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公开(公告)号：CN118957758A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411012504.5
申请日：2024-07-26
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明提供一种化合物硼硫酸锂钠制备方法和用途，所述化合物的化学式为Li2NaB3S2O12，分子量为325.43，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为a=11.6720Å，b=8.2574Å，c=9.6126Å，α=β=90°，γ=97.940°，单胞体积为917.58Å3，采用固相合成法，高温熔液法或水热法制成。本发明所述的硼硫酸锂钠在空气中不潮解，在463℃以下是稳定的，截止吸收边184nm，在1064nm处的实验双折射达0.057，与理论计算值0.052基本吻合，而在200nm处的计算双折射达0.121，因此有望作为深紫外双折射晶体材料。
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公开(公告)号：CN118938373A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410573640.5
申请日：2024-05-10
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： G02B5/30 , G02B1/10 , G02B1/14 , G02B1/08 , G02F1/1337 , G02F1/13363 , G02F1/1335
摘要： 本发明提供能够抑制起因于孔痕迹的外观不良的发生的圆偏振片的制造方法。该制造方法具备工序Sa、工序Sb、工序Sc以及工序Sd。在工序Sa中，准备依次具备第一保护膜(11)、第一起偏器保护层(12)、起偏器(13)、及具有贯通孔(14a)的第二保护膜(14)的偏振膜层叠体(10)的卷绕物。在工序Sb中，一边将偏振膜层叠体(10)从卷绕物抽出，一边使从起偏器(13)中的贯通孔(14a)露出的部位接触处理液，由此进行脱色，形成非偏振部。在工序Sc中，将第一保护膜(11)及第二保护膜(14)从偏振膜层叠体(10)剥离。在工序Sd中，在第一起偏器保护层(12)的与起偏器(13)侧相反侧层叠相位差层。
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公开(公告)号：CN116120692B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211685291.3
申请日：2022-12-27
申请人： 安徽合美材料科技有限公司
IPC分类号： C08L33/12 , G02B1/08 , G02B5/30 , G02F1/1335 , G02F1/13363 , C08L51/00 , C08L51/04 , C08L23/08 , C08K5/3432 , C08K5/101 , C08J5/18
摘要： 本发明公开了一种PMMA补偿膜及其制备方法，包括：聚甲基丙烯酸甲酯60～80份，戊二酰亚胺15～40份，增韧剂1～10份，增容剂5～18份，上述混合物反应时，所述聚甲基丙烯酸甲酯的负双折射，能够被所述戊二酰亚胺的正双折射抵消，通过在普通PMMA膜制备材料中添加一定重量份的戊二酰亚胺，利用戊二酰亚胺本身具备的正双折射性质来抵消普通聚甲基丙烯酸甲酯中的负双折射性质，从而对材料折射率进行控制，再通过调整延伸比对膜的厚度进行调整，最后依据公式：R0＝(nx‑ny)*d；Rth＝【(nx+ny)/2‑nz】*d将面内位相差R0与厚度位相差Rth控制在一定范围内，获得一定补偿值的补偿膜，用于改善IPS面板的偏黄现象。
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公开(公告)号：CN118671872A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410932476.2
申请日：2020-02-06
申请人： 日东电工株式会社
摘要： 提供一种沿吸收轴方向的断裂得以抑制的偏光膜。本发明的偏光膜由包含二色性物质的聚乙烯醇系树脂薄膜构成，且取向函数为0.30以下。在1个实施方式中，偏光膜的厚度为8μm以下。本发明的偏光板具有：上述的偏光膜、和配置于偏光膜的至少一侧的保护层。
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公开(公告)号：CN118515942A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410497894.3
申请日：2024-04-24
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明涉及了一种具有非常波长色散性质的光学补偿膜及其制备方法、圆偏振器及OLED显示器，属于功能性光学膜技术领域。该光学补偿膜具有式I所示的结构：#imgabs0#R2、R3、R4、R5、R6相同或不同，各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C20的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基或者取代或未取代的C3～C30的杂芳基、硅烷基、磷酸基、酰基或磺酰基；R1为式A表示的含聚乙烯醇的基团，#imgabs1#n＝1700～2400；m＝250～1800，n＞m；其中，通过将聚乙烯醇的羟基取向产生的相位差与通过引入式I的苯环侧基取向产生的相位差结合，使光学补偿膜具有非常波长色散性质。有利于后续制备成具有非常波长色散特性的四分之一波片，通过调整光偏振状态，提高OLED显示器的颜色精准性。
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公开(公告)号：CN118496241A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410177475.1
申请日：2024-02-08
申请人： 住友化学株式会社
发明人： 浅野雅士
IPC分类号： C07D513/04 , G02B1/08 , G02B5/30 , G02F1/1335 , C07F7/18 , C09B43/00 , C09K19/60 , C09K19/38
摘要： 本发明涉及化合物、组合物、膜、层叠体及显示装置。提供抑制波长460nm附近偏光膜透过率经时性降低的化合物。式(1)表示的化合物。Ar1及Ar3表示1,4‑亚苯基、1,4‑亚萘基或2价杂环基。Ar2表示2个含硫芳香环稠合而成的2价杂环基。X表示‑CH＝CH‑、‑C≡C‑、‑OC(＝O)‑、‑NHC(＝O)‑、‑N＝CH‑、‑CH＝N‑或单键。R1表示在由亚甲基、氧原子、硫原子及羰基形成的2价基团上键合R4或氢原子而成的1价基团或者键合有R6及R7的氨基。R2、R3、R6及R7表示可具有R5的脂肪族基团或芳基或者氢原子。R4及R5表示可具有聚合性基团的有机甲硅烷基氧基或聚合性基团。k为1或2。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118407117A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410425617.1
申请日：2024-04-10
申请人： 昌吉学院
摘要： 本发明公开了一种偏硼酸钠双折晶体的生长方法和用途，该方法采用高温固相法合成NaBO2多晶原料，采用NaBO2单晶作为籽晶，用提拉法进行晶体生长。通过本发明所述方法可获得大尺寸和高质量的晶体，易于切割、抛光、加工和保存，不溶于水，不潮解，在空气稳定；适于制作光通信元件或各种用途的偏光棱镜，这些器件利用的是晶体的折射率特性，特别是较大的双折射率。
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公开(公告)号：CN118210095A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410025994.6
申请日：2017-04-21
申请人： 厦泰生物科技公司
IPC分类号： G02B5/30 , G01N15/1434 , C30B29/18 , G02B27/28 , G02B1/08
摘要： 本发明涉及双折射晶体。该双折射晶体包括：包括石英矿物的材料组合物，该材料组合物具有：面侧，该面侧包括90度加或减十分之一度的面角；楔形侧，该楔形侧基本上垂直于所述面侧，其中所述楔形侧包括两度加或减十分之一度的楔角；以及主侧，该主侧基本上垂直于所述面侧及所述楔形侧；其中，所述主侧包括1.5毫米加或减0.1毫米的厚度；其中，以入射角进入所述双折射晶体的偏振光束被分离成普通光束和非普通光束。
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公开(公告)号：CN115838968B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202111105978.0
申请日：2021-09-22
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明涉及一种水合铵硼磷羟基化合物及铵硼磷羟基双折射晶体的制备方法和用途，该化合物分子式为NH4(B6PO10(OH)4)·H2O，分子量为359.92，采用硼酸熔融法制备，所得产物直接为晶体。该晶体的分子式为NH4(B6PO10(OH)4)·H2O，分子量为359.92，属于三斜晶系，空间群为#imgabs0#采用硼酸熔融法即得到水合铵硼磷羟基双折射晶体。该晶体的双折射值为0.095@532nm,截止边低于200nm。该晶体的生长过程具有操作简单，成本低，所用的试剂均为无机原料，毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。通过本发明所述方法获得的水合铵硼磷羟基双折射晶体在光学调制器等双折射晶体器件中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN114035257B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111164566.4
申请日：2021-09-30
申请人： 恒美光电股份有限公司
IPC分类号： G02B5/30 , G02B1/08 , G02B1/14 , G02B1/18 , G02F1/1335
摘要： 本发明公开了一种强耐候性偏光板及其制备方法，涉及偏光板技术领域，偏光板包括偏光层以及覆于偏光层至少一面的保护层，保护层为透湿疏水层；偏光板的制备方法包括步骤：对偏光层和高透湿率疏水层进行化学或物理处理，在处理后的偏光层的至少一面贴合处理后的高透湿率疏水层作为保护层，对贴合完成的半成品进行活性能量射线固化和烘箱处理，即得强耐候性偏光板。本发明通过采用兼具低吸湿性与高透湿率性能的透湿疏水层作为偏光片的保护层，有效改善偏光板产品的耐候性。
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