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公开(公告)号：CN1404631A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN01805332.7
申请日：2001-11-22
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B5/3925 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F41/302 , H01F41/308 , H01L43/12
摘要： 一种磁致电阻效应元件的制造方法，包括：形成至少具有反强磁性层(4)、钉扎层(3)、间隔层(5)的层叠膜的成膜工序；把该层叠膜按预定的图案构图的第一构图工序；在该构图后的层叠膜周围埋入绝缘层的埋入工序；在该绝缘层和上述构图后的层叠膜上形成上述磁束导入层或上述自由层兼磁束导入层的成膜工序；以及按预定的图案对上述绝缘层和上述层叠膜同时构图形成上述叠层结构部的、利用离子束蚀刻的第二构图工序。通过把该蚀刻离子束的入射角选择为与蚀刻面的法线的夹角θ为10°≤θ≤40°，优选为15°≤θ≤35°，使叠层结构部的构成材料和绝缘层的构成材料的蚀刻速度基本上相同，从而可以没有过分或不足地粗确地进行各部分的蚀刻，实现特性的稳定化和生产率的提高。
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公开(公告)号：CN1216138A
公开(公告)日：1999-05-05
申请号：CN97193809.1
申请日：1997-09-26
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/00817 , G11B5/10 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B5/5504 , Y10S428/90 , Y10T428/1171
摘要： 一种制造包含感应式传感系统的薄膜式磁头的方法。在一平整基面(11)上沉积一种用于形成第一绝缘层(13)的非磁性绝缘材料,在该绝缘层上形成感应式传感元件(15)。接着在第一绝缘层和在其上形成的感应式传感元件上沉积用于形成第二绝缘层(19)的非磁性绝缘材料。接着,在邻接要形成磁头端面(30)的区域内除去材料,用以形成一延伸贯通第一和第二绝缘层并深达该基面的孔,在此之后,在该孔中沉积一种用于形成间隙层(29)的非磁性绝缘材料。接着,在该间隙层上沉积一种用于形成第一软磁性层的软磁性材料,在此之后,对软磁性层(31)以及由沉积的非磁性绝缘材料层中的邻接的未经覆盖的部分进行平整,以形成平整表面。接着,在这一表面上沉积一种用于形成第二软磁性层(35)的软磁性材料,其与第一软磁性层一起构成磁导(36)。
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公开(公告)号：CN1221042C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN01805332.7
申请日：2001-11-22
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B5/3925 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F41/302 , H01F41/308 , H01L43/12
摘要： 一种磁致电阻效应元件的制造方法，包括：形成至少具有反强磁性层(4)、钉扎层(3)、间隔层(5)的层叠膜的成膜工序；把该层叠膜按预定的图案构图的第一构图工序；在该构图后的层叠膜周围埋入绝缘层的埋入工序；在该绝缘层和上述构图后的层叠膜上形成上述磁束导入层或上述自由层兼磁束导入层的成膜工序；以及按预定的图案对上述绝缘层和上述层叠膜同时构图形成上述叠层结构部的、利用离子束蚀刻的第二构图工序。通过把该蚀刻离子束的入射角选择为与蚀刻面的法线的夹角θ为10°≤θ≤40°，优选为15°≤θ≤35°，使叠层结构部的构成材料和绝缘层的构成材料的蚀刻速度基本上相同，从而可以没有过分或不足地粗确地进行各部分的蚀刻，实现特性的稳定化和生产率的提高。
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公开(公告)号：CN1347077A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01140997.5
申请日：2001-10-10
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 哈达亚尔·S·吉尔
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3103 , G11B5/332 , G11B5/3909 , G11B5/3925 , G11B5/3954
摘要： 一种读磁头,具有空气支承面(ABS),包含:一磁轭,具有第一和第二支臂,它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接,其中第一和第二支臂分别具有第一和第二端部边缘,该第一和第二边缘位于在ABS,彼此隔开距离为d2;第一和第二支臂,分别具有第一和第二分隔部,该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间,该第一和第二分隔部消除每个支臂的各支臂部分的磁和电联系;第一传感器,磁和电联系到跨越所述第一分隔部的第一支臂,以及第二传感器,磁和电联系到跨越所述第二分隔部的第二支臂;第一传感器具有第一锁定层结构,第二传感器具有第二锁定层结构;以及第一和第二锁定层结构分别具有彼此反向平行的第一和第二磁矩。
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公开(公告)号：CN1068448C
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN94101350.2
申请日：1994-02-15
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 克里斯托弗·H·贝乔克 , 罗伯特·E·方坦纳 , 克林特·D·斯奈德 , 戴维·A·汤普森 , 梅森·L·威廉斯 , 西莉亚·E·耶克-施兰顿
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/10 , G11B5/1272 , G11B5/1278 , G11B5/255 , G11B5/3106 , G11B5/313 , G11B5/3183 , G11B5/3967 , G11B5/484 , G11B17/32 , Y10T29/49041 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046
摘要： 一种既适用于接触记录方式又适用于温盘型记录方式的一体化复合磁传感器和悬架组件，大致矩形伸长的平悬架件包括一个与悬架件一体形成的垂直型感应读/写传感器并埋置在悬架件的一端，垂直感应传感器适用于垂直记录应用。传感器垂直磁极尖和磁轭结构形成在具有垂直磁极尖的悬架件的一端，垂直磁极尖延伸到并暴露于滑块形突起的下表面上形成的气垫表面，滑块形突起是从悬架件的端头的下表面延伸出来的。
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公开(公告)号：CN1217529A
公开(公告)日：1999-05-26
申请号：CN98122500.4
申请日：1998-11-17
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3919 , G11B5/3925 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3263 , H01F10/3268 , H01L43/10
摘要： 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括:一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层;此磁旋抑制层包括一Fe－M－O层(其中M’=Al,Ti,Co,Mn,Cr,Ni或V)。
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公开(公告)号：CN1190776C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN01111867.9
申请日：2001-03-22
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/00 , G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49055 , Y10T29/49067
摘要： 在此提供一种即使在较短磁通路长度和较短波长信号的情况下也能够有效执行磁头的记录或再现操作的磁头。该磁头包括：一对软磁性材料的磁质部分，每个磁质部分的主平面作为一个与记录介质相对的表面；以及位于该对磁质部分之间的一个磁隙，其被形成使得在主平面的相对侧上的该对磁质部分之间的距离大于在主平面上的该对磁质部分之间的距离，并且该对磁质部分之间的距离从主平面一侧到主平面的相对侧连续变化。
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公开(公告)号：CN1573350A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048870.2
申请日：2004-06-02
申请人： 财团法人电气磁气材料研究所 , 大同特殊钢株式会社
CPC分类号： G01R33/09 , G11B5/3163 , G11B5/3183 , G11B5/3925 , Y10T29/49002
摘要： 一种薄膜磁传感器包括一对每一个都由软磁材料形成的薄膜磁轭，该薄膜磁轭被设置成互相面对，同时一个间隙介入其间；包括一个电连接到该对薄膜磁轭并有高于软磁材料的电阻率的GMR薄膜；以及包括一个支撑薄膜磁轭和GMR薄膜并由绝缘的非磁材料形成的绝缘衬底。一个包括一个由绝缘的非磁材料形成的层次和一个GMR薄膜的层次的多层次结构的间隙柱被设置在间隙中，在间隙的长度上GMR薄膜的厚度均匀。
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公开(公告)号：CN1262766A
公开(公告)日：2000-08-09
申请号：CN99800406.5
申请日：1999-01-18
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/3113 , G11B5/3163 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , H01F41/14 , H01F41/18 , H01F41/30
摘要： 一种通过沉积磁性材料在表面(3)上形成导磁膜(5)的方法,在沉积过程中该表面附近存在磁场(H),所述磁场的方向基本平行于该表面。为了在沉积过程中调节磁性材料的导磁率,该方法包括如下步骤:1)通过沉积铁磁性材料形成导磁层(2、4),制成导磁膜,铁磁性材料的最大厚度(t1+t2)基本对应于1/2πLex,其中Lex等于√A/Ku,A是铁磁性材料的交换常数,Ku是单轴各向异性常数;和2)在导磁层的形成过程中改变磁场的方法,而不是仅倒转约180°的角度。
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公开(公告)号：CN1226988A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：CN98800690.1
申请日：1998-03-05
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
发明人： H·W·范科斯特伦
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/31 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046
摘要： 一种制造多层磁头的方法,依次由作为第一磁通导向器的第一导磁层(9)、作为换能间隙的非磁性间隙层(15)、作为第二磁通导向器的第二导磁层(17)组成。为在读出过程中形成较窄的间隙宽度,该制造方法包括步骤:准备一非磁性基层,通过去除非磁性材料在该非磁性基层形成中空部分,成为中空的基层(3a);在此中空基层上形成第一导磁层;在该第一导磁层上形成非磁性中间层(11);去除该中间层的部分材料形成平面,其组成包括部分基层、部分第一导磁层和部分中间层,其中在所述平面上第一导磁层的厚度决定了所形成磁头的换能间隙宽度;在所述平面形成非磁性间隙层,在所述间隙层上形成第二导磁层。
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