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公开(公告)号：CN107123434A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710559375.5
申请日：2017-07-07
申请人： 京磁材料科技股份有限公司
IPC分类号： G11B5/852
CPC分类号： G11B5/852
摘要： 本发明公开了一种应用于磁记录介质取向的装置，属于永磁材料领域，包括：第一永磁装置，其形成第一永磁磁路；第二永磁装置，其形成第二永磁磁路，所述第二永磁装置与所述第一永磁装置之间设置一通道，所述第一永磁磁路和所述第二永磁磁路对称设置，并在所述通道中形成平行的永磁磁场，当磁记录介质通过所述通道时，对其进行取向。该装置使用永磁材料作为恒磁源，对磁记录介质进行取向，无需使用电磁场，既节能又环保。
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公开(公告)号：CN101111889B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680003467.5
申请日：2006-01-31
申请人： 国立大学法人东北大学 , 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/667 , G11B5/8404 , H01F10/30 , H01F10/3286
摘要： 本发明公开了一种垂直磁性记录介质，其能够实现信息的高密度记录和再现，及其制造过程，以及磁性记录和再现装置。所提供的垂直磁性记录介质至少具有软磁性底层和位于盘形非磁性基底上的垂直磁性记录层，其中该软磁性底层具有至少两个软磁性层和位于两个软磁性层之间的Ru或Re层；该软磁性底层的易磁化轴具有希望的方向；该软磁性底层的易磁化轴基本上沿着除了非磁性基底的径向之外的方向分布，并且沿着该软磁性底层的易磁化轴方向的反铁磁性耦合的偏磁场为10奥斯特(790A/m)或更大。
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公开(公告)号：CN100378807C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200610078661.1
申请日：2006-04-30
申请人： 首都师范大学
摘要： 本发明涉及一种易轴取向的FePt、CoPt 系垂直磁记录薄膜的制备方法，属于材料制备技术领域。该方法包括：1)制备晶粒为面心立方结构的 FePt(M)或CoPt(M)薄膜，其中M为元素周期表中的C、P、B非金属元素之一或者熔点低于Fe元素熔点的Ag、Cu、Sn、Pb、Bi、Ga和In金属元素之一；2)将FePt (M)或CoPt (M)薄膜置于磁场中，磁场的方向垂直于薄膜表面，然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。应用本发明能使薄膜中的铁磁性晶粒的易磁化轴垂直于膜面排列。本发明具有工艺简单、过程容易控制的优点，并且可以使用熔点相对较低的玻璃作为薄膜的基底材料，既可节约成本，还可以保证使用FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜过程中所要求的膜面光洁度。
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公开(公告)号：CN1382293A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN00814549.0
申请日：2000-09-22
申请人： 索恩防护科学有限公司
发明人： 理查德·M·沃尔萨姆 , 安德鲁·L·史密斯
摘要： 本发明涉及一种制造具有永久结构化磁特性的柔性磁带的方法,该磁特性在磁带平面的两个不同方向上处处不同,该方法包括:a)用含有各向异性的磁特性粒子的膏剂涂敷柔性基底;b)相对第一磁场移动基底和膏剂涂层,该第一磁场具有在所述的第一方向上随时间变化的磁场强度,从而在所述的第一方向上的间隔开的区域上的粒子有选择地定向;c)随后相对第二磁场移动基底和膏剂涂层,该第二磁场具有在与第一方向成一斜角的第二方向上随时间变化的场强,从而在所述的第一和所述的另一方向上对间隔开的区域上对所述的磁性粒子有选择地定向;以及d)固化膏剂以使所述的粒子在位置上固定。
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公开(公告)号：CN108475513A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680070163.4
申请日：2016-11-30
申请人： 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
摘要： 提供能够适用于MAMR、MIMR、F-MIMR的包含以Rh置换型ε氧化铁或Ru置换型ε氧化铁为代表的铂族置换型ε氧化铁颗粒的取向体及其相关技术。提供一种取向体及其相关技术，所述取向体包含用铂族元素的至少一种置换ε氧化铁的一部分而成的铂族置换型ε氧化铁颗粒作为磁性颗粒，由取向度＝SQ(易磁化轴方向)/SQ(难磁化轴方向)定义的磁性颗粒的取向度的值超过5.0，矫顽力超过31kOe。
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公开(公告)号：CN104032274B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410260448.7
申请日：2014-06-12
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。
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公开(公告)号：CN104032274A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410260448.7
申请日：2014-06-12
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。
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公开(公告)号：CN101840706A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010175197.4
申请日：2010-05-18
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法，其特征在于：在磁记录颗粒外包裹一层能使其磁矩钉扎的反铁磁材料，所述反铁磁材料与磁记录颗粒之间通过界面磁矩耦合，使磁记录颗粒的磁矩沿同一方向排列。该方法能克服磁性颗粒纳米尺度下的热扰动，人为提高磁性颗粒的单轴各项异性能，解决超顺磁状态下记录不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN100390865C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610028368.4
申请日：2006-06-29
申请人： 复旦大学
摘要： 本发明属磁记录技术领域，具体为一种定向控制生长L10-FePt的新方法。传统的方法制备L10-FePt有两个主要的困难，一是取向的控制，二是制备L10-FePt需要很高的温度。本发明首先在衬底上斜靶溅射缓冲层NiO(200)，再溅射缓冲层Ag，最后溅射缓冲层FcPt，溅射生长FePt时衬底温度要升到350-600℃。缓冲层NiO(200)可以明显改善Ag(200)的取向，以及FePt(200)的取向，Ag(200)缓冲层可以有效降低FePt有序化温度。
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公开(公告)号：CN1877704A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610028368.4
申请日：2006-06-29
申请人： 复旦大学
摘要： 本发明属磁记录技术领域，具体为一种定向控制生长L10－FePt的新方法。传统的方法制备L10－FePt有两个主要的困难，一是取向的控制，二是制备L10－FePt需要很高的温度。本发明首先在衬底上斜靶溅射缓冲层NiO(200)，再溅射缓冲层Ag，最后溅射缓冲层FePt，溅射生长FePt时衬底温度要升到350－600℃。缓冲层NiO(200)可以明显改善Ag(200)的取向，以及FePt(200)的取向，Ag(200)缓冲层可以有效降低FePt有序化温度。
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