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公开(公告)号：CN103311164A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210121515.8
申请日：2012-04-24
Applicant: 绿阳光电股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/67316 , H01L21/6733 , H01L31/0322 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基板载具用来运载多个背电极基板至一炉腔内，每一背电极基板上形成有一前趋物层，所述炉腔用来提供一制程气体以与所述前趋物层反应形成一光电转换层在每一背电极基板上，所述基板载具包括一耐热金属架体及一第一保护层。所述耐热金属架体具有多个承载槽，用来承载所述多个背电极基板。所述第一保护层形成在所述耐热金属架体上，用来防止所述耐热金属架体发生化学反应。透过基板载具具有耐热金属架体并在耐热金属架体上形成保护层的设计，所述基板载具可具有抗高温及抗特定气体反应腐蚀的特性。
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公开(公告)号：CN1856868A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480015166.5
申请日：2004-04-14
Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: C04B41/459 , C01B32/956 , C01P2006/80 , C04B35/565 , C04B35/62222 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2235/3826 , C04B2235/428 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , H01L21/6733 , Y10T428/12576 , Y10T428/26 , C04B41/4519 , C04B41/4556 , C04B41/5035
Abstract: 公开了各种半导体加工部件及其制造方法。一个实施方式中，半导体加工部件由SiC形成，部件的外表面部分的表面杂质水平不大于体杂质水平的10倍。另一个实施方式中，处理半导体加工部件的方法包括将部件在升高温度下暴露于卤素气体中，氧化所述部件形成氧化层，并除去该氧化层。
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公开(公告)号：CN101527256A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910007098.2
申请日：2004-04-14
Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/683
CPC classification number: C04B41/459 , C01B32/956 , C01P2006/80 , C04B35/565 , C04B35/62222 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2235/3826 , C04B2235/428 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , H01L21/6733 , Y10T428/12576 , Y10T428/26 , C04B41/4519 , C04B41/4556 , C04B41/5035
Abstract: 公开了各种半导体加工部件及其制造方法。一个实施方式中，半导体加工部件由SiC形成，部件的外表面部分的表面杂质水平不大于体杂质水平的10倍。另一个实施方式中，处理半导体加工部件的方法包括将部件在升高温度下暴露于卤素气体中，氧化所述部件形成氧化层，并除去该氧化层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107919308A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711377339.3
申请日：2017-12-19
Applicant: 常州市杰洋精密机械有限公司
Inventor： 吴世钦
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
CPC classification number: H01L21/6733 , H01L21/67023 , H01L21/67326
Abstract: 本发明公开了一种硅片清洗花篮齿杆，包括齿杆主及均匀设置在所述齿杆主上的齿柱，其中所述齿柱垂直于所述齿杆主长度方向的截面为椭圆形，所述齿杆主的两端部设置有连接部，用于连接所述齿杆主与硅片清洗花篮。所述齿杆主的上部均匀的设置有多个凹陷部以及设置在相邻的所述凹陷部之间的凸起平台，且所述凸起平台与所述齿杆主外侧面齐平。替代传统的菱形齿杆，采用半椭圆形齿杆，能够有效减少齿柱在硅片上留下的印痕，另外齿柱为上宽下窄型，便于插入硅片的同时，较窄的底部能够卡住硅片。
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公开(公告)号：CN100479112C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200480015166.5
申请日：2004-04-14
Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: C04B41/459 , C01B32/956 , C01P2006/80 , C04B35/565 , C04B35/62222 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2235/3826 , C04B2235/428 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , H01L21/6733 , Y10T428/12576 , Y10T428/26 , C04B41/4519 , C04B41/4556 , C04B41/5035
Abstract: 公开了各种半导体加工部件及其制造方法。一个实施方式中，半导体加工部件由SiC形成，部件的外表面部分的表面杂质水平不大于体杂质水平的10倍。另一个实施方式中，处理半导体加工部件的方法包括将部件在升高温度下暴露于卤素气体中，氧化所述部件形成氧化层，并除去该氧化层。
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公开(公告)号：CN1942304A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200380105499.2
申请日：2003-10-09
Applicant: 诚实公司
CPC classification number: H01L21/6733 , H01L21/67336 , Y10T428/13 , Y10T428/1352
Abstract: 本发明公开了一种用于处理电子元件的防静电放电危害设备，例如矩阵托盘、芯片托盘、以及基片载体，其由高温高强度聚合物与至少一种金属氧化物以及任选的至少一种颜料的混合物制成。使用金属氧化物作为导电性材料有利于制造出浅色的防静电放电材料。这类材料可以用颜料染色而不损害材料的性能规格。
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公开(公告)号：CN1741885A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN02827606.X
申请日：2002-11-26
Applicant: 诚实公司
CPC classification number: H01L21/67323 , H01L21/6733 , H01L21/67366 , H01L21/67396
Abstract: 一种系统和方法，用来在半导体加工工业中使用的贮运装置(34)、输送器、载体、托盘(36)等装置的模塑工艺中包括诸如碳填充的PEEK之类的薄导电聚合物膜(10)。预定尺寸和形状的导电膜(10)沿模塑腔(22)中与可模塑材料(30)的所希望的目标表面对准的成形表面(26)被有选择地安置。模塑工艺使膜(10)的表面结合到可模塑材料(30)的接触表面，致使膜被永久地粘附到可模塑材料。结果，适合的导电聚合物就能够被有选择地仅仅结合到需要消静电的那些目标表面。
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公开(公告)号：CN1636275A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02827529.2
申请日：2002-11-26
Applicant: 诚实公司
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67323 , H01L21/6733 , H01L21/67346 , H01L21/67366
Abstract: 本发明大体上涉及在用于半导体加工工业的搬运器、运输器、载体、托盘等装置的模制工艺中将较薄的保护包封性热聚物薄膜包括于其中的系统和方法。将预定大小和形状的热塑性薄膜沿着成型面选择性地置于模具型腔中，以便与可模塑材料的所需目标表面对齐。该模制工艺使薄膜表面与可模塑材料的接触面相粘合，从而使薄膜永久性地粘附在可模塑材料上。结果，可以仅在需要有一定性能特征的那些目标表面上选择性地粘附相容性的聚合物薄膜，这些性能特征例如为耐磨性、耐热性、耐化学性、防脱气性、刚性增强性、硬度、蠕变降低性和防流体吸附性等。
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