专利检索 cpc:"H01L2224/291" 第 1 页

1.

发明授权
电子部件失效

公开(公告)号：CN106663641B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580042313.6

申请日：2015-08-05

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 藤井义磨郎 , 小栗洋 , 坂本明 , 田口智也

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/12

CPC分类号： H01L24/73 , H01L23/12 , H01L23/15 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/103 , H01L2224/0347 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05644 , H01L2224/05669 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/2747 , H01L2224/28105 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29018 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83469 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014

摘要： 本发明的电子部件(1A)包含基板(10)、多层导电性金属材料层(21、22、23)的层叠体(20)、由Au‑Sn合金焊料构成的焊料层(30)。层叠体(20)配置于基材(10)上。焊料层(30)配置于层叠体(20)上。作为构成最外层的导电性金属材料层(23)，层叠体(20)具有由Au构成的表面层。表面层包含供配置焊料层(30)的焊料层配置区域(23a)、及不配置焊料层(30)的焊料层非配置区域(23b)。焊料层配置区域(23a)与焊料层非配置区域(23b)空间性地隔开。

2.

发明授权
提高了板级可靠性的晶片级封装装置有权

公开(公告)号：CN104900544B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510093046.7

申请日：2015-03-02

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： P·R·哈珀 , M·梅森 , A·V·萨莫伊洛夫

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/492

CPC分类号： H01L24/14 , H01L21/561 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/03334 , H01L2224/0346 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05005 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/131 , H01L2224/16058 , H01L2224/161 , H01L2224/291 , H01L2224/32058 , H01L2224/321 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/0645 , H01L2924/0665 , H01L2924/0695 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014

摘要： 本发明描述了一种晶片级封装装置、电子装置和用于制造该晶片级封装装置的制造方法，该方法包括在晶片级封装装置上形成暴露的引线末端，以便当将晶片级封装装置结合到另一电部件时提供焊料支撑结构。在各实现方式中，晶片级封装装置包括至少一个集成电路管芯、金属垫、第一电介质层、再分布层、第二电介质层、柱结构、模制层、柱层、和镀覆层，其中柱层被锯切以在晶片级封装装置的至少两个侧面上形成垫触头。暴露的垫触头便于形成焊料角焊缝和支撑结构，结果得到改善的板级可靠性。

3.

发明授权
功率模块以及功率模块的制造方法失效

公开(公告)号：CN105765715B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201480064539.1

申请日：2014-07-31

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 田屋昌树

IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/60 , H01L21/607 , H01L23/28 , H01L25/18

CPC分类号： H01L23/053 , H01L21/4853 , H01L23/24 , H01L23/293 , H01L23/3142 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L23/535 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/04026 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2224/35847 , H01L2224/37005 , H01L2224/37011 , H01L2224/37012 , H01L2224/37032 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/4007 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/4046 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48245 , H01L2224/73263 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84205 , H01L2224/84447 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/35121 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/207 , H01L2924/2076

摘要： 本发明得到提高制造成品率并且确保稳定的接合强度来提高可靠性的功率模块。种功率模块,具备:基体材料部(3),在个面形成电极部(4);导体部(5),与该基体材料部(3)的形成有电极部(4)的个面对置地配置,并与外部电连接;以及布线部(7),接合到形成于基体材料部(3)的个面的电极部(4)和导体部(5)的与基体材料部(3)的个面对置的面,对电极部(4)和导体部(5)进行电连接。

4.

发明授权
半导体器件失效

公开(公告)号：CN104716256B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410783835.9

申请日：2011-11-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 渡边敬仁 , 山道新太郎 , 牛山吉孝

IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02

CPC分类号： H01L23/58 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/552 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/97 , H01L27/224 , H01L2223/54426 , H01L2224/0401 , H01L2224/16225 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/2916 , H01L2224/2919 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/1435 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 一种半导体器件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面、以及布置在所述第一主表面和所述第二主表面之间的侧表面，所述半导体芯片包括磁存储器件，第一磁屏蔽，所述第一磁屏蔽覆在所述第一主表面上；第二磁屏蔽，所述第二磁屏蔽覆在所述第二主表面上；以及第三磁屏蔽，所述第三磁屏蔽覆在所述侧表面上，其中所述第一磁屏蔽和所述第二磁屏蔽经由所述第三磁屏蔽机械连接屏蔽经由所述第三磁屏蔽机械连接。

5.

发明授权
电子模块的制造有权

公开(公告)号：CN104867863B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510067672.9

申请日：2015-02-09

申请人： 西门子公司

发明人： 米夏埃尔·莱佩纳特 , 龙尼·维尔纳

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49811 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/75 , H01L24/77 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L25/18 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/3701 , H01L2224/37147 , H01L2224/4005 , H01L2224/40227 , H01L2224/40499 , H01L2224/4103 , H01L2224/41051 , H01L2224/75315 , H01L2224/75983 , H01L2224/773 , H01L2224/77328 , H01L2224/77983 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/84138 , H01L2224/84201 , H01L2224/84447 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2224/9221 , H01L2224/92246 , H01L2224/92255 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/00012 , H01L2924/06 , H01L2224/83 , H01L2224/84

摘要： 本发明涉及一种用于制造电子模块(L)、特别是功率电子模块的方法(S1‑S8)，所述方法包括至少一个半导体芯片(3，4)与至少一个引线框架(1)的触点接通，其中，半导体芯片(3，4)在其上侧(7)上并且在其下侧(6)上分别具有至少一个电接口(8，9)，并且至少一个引线框架(1)直接触点接通(S5)所述侧之一的所述接口(8，9)。一种电子模块(L)借助于所述方法(S1‑S8)来制造。本发明特别是能够应用在功率电子模块上。

6.

发明授权
半导体装置有权

公开(公告)号：CN104681541B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201410709725.8

申请日：2014-11-28

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 小山英寿

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/4827 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/039 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05179 , H01L2224/05187 , H01L2224/05561 , H01L2224/05564 , H01L2224/05644 , H01L2224/29022 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/054 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/05341 , H01L2924/0539 , H01L2924/01027 , H01L2924/0105 , H01L2224/034

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b)，在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成，以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部，与Ni层的一部分及Au层(19)接触。

7.

发明授权
功率半导体模块和复合模块失效

公开(公告)号：CN105765716B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201580002601.9

申请日：2015-04-01

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 崛元人 , 池田良成

IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/29 , H01L25/18

CPC分类号： H01L25/115 , H01L23/049 , H01L23/053 , H01L23/15 , H01L23/16 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/48 , H01L23/4924 , H01L23/49805 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/5386 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2023/4087 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16237 , H01L2224/16257 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/17747 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/014 , H01L2224/48

摘要： 功率半导体模块(1)在筐体(2)内具备将半导体元件(5)的正面电极与绝缘基板(3)的电路板(33)电连接的布线部件(10)。设置在筐体(2)的第二树脂(15)覆盖布线部件(10)，并且设为布线部件(10)附近的高度。在筐体(2)内的第二树脂(15)与第一盖(12)之间设有覆盖外部端子(9a)、(9b)周围的罩(13)。在筐体(2)的开口部设有比第一盖(12)更靠近外侧的第二盖(14)，在第二盖(14)与第一盖(12)之间填充有第一树脂(11)。

8.

发明授权
半导体装置及半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN105009266B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201380074382.6

申请日：2013-10-04

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 中田洋辅 , 中野诚也

IPC分类号： H01L21/60 , H05K3/34

CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/49531 , H01L23/49562 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/0345 , H01L2224/0347 , H01L2224/03848 , H01L2224/04026 , H01L2224/05007 , H01L2224/05011 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05563 , H01L2224/05565 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/26145 , H01L2224/29027 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32257 , H01L2224/33181 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/4878 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/831 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2224/03 , H01L2924/00

摘要： 元件电极(103)设置于半导体元件(101)的表面。金属膜(105)设置于元件电极(103)上，并具有内侧区域(105a)和位于内侧区域(105a)周围的外侧区域(105b1)。在金属膜(105)中设置有在内侧区域(105a)及外侧区域(105b1)之间将元件电极(103)露出的开口(TR)。元件电极(103)具有比金属膜(105)的焊料浸润性低的焊料浸润性。外部电极(117)与金属膜(105)的内侧区域(105a)进行焊料接合。

9.

发明授权
半导体组件用冷却器的制造方法、半导体组件用冷却器、半导体组件和电驱动车辆有权

公开(公告)号：CN105308742B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480032521.3

申请日：2014-11-17

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 乡原广道 , 新井伸英

IPC分类号： H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K7/20

CPC分类号： B60L11/002 , B23P15/26 , B60K1/00 , B60K2001/003 , B60Y2400/61 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H05K7/205 , H05K7/20927 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 半导体组件用冷却器包括：外观呈长方体形状的、在一侧固定有流速调整板(22)的散热器(5)；在外表面接合半导体元件(2A～2C)的散热板(3)；和呈托盘形状的冷却套(4)，其中，从冷媒导入部(14)将冷媒导入的冷媒导入流路(16)和将冷媒排出至冷媒排出部(15)的冷媒排出流路(17)相互平行地延伸，并且在该冷媒导入流路和冷媒排出流路之间设置有冷却用流路(18)。而且，在冷却套的冷却用流路，以使流速调整板在冷却用流路与冷媒排出流路的边界位置延伸，并且设置于散热器的多个流路与冷媒导入流路和冷媒排出流路正交地延伸的方式配置散热器，以封闭冷却套的开口部的方式固定散热板。