射传感器可以作为极紫外光刻设备或光刻工具的一部分来执行光学测量。
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公开(公告)号：CN115917279A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180044128.6
申请日：2021-06-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于相步进测量系统的透射型衍射光栅，该相步进测量系统用于确定投影系统的像差图，该衍射光栅包括吸收层。该衍射光栅用于与具有第一波长的辐射(例如EUV辐射)一起使用。吸收层设置有通孔的二维阵列。吸收层由对于具有第一波长的辐射具有在0.96至1.04范围内的折射率的材料形成。
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公开(公告)号：CN109196420B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201780032851.6
申请日：2017-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： G·F·J·沙斯富特 , P·德格罗特 , M·Y·斯德拉科夫 , M·P·J·M·迪克斯 , J·M·芬德尔斯 , 彼得-詹·范兹沃勒 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·鲍默 , L·C·德温特 , W·J·恩格伦 , M·A·范德柯克霍夫 , R·J·伍德
Abstract: 一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：多个反射区域，被配置为优先反射具有给定波长的辐射；多个吸收区域，被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射；其中所述吸收区域和反射区域被布置成形成在用辐射照射所述标识时从所述标识反射的图案化辐射束，其中所述反射区域包括粗糙化的反射表面，所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射，以及其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为给定波长的八分之一或更大。
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公开(公告)号：CN105794055B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201480066424.6
申请日：2014-11-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·A·尼基佩洛夫 , V·Y·巴宁 , P·W·H·德加格 , G·C·德维雷斯 , O·W·V·弗雷杰恩斯 , L·A·G·格里敏克 , A·卡特勒尼克 , J·A·G·阿克曼斯 , E·R·洛普斯特拉 , W·J·恩格伦 , P·R·巴特莱杰 , T·J·科南 , W·P·E·M·奥普特鲁特
CPC classification number: H01S3/0903 , H01J1/34 , H05H7/08 , H05H2007/084
Abstract: 一种用于提供电子束的注入器装置。注入器装置包括用于提供电子束团的第一注入器和用于提供电子束团的第二注入器。注入器装置可操作为以电子束包括仅由第一注入器提供的电子束团的第一模式和电子束包括仅由第二注入器提供的电子束团的第二模式操作。
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公开(公告)号：CN109196420A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032851.6
申请日：2017-05-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： G·F·J·沙斯富特 , P·德格罗特 , M·Y·斯德拉科夫 , M·P·J·M·迪克斯 , J·M·芬德尔斯 , 彼得-詹·范兹沃勒 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·鲍默 , L·C·德温特 , W·J·恩格伦 , M·A·范德柯克霍夫 , R·J·伍德
CPC classification number: G03F1/24 , G02B5/0278 , G02B5/0284 , G02B5/22 , G02B2005/1804 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F7/706 , G03F7/70683 , G03F9/7076
Abstract: 一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：多个反射区域，被配置为优先反射具有给定波长的辐射；多个吸收区域，被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射；其中所述吸收区域和反射区域被布置成形成在用辐射照射所述标识时从所述标识反射的图案化辐射束，其中所述反射区域包括粗糙化的反射表面，所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射，以及其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为给定波长的八分之一或更大。
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