-
公开(公告)号：CN115385339A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202111169413.9
申请日：2021-10-08
申请人： 江苏艾博新能源科技有限公司
IPC分类号： C01B33/025 , C01B33/039
摘要： 本发明公开了一种太阳能光伏产业用超纯硅的制备方法，包括以下步骤：S1、选料，在石英石矿坑选取石英石矿石10‑20份，检测选用二氧化硅含量在90％以上的石英石矿石；S2、将S1中的原材料放入专用的清洗容器中，利用高压水枪，持续翻转清洗烘干；S3、将S2中清洗后的原材料放入粉碎机中粉碎，获得石英石粉末材料10‑20份；S4、将S3中的原料装入石英煅烧炉中，先用氮气除尽炉内的空气，在950‑1050℃进行煅烧3‑6小时；本发明采用该制备方法生产超纯硅材料,以超纯硅材料生产太阳能光伏产品,满足国内太阳能光伏产业及其他高新技术行业发展的需要,打破太阳能光伏产业所需超纯硅材料依赖进口的被动局面。
-
公开(公告)号：CN102317208B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201080003438.5
申请日：2010-11-08
申请人： 株式会社KCC
IPC分类号： C01B33/04 , C01B33/039
CPC分类号： C01B33/046
摘要： 提供的是一种纯化甲硅烷的方法。更具体地说，所述方法包括：通过分馏从含有甲硅烷和乙烯的原料中去除杂质(操作1)；通过使在操作1中纯化的原料穿过活性炭来去除乙烯和剩余杂质(操作2)。根据所述方法，可以通过使用活性炭选择性地吸附难以通过分馏分离的乙烯来更简单地且更有效地获得高纯度甲硅烷，而没有另外产生副产物。
-
公开(公告)号：CN101372335B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710120468.4
申请日：2007-08-20
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/039 , C01B33/03 , F25J3/00 , B01D53/14 , C01B3/50 , C01B7/07 , C01B33/107
摘要： 一种改进的多晶硅生产方法，包括以工业硅和氯化氢为原料，反应生成三氯氢硅，所述三氯氢硅经提纯后，送入还原炉与氢气反应，还原生成多晶硅，并收集尾气，其中所述尾气主要包括氢气、氯化氢、和氯硅烷，所述氯硅烷主要包括二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅，所述改进的多晶硅生产方法还包括对所述尾气中的氯化氢进行回收循环利用的步骤，并将回收的氯化氢投入多晶硅生产过程中与工业硅反应生成三氯氢硅。本发明采用干法处理将尾气中的氯化氢回收，并可再用于多晶硅生产中，原料得以充分的利用，减少了污染物，解决了环境污染问题，提高了产品质量，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN101311115A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200710107697.2
申请日：2007-05-25
申请人： 全球晶体有限公司
发明人： 张振威
IPC分类号： C01B33/039 , C01B33/037
摘要： 本发明公开了一种工业硅材料纯化清洗制造方法，将工业级硅粒筛选与洗净，以适当的条件进行多次的氧化还原反应、化学凝结、熔融成块、粉碎硅粒块等步骤，使最初的硅粒至少可达到99.9999％的硅纯度。本发明的工业硅材料纯化清洗制造方法避免使用过高温的制程，仅以较为简化的化学反应来纯化硅，可使所获得的硅结晶结构较为整齐且降低其中的热应力缺陷，同时达到令人满意的硅纯度要求。
-
公开(公告)号：CN101186298A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710070694.6
申请日：2007-09-06
申请人： 吴振华
IPC分类号： C01B33/025 , C01B33/039
摘要： 本发明公开了一种晶体硅的提炼提纯方法，包括：1)加料：在夹套坩锅的小坩埚中加入二氧化硅，大坩埚与小坩埚之间的夹缝中加活性炭和催化剂；2)高温催化反应：把夹套坩埚放在高温炉内进行高温催化，得到初级晶体硅；3)液化反应：把初级晶体硅放在密闭的玻璃容器内，然后通入氯气，使之液化，变为液态氯化硅；4)过滤提纯：把液态氯化硅冷却，而后过滤；5)还原置换：滤液再放入密闭的玻璃容器内，通入氢气还原，即得到高纯度晶体硅；6)冷却烘干：把上述晶体硅冷却烘干，得到成品晶体硅。本发明提练的晶体硅纯度高，可用于制作各种太阳能光伏电池。本发明提练的晶体硅所生产出的单晶硅可用作生产各种IC芯片。
-
公开(公告)号：CN115771896B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211676950.7
申请日：2022-12-26
申请人： 宁夏润阳硅材料科技有限公司
IPC分类号： C01B33/039 , C01B33/035
摘要： 一种多晶硅的生产还原方法及多晶硅，其包括：步骤S1：将原料工业硅粉加入研磨反应器；通过称重传感器控制研磨过程，得到硅粉小颗粒；步骤S2：将硅粉小颗粒加入流化床反应器，通入HCl气体并保温反应以得到SiHCl3；步骤S3：将得到的SiHCl3加入还原炉中进行氢还原反应，生成沉淀于硅芯上的多晶硅，形成多晶硅棒；本发明通过智能化控制,减少了物料损耗和生产步骤,提高了还原效率,使得多晶硅棒的沉积速度均衡稳定,成品质量稳定。
-
公开(公告)号：CN115771896A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211676950.7
申请日：2022-12-26
申请人： 宁夏润阳硅材料科技有限公司
IPC分类号： C01B33/039 , C01B33/035
摘要： 一种多晶硅的生产还原方法及多晶硅，其包括：步骤S1：将原料工业硅粉加入研磨反应器；通过称重传感器控制研磨过程，得到硅粉小颗粒；步骤S2：将硅粉小颗粒加入流化床反应器，通入HCl气体并保温反应以得到SiHCl3；步骤S3：将得到的SiHCl3加入还原炉中进行氢还原反应，生成沉淀于硅芯上的多晶硅，形成多晶硅棒；本发明通过智能化控制,减少了物料损耗和生产步骤,提高了还原效率,使得多晶硅棒的沉积速度均衡稳定,成品质量稳定。
-
公开(公告)号：CN110540207A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910882588.0
申请日：2019-09-18
申请人： 上海应用技术大学
IPC分类号： C01B33/021 , C01B33/033 , C01B33/039 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)以工业固废氯化钠为原料，制备氯气和氢氧化钠；2)将氢氧化钠在高温下熔融电解，制得钠；3)通过氯气与工业硅进行碳热还原反应，或对西门子法制备高纯硅工艺的四氯化硅尾气进行净化得到四氯化硅；4)将步骤2)中制得的钠与步骤3)中制得的四氯化硅混合，并在高温下反应，即制得纳米硅材料。与现有技术相比，本发明综合利用廉价的氯化钠工业废物和具有污染性的四氯化硅气体，使得废旧资源得到综合利用，有效改善了环境污染性，制备出高纯纳米硅和高纯钠，应用范围宽，工业化实现可行性强，实现了低附加值的材料变为超高附加值的材料。
-
公开(公告)号：CN109455721A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811631975.9
申请日：2018-12-29
申请人： 厦门大学
IPC分类号： C01B33/039
摘要： 本发明属于硅材料领域，具体公开了一种多孔硅材料及其制备方法。该方法包括：(1)将切割粉于550～650℃煅烧0.5～5h，得煅烧切割粉；(2)将煅烧切割粉酸洗，得酸洗产物；(3)将酸洗产物水洗至中性，于50～100℃下真空干燥，得干燥产物；(4)将干燥产物与金属氯化物按1:(0.5～5)质量比与水混合，溶解，干燥，得产物A；(5)将产物A与镁粉按(0.5～5):1质量比混合，得硅镁混合物；(6)将硅镁混合物于600～700℃煅烧1～5h，得煅烧产物；(7)将煅烧产物酸洗，水洗，干燥。本发明采用将提纯和镁热还原相结合工艺实现对金刚线切割硅粉的有效回收再利用，成功制备出高纯纳米多孔硅材料这一高附加值产品，所得的多孔硅材料具有较大的比表面积，解决了工业上大量废弃切割粉难以处理的问题。
-
公开(公告)号：CN107416840A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710496817.6
申请日：2017-06-26
申请人： 张兆民
发明人： 张兆民
IPC分类号： C01B33/039
摘要： 本发明涉及多晶硅料提纯技术领域，特别是一种多晶硅料提纯方法，包括以下步骤，三氯氢硅的合成，通过硅粉与氯化氢合成三氯氢硅；三氯氢硅的提纯，先将三氯氢硅进行前一级粗馏，然后再进行后一级精馏；多晶硅料的提纯，用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅。采用上述配方后，本发明的多晶硅料提纯方法一方面有效的去除了多晶硅料中的杂质，使得多晶硅料纯度更高；另一方面提纯的多晶硅能够完全满足太阳能电池的需求；提纯的废弃物可以循环使用，不破坏环境。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
58 条记录 (耗时 0.013 秒)
