公开(公告)号：CN105745744A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201380081075.0

申请日：2013-11-25

申请人： 应用材料公司

发明人： A·E·洛珀 ,  S·凯勒 ,  U·舒斯勒 ,  S·邦格特 ,  T·格贝勒 ,  N·施帕茨

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01J37/32724 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4581 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01L21/67316 ,  H01L21/67346 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1896

摘要： 根据本公开案，提供一种半导体基板搬运系统和基板载体。用于支承待处理的基板并用于利用传输装置在处理区域中传输基板或将基板传输通过处理区域的所述基板载体包括：主要部分，所述主要部分用于支承所述基板；第一端部部分，所述第一端部部分适于由所述传输装置来支撑；以及至少一个第一中间部分，所述第一中间部分将所述主要部分与所述第一端部部分连接。所述至少一个第一中间部分包括一或多个切口，所述切口适于减少所述主要部分与所述第一端部部分之间的热能传递。

公开(公告)号：CN101884099B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200880118721.5

申请日：2008-12-15

申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司

发明人： Y·纳伦达 ,  R·F·巴克利

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： C30B35/00 ,  H01L21/67316

摘要： 一种半导体加工部件具有包括碳化硅的一个外表面部分，该外表面部分具有一个表皮杂质水平以及一个本体杂质水平。该表皮杂质水平是进入外表面部分中的从0nm到100nm的深度的平均杂质水平，该本体杂质水平是进入外表面部分中至少3微米的深度上测量的，并且表皮杂质水平不大于本体杂质水平的80％。

公开(公告)号：CN101884099A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118721.5

申请日：2008-12-15

申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司

发明人： Y·纳伦达 ,  R·F·巴克利

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： C30B35/00 ,  H01L21/67316

摘要： 一种半导体加工部件具有包括碳化硅的一个外表面部分，该外表面部分具有一个表皮杂质水平以及一个本体杂质水平。该表皮杂质水平是进入外表面部分中的从0nm到100nm的深度的平均杂质水平，该本体杂质水平是进入外表面部分中至少3微米的深度上测量的，并且表皮杂质水平不大于本体杂质水平的80％。

公开(公告)号：CN107995998A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201680031736.2

申请日：2016-04-01

申请人： 商先创国际股份有限公司

发明人： 麦可·科利克 ,  拉尔夫·罗特 ,  韦费德·莱尔希 ,  约翰尼斯·雷利

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C14/34 ,  B65G21/20 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/28 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67316

摘要： 用于盘状晶圆的等离子体处理的晶舟，盘状晶圆尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆；及一种晶圆用等离子体处理装置。晶舟包括：多个第一载体元件，平行于彼此而定位，每一载体元件具有用于固持晶圆或晶圆对的边缘的多个载体缝隙；以及多个第二载体元件，平行于彼此而定位，多个第二载体元件各自导电且具有用于固持至少一个晶圆或一个晶圆对的边缘区的至少一个凹痕。替代性晶舟包括多个导电板状载体元件，多个导电板状载体元件平行于彼此而定位且小于待携载的晶圆的高度的一半，载体元件各自在其对置侧上具有用于固持晶圆的至少三个载体元件。晶舟可固持于等离子体处理装置的处理腔室中，且等离子体处理装置包括控制或调节处理腔室中的处理气体气氛的工具，且等离子体处理装置亦包括至少一个电压源，至少一个电压源可以合适方式而与晶舟的导电载体元件连接以便在固持于晶舟中的直接邻近晶圆之间供应电压。

公开(公告)号：CN102347211B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201110205811.1

申请日：2011-07-21

申请人： 思阳公司

发明人： 保罗·亚历山大 ,  于尔格·施密茨贝格尔 ,  阿希什·坦登 ,  罗伯特·D·维廷

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/67316 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/6734 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了保持用于热处理的多个平面基板的方法和设备。该方法利用具有基架的舟夹具，该基架包括两个长度部分以及第一宽度部分、第二宽度部分、和连接在两个长度部分之间的一个或多个中间构件。此外，该方法包括：将可拆卸的第一带槽棒分别安装在第一宽度部分、第二宽度部分、和一个或多个中间构件的每一个上，每个第一带槽棒具有特征在于第一空间配置的第一多个凹槽。该方法进一步包括：将多个平面基板中的一个或两个基板隔开一距离插入舟夹具内的每个凹槽内。

公开(公告)号：CN103311164A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210121515.8

申请日：2012-04-24

申请人： 绿阳光电股份有限公司

发明人： 李适维 ,  林清儒 ,  锺青源 ,  林明弘 ,  黄伟民 ,  邱振海

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/67316 ,  H01L21/6733 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种基板载具用来运载多个背电极基板至一炉腔内，每一背电极基板上形成有一前趋物层，所述炉腔用来提供一制程气体以与所述前趋物层反应形成一光电转换层在每一背电极基板上，所述基板载具包括一耐热金属架体及一第一保护层。所述耐热金属架体具有多个承载槽，用来承载所述多个背电极基板。所述第一保护层形成在所述耐热金属架体上，用来防止所述耐热金属架体发生化学反应。透过基板载具具有耐热金属架体并在耐热金属架体上形成保护层的设计，所述基板载具可具有抗高温及抗特定气体反应腐蚀的特性。

公开(公告)号：CN106571322A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201510643734.6

申请日：2015-10-08

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 匡锡文

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67316 ,  H01J37/32467

摘要： 本发明提供了一种盖板、承载装置及等离子体加工设备，其盖板采用立方氮化硼制作。本发明提供的盖板，其具有良好的导热性能、较高的硬度且不与等离子体发生反应等优势，从而不仅可以减小盖板与托盘之间的温差，提高使用寿命，而且不会改变反应腔室内的等离子体状态，即等离子体的含量、刻蚀选择比和刻蚀速率等因素不会受到影响，从而可以保证工艺结果。

公开(公告)号：CN106030778A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201480074104.5

申请日：2014-12-19

申请人： 山特森光伏AG

发明人： 安德利斯·里查 ,  安德利斯·凯勒

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67316 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67313

摘要： 本发明提供一种用于收纳晶片的晶片装载皿及用于处理半导体晶片的设备。晶片装载皿包括：由石英制成的至少两个细长收纳元件，每一收纳元件具有多个平行收纳槽，收纳槽横切于收纳元件的纵向延伸而延伸；以及两个端板，收纳元件配置并附接于两个端板之间，使得收纳元件的收纳槽彼此对准。为增加晶片装载皿的稳定性，晶片装载皿包括多个附接零件，收纳元件经由附接零件附接至端板，其中每一附接零件的圆周为包括接收槽的收纳元件的收纳区段的圆周的至少1.5倍，且其中每一附接零件经焊接或接合至以下各物中的至少一个：端板及收纳元件。在可与以上实施例组合的另外实施例中，收纳元件各自具有邻近于端板的至少一个松弛槽、较佳具有至少两个松弛槽，所述松弛槽的深度小于收纳槽的深度，其中当提供至少两个松弛槽时，松弛槽的深度随距端板的距离增加而增加。

公开(公告)号：CN103904016A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410135844.7

申请日：2014-04-04

申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司

发明人： 操国宏 ,  刘锐鸣 ,  邹冰艳 ,  吴煜东 ,  戴小平

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67316

摘要： 本发明提出了一种走线单元，包括本体，以及沿水平方向等间距形成在所述本体上的多个用于承载硅片的承片槽；所述承片槽均在水平方向上朝向同一方向倾斜设置，并且所述承片槽的任一侧壁所在的平面和与水平方向垂直的竖直平面之间均形成相同的第一预设夹角；其在本体上形成有朝向同一方向倾斜的多个承片槽，并且承片槽的侧壁所在平面和水平方向垂直的竖直平面之间形成的相同的第一预设夹角，当把相同厚度的硅片分别放置在多个承片槽内，硅片均朝向同一方向倾斜，并且倾斜的角度均大致相等，从而使得硅片之间的间距的一致性较高，进而提高了各个硅片之间的杂质扩散的均匀性。

公开(公告)号：CN105870044A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610206123.X

申请日：2016-04-01

申请人： 东莞市中镓半导体科技有限公司

发明人： 罗睿宏 ,  梁智文 ,  张国义

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67316

摘要： 本发明一种自调导热使温度分布均匀化的MOCVD大尺寸石墨托盘，利用在石墨托盘背面设置的、其对热辐射的反射性与石墨材质不同的、其厚度随原温(即样品槽原先温度)不同区而阶梯形变化的其他材料涂层；或利用在石墨托盘石墨材质里掺入的，其导热性与石墨材质不同的、其掺合比随原温不同区而阶梯形变化的其他材料掺入区；以此结构，自行调节石墨托盘的导热量，使石墨托盘样品槽的表面温度均匀化，从而减弱大尺寸衬底在高温时热膨胀引起的应力，以适应大尺寸衬底在高温外延生长时的温度均匀性要求。本发明大尺寸石墨托盘，在大尺寸衬底外延时，其温度均匀性好、工艺制程简单、容易扩大生产工艺窗口，利于大规模生产及其稳定性。