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公开(公告)号：CN1517981A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310102614.2
申请日：2003-10-27
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 任暎勋
CPC分类号： G11B5/245 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/3153 , G11B2005/0013
摘要： 一磁记录头包括一端分成彼此面对的两部分其间具有一个预定的间隙的头部体，第一和第二磁极放置在所述头部体的所述两部分上以形成一个磁通路并且其间具有一个间隙地彼此互相面对，一个插在所述第一和第二磁极之间的各相异性介质。进入所述预定间隙内的一个磁场减小而使得所述磁场被引导进入预定的磁记录方向。
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公开(公告)号：CN1075813A
公开(公告)日：1993-09-01
申请号：CN92112628.X
申请日：1992-10-24
申请人： 阿鲁普斯株式会社
IPC分类号： G11B5/235
摘要： 本发明提供一种抑制扭曲噪声、低电感的高密度处理的磁头，本发明的第一方面提供如下类型的磁头：至少在相对于一磁隙的后侧设置有磁层、而且在磁隙的两侧设置有磁头，它包括一至少在后侧磁头的与设有磁层的表面相对的表面上设置的非磁性区域，并且根据本发明的第二方面提供了如下类型的磁头：它具有两个通过其间的磁隙相结合的磁头，它包括至少在一磁块和磁隙之间设置的磁层以及在至少一个磁头的面对记录媒质的表面上、相邻于磁层处设置的一非磁性区域。
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公开(公告)号：CN1822098A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610005722.1
申请日：2006-01-06
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
IPC分类号： G11B5/235
CPC分类号： G11B5/112 , G11B5/1278 , Y10T29/49021
摘要： 本发明公开一种用于在垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的形成的方法以及由此形成的磁头。该原位尾屏蔽件沉积工艺取消会损坏该写磁极材料的预溅射工艺。此外，种子预备层形成在该尾屏蔽件间隙上从而消减尾屏蔽件间隙的任何不均匀性且控制由源自该尾屏蔽件种子沉积的预溅射工艺所引起的问题。
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公开(公告)号：CN1029051C
公开(公告)日：1995-06-21
申请号：CN92112628.X
申请日：1992-10-24
申请人： 阿鲁普斯株式会社
IPC分类号： G11B5/235
摘要： 本发明提供一种抑制扭曲噪声、低电感的高密度处理的磁头，本发明的第一方面提供了如下类型的磁头；至少在相对于一磁隙的后侧设置有磁层、而且在磁隙的两侧设置有磁块，它包括一至少在后侧磁块的与设有磁层的表面相对的表面上设置的非磁性区域，并且根据本发明的第二方面提供了如下类型的磁头；它具有两个通过其间的磁隙相结合的磁块，它包括至少在一磁块和磁隙之间设置的磁层以及在至少一个磁块的面对记录媒质的表面上、相邻于磁层处设置的一非磁性区域。
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公开(公告)号：CN1949365A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610142349.4
申请日：2006-10-10
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 迈克尔·费尔德鲍姆 , 李邝 , 李显邦 , 尼尔·L·罗伯逊 , 查尔斯·G·西格尔第三
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/3106 , G11B5/3133 , G11B5/3967 , G11B5/40 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 本发明涉及一种用于垂直记录的具有非GMR分路的磁头以及制造用于垂直记录的具有非GMR分路的磁头的方法。设置分路用于从读传感器分流电荷。该分路与读传感器共面形成且利用非GMR材料制成。
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公开(公告)号：CN1262997C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200310102614.2
申请日：2003-10-27
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 任暎勋
CPC分类号： G11B5/245 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/3153 , G11B2005/0013
摘要： 一磁记录头包括一端分成彼此面对的两部分其间具有一个预定的间隙的头部体，第一和第二磁极放置在所述头部体的所述两部分上以形成一个磁通路并且其间具有一个间隙地彼此互相面对，一个插在所述第一和第二磁极之间的磁性各相异性介质。进入所述预定间隙内的一个磁场减小而使得所述磁场被引导进入预定的磁记录方向。
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公开(公告)号：CN115527560A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210127876.7
申请日：2022-02-11
申请人： 西部数据技术公司
摘要： 本公开大体上涉及一种包含磁带头的磁带驱动器。所述磁带头包括至少一个相同间隙验证(SGV)模块，所述至少一个相同间隙验证(SGV)模块包括安置在衬底上的多个写入换能器和读取换能器对。每一对包括安置在所述写入换能器与所述读取换能器之间的零屏蔽件。调整每一对的所述写入换能器与所述读取换能器之间的位置、所述零屏蔽件的宽度、高度、厚度和渗透率中的一个或多个以产生零区，且所述读取换能器安置在所述零区中。所述SGV模块配置成使用每一对的所述写入换能器将数据写入到磁带且使用每一对的所述读取换能器读取验证写入到所述磁带上的所述数据，使得每一对的所述写入换能器和读取换能器能够同时操作。
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公开(公告)号：CN100505044C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610005722.1
申请日：2006-01-06
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
IPC分类号： G11B5/235
CPC分类号： G11B5/112 , G11B5/1278 , Y10T29/49021
摘要： 本发明公开一种用于在垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的形成的方法以及由此形成的磁头。该原位尾屏蔽件沉积工艺取消会损坏该写磁极材料的预溅射工艺。此外，种子预备层形成在该尾屏蔽件间隙上从而消减尾屏蔽件间隙的任何不均匀性且控制由源自该尾屏蔽件种子沉积的预溅射工艺所引起的问题。
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公开(公告)号：CN1222999A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98800481.X
申请日：1998-01-22
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
发明人： J·J·M·瑞格罗克 , G·H·J·索梅尔斯
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/11 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B5/3945 , G11B5/3951 , G11B5/40 , G11B2005/3996
摘要： 具有高通道密度的一种多通道磁头具有一个在记录载体相对于上述磁头做相对运动的第一方向(Ⅰ)和横截第一方向的第二方向(Ⅱ)上延伸的一个磁头面(1)。该磁头具有这样的结构层次,从第一方向看,它是一层压一层的,并且基本上在第二方向和横截第一和第二方向的第三方向(Ⅲ)上延伸。从第二方向上看,可以辨认出该结构中相邻的磁阻传感器(S1,S2,S3)各自包括一个磁阻测量元件(5),一个第一磁性元件(7)和一个第二磁性元件(9)。相邻传感器的磁性元件都是导电的,并且具有电连接面(70a,9a)。每个传感器中的测量元件在电路中被串联在第一和第二磁性元件之间,用来通过测量元件大体上在第三方向上提供测量电流(i)。
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