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公开(公告)号：CN1150597C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN97119557.9
申请日：1993-02-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 雷吉夫·V·乔西 , 杰罗姆·J·库欧莫 , 霍玛兹雅·M·达拉尔 , 路易斯·L·苏
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76838 , H01L21/7684 , H01L21/76847 , H01L21/76849 , H01L21/76852 , H01L21/76877 , H01L23/49866 , H01L23/53223 , H01L23/53228 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S148/015 , Y10S257/915 , Y10S438/959 , H01L2924/00
摘要： 一种在具有大的高宽比的亚微米孔及线路中形成衬垫的方法包括下列步骤：通过准直器把难熔金属或合金在散射淀积占优势的气压下溅射到介质中具有大的高宽比的亚微米孔或线路中，以形成一个共形涂覆层，即衬垫。
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公开(公告)号：CN1111908C
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN97119558.7
申请日：1993-02-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 雷吉夫·V·乔西 , 杰罗姆·J·库欧莫 , 霍玛兹雅·M·达拉尔 , 路易斯·L·苏
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76838 , H01L21/7684 , H01L21/76847 , H01L21/76849 , H01L21/76852 , H01L21/76877 , H01L23/49866 , H01L23/53223 , H01L23/53228 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S148/015 , Y10S257/915 , Y10S438/959 , H01L2924/00
摘要： 一种包括一介质层；至少一个位于介质层中具有侧壁和底部的、高宽比大的亚微米孔或线路，以及在该至少一个孔中或线路上的基本共形的衬垫的半导体器件，且其底部的衬垫厚度大于侧壁的衬垫厚度。
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公开(公告)号：CN101228617B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200680026567.X
申请日：2006-07-19
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45534 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/28061 , H01L21/3141 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L28/75 , H01L29/4941 , Y10S257/915
摘要： 使用原子层沉积(ALD)形成导电性氮化钛层会产生用于多种电子装置中的可靠结构。通过使用例如TDEAT等含有钛的前体化学品，随后使用氨与一氧化碳的混合物或单独使用一氧化碳，借助原子层沉积将氮化钛沉积到衬底表面上，并进行重复以形成连续沉积的TiN结构，而形成所述结构。此TiN层可用作例如铝或铜等另一导体下方的扩散势垒，或用作铝导体上方的电迁移阻止层。ALD沉积的TiN层具有低电阻率、平滑拓扑、高沉积速率和优良的阶梯覆盖以及电气连续性。
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公开(公告)号：CN1044649C
公开(公告)日：1999-08-11
申请号：CN93101333.X
申请日：1993-02-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 雷吉夫·V·乔西 , 杰罗姆·J·库欧莫 , 霍玛兹雅·M·达拉尔 , 路易斯·L·苏
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76838 , H01L21/7684 , H01L21/76847 , H01L21/76849 , H01L21/76852 , H01L21/76877 , H01L23/49866 , H01L23/53223 , H01L23/53228 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S148/015 , Y10S257/915 , Y10S438/959 , H01L2924/00
摘要： 本发明一般涉及电的导体线与通路的制法。采用物理汽相淀积低电阻率金属或合金之后接着化学汽相淀积难熔金属与随后的平整化两者的结合可制出优良的导线和通路。CVD施加难熔金属盖时，改变SiH4与WF6之比可以控制硅掺入钨的盖层的量。准直溅射可在介质开口产生难熔金属衬垫，适合于作铜基金属化以及CVD钨的扩散阻挡层。
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公开(公告)号：CN1039562C
公开(公告)日：1998-08-19
申请号：CN93120818.1
申请日：1993-12-10
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 李相忍
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76856 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L23/532 , H01L2924/0002 , Y10S257/915 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体器件及其制造方法，此器件带有一形成在半导体晶片上的扩散势垒层，其上还用硅烷等离子工艺或反应溅射方法形成了一甲硅烷基化层。在甲硅烷基化层上形成金属层时，扩散势垒层与金属间的沾润度增强并形成大的晶粒，从而提高了金属层对接触孔或通孔的覆盖。此外，在甲硅烷基化层上形成金属层后进行热处理时，金属层的回流特性变好，从而易于填充接触孔或通孔。用此法可获得高可靠性的布线层并可免去后续的烧结工序。
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公开(公告)号：CN1090091A
公开(公告)日：1994-07-27
申请号：CN93120818.1
申请日：1993-12-10
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 李相忍
CPC分类号： H01L21/76856 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L23/532 , H01L2924/0002 , Y10S257/915 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体器件及其制造方法，此器件带有一形成在半导体晶片上的扩散势垒层，其上还用硅烷等离子工艺或反应溅射方法形成了一甲硅烷基化层。在甲硅烷基化层上形成金属层时，扩散势垒层与金属间的沾润度增强并形成大的晶粒，从而提高了金属层对接触孔或通孔的覆盖。此外，在甲硅烷基化层上形成金属层后进行热处理时，金属层的回流特性变好，从而易于填充接触孔或通孔。用此法可获得高可靠性的布线层并可免去后续的烧结工序。
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公开(公告)号：CN1012310B
公开(公告)日：1991-04-03
申请号：CN86103067
申请日：1986-04-30
申请人： 得克萨斯仪器公司
IPC分类号： H01L21/90 , H01L23/485 , H01L27/02
CPC分类号： H01L27/11526 , H01L21/76895 , H01L27/105 , H01L27/10844 , H01L27/1108 , H01L27/11543 , Y10S257/915
摘要： 在氮气氛中对暴露的壕和棚极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。
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公开(公告)号：CN101228617A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200680026567.X
申请日：2006-07-19
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45534 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/28061 , H01L21/3141 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L28/75 , H01L29/4941 , Y10S257/915
摘要： 使用原子层沉积(ALD)形成导电性氮化钛层会产生用于多种电子装置中的可靠结构。通过使用例如TDEAT等含有钛的前体化学品，随后使用氨与一氧化碳的混合物或单独使用一氧化碳，借助原子层沉积将氮化钛沉积到衬底表面上，并进行重复以形成连续沉积的TiN结构，而形成所述结构。此TiN层可用作例如铝或铜等另一导体下方的扩散势垒，或用作铝导体上方的电迁移阻止层。ALD沉积的TiN层具有低电阻率、平滑拓扑、高沉积速率和优良的阶梯覆盖以及电气连续性。
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公开(公告)号：CN1069446C
公开(公告)日：2001-08-08
申请号：CN95117116.X
申请日：1995-09-01
申请人： 株式会社东芝
发明人： 松能正
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53257 , H01L21/31629 , H01L21/76801 , H01L21/76838 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , Y10S257/915 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体器件包括一个衬底、一个在该衬底上面形成的并包含有硅氟键的绝缘膜，和一个在该绝缘膜上形成的钛-基金属布线层，该钛-基金属布线层包含有从绝缘膜扩散来的氟并且具有小于1×1020atoms/cm3的氟浓度。
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公开(公告)号：CN1202273A
公开(公告)日：1998-12-16
申请号：CN96198410.4
申请日：1996-09-30
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/2855 , H01L21/76838 , H01L21/76841 , H01L21/7685 , H01L23/53223 , H01L2221/1078 , H01L2924/0002 , Y10S257/915 , H01L2924/00
摘要： 在集成电路中用作互连结构的金属堆栈中的一种改进。该改进包括在钛层和诸如铝铜合金的体导电层接触的界面捕获在钛层中的氮。捕获氮阻止了铝化钛的大量形成,从而降低了电流密度,还改善了堆栈的电迁移特性。现行优选的是,氮被捕获在钛层的最初大约30A中。
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