X射线发生管、X射线发生装置和放射线照相系统

    公开(公告)号:CN105575747B

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201510700386.1

    申请日:2015-10-26

    发明人: 五十岚洋一

    IPC分类号: H01J35/08 H01J35/24

    摘要: 公开了X射线发生管、X射线发生装置和放射线照相系统。X射线发生管包括:包括靶和电气连接到靶的阳极构件的阳极;包括电子发射源和电气连接到电子发射源的阴极构件的阴极;以及在一个端部处接合到阳极构件且在另一个端部处接合到阴极构件以使得靶和电子发射源彼此相对的绝缘管,其中,内周导电膜形成在绝缘管的内表面上;端面导电膜从内周导电膜的所述一个端部侧的一个边缘延伸到绝缘管的所述一个端部的表面上;并且端面导电膜被夹在端面和阳极构件之间以被电气连接到阳极构件。

    X射线发生器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106104745A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201580012096.6

    申请日:2015-03-05

    IPC分类号: H01J35/06 H01J35/30

    摘要: 本发明提供了一个X射线发生器,所述X射线发生器包括多个电子场致发射体(10);一个目标材料(20);多个通电螺线管线圈(40);和一个电能和定时电路,发生器能够给至少一个独立的电磁线圈提供电流以产生一个磁场,在电子到达所述目标材料之前,引起从最接近于通电螺线管线圈的发射器发射的电子路径(100)散焦和/或偏转,并且其中所述目标材料包括一个低原子序数材料和一个高原子序数材料,所述高原子序数材料被置于一个常规模式,这样在使用时,电子可以对准高原子序数材料或低原子序数材料。

    用于透射X射线管的厚标靶

    公开(公告)号:CN103119686B

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201180041159.2

    申请日:2011-08-23

    IPC分类号: H01J35/08

    摘要: 本发明提供一种用于透射x射线管的厚标靶。其涉及50微米以及更厚的厚标靶材料在x射线透射管上的使用;涉及可能的标靶材料组成,包含各种元素以及其合金、共晶合金、化合物或金属间化合物;以及涉及利用此类厚标靶透射x射线管的应用。所述标靶中有至少一部分的厚度是50微米或更大。所述标靶可任选地附接到衬底端窗上,所述衬底端窗基本上可透过x射线,或足够厚而无需此种衬底。应用包含产生高百分比的所述厚标靶的单色线发射x射线,以在剂量减少的医疗成像以及其他非破坏性测试应用中使用。

    不使用放射性化学同位素的可控井下产生离子辐射的设备和方法

    公开(公告)号:CN102597812B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201080047569.3

    申请日:2010-10-20

    发明人: 菲尔·蒂格

    摘要: 一种用于可控井下产生离子辐射(12)的设备,该设备包括:被布置在电绝缘真空容器(9)的第一端部(7a)中的至少一热离子发射器(11),以及被布置在电绝缘真空容器(9)的第二端部(7b)中的轻子靶(6);热离子发射器(11)被连接到一系列串联连接的负电势增加元件(141、142、143、144),所述电势增加元件(141、142、143、144)中的每一个被布置为通过转换施加的驱动电压(VAC)来增加施加的直流电势(δV0,δV1,δV1+2,...,δV1+2+3),并且将增加的负直流电势(δV1,δV1+2,...,δV1+2+3+4)以及驱动电压(VAC)传输到一系列串联连接的元件(141、142、143、144、5)中的下一个单元,并且离子辐射(12)超过200keV且其能谱分布的主要部分处于康普顿范围内。

    放射治疗装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102099081B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN200980128373.4

    申请日:2009-05-15

    IPC分类号: A61B6/00 A61N5/10 A61B6/02

    摘要: 为治疗MV源实现一致的探测KV源-所谓的“射束视角”源是期望的。已建议使用来自电子窗口的轫致辐射;我们提出用于实现此的实际结构,其可以在治疗束和射束视角诊断束之间容易地切换,能够提供良好的图像分辨率。该辐射源包括电子枪,位于由所述电子枪产生的射束的通道中的一对靶,所述一对靶中的一个靶是具有比其他材料更低的原子序数的材料,以及可从所述射束的通道插入并取回的电子吸收器。在优选形式中,电子枪在真空室中,以及该一对靶位于所述真空室的边界。所述较低原子序数的靶可以是镍以及较高原子序数的靶可以是铜和/或钨。所述电子吸收器可以是碳,并可以位于主准直器内,或在可交换地位于所述射束的通道中的多个主准直器之一内。这种辐射源可以被包括在本发明进一步涉及的放射治疗装置内。可以为低能X-射线而不是高能X-射线优化用于该源的平板成像设备。因此,基于碘化铯的板是合适的。