公开(公告)号：CN109478504A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780034375.1

申请日：2017-06-02

申请人： IQE公司

发明人： 安德鲁·克拉克 ,  吕蒂斯·达吉斯 ,  迈克尔·莱比 ,  罗德尼·佩尔策尔

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02491 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0505 ,  H01L2924/0525 ,  H01L2924/0545 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10335 ,  H01S3/09 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1605 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1628 ,  H01S3/1655 ,  H01S5/30 ,  H01S5/3031 ,  H01S2301/17

摘要： 本文所述的系统和方法可以包括具有第一晶格常数的第一半导体层，在第一半导体上外延生长的稀土磷属元素化物缓冲层，其中与第一半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第一区域具有小于1％的净应变，在稀土磷属元素化物缓冲层上外延生长的第二半导体层，其中与第二半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第二区域具有作为所需应变的净应变，并且其中稀土磷属元素化物缓冲层可以包括一种或多种稀土元素以及一种或多种V族元素。在一些示例中，期望的应变近似为零。