公开(公告)号：CN116762153A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202280010161.1

申请日：2022-01-19

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 寺田尚司 ,  三村勇之 ,  前田浩史 ,  增住拓朗 ,  本田胜 ,  坂本亮一

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 表面改性装置是通过处理气体的等离子体对基板的要与其它基板接合的接合面进行改性的表面改性装置。表面改性装置具备处理容器、测定部以及控制各部的控制部。处理容器以能够收容基板的方式构成。测定部测定表示处理容器内的水分量的值。控制部基于由测定部测定出的表示处理容器内的水分量的值，来判定在假定为将在处理容器内改性后的基板与其它基板进行了接合的情况下基板与其它基板之间的接合强度是否良好。

公开(公告)号：CN108155116B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201711248022.X

申请日：2017-12-01

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 北山将太郎 ,  五师源太郎 ,  大野广基 ,  江头佳祐 ,  川渕洋介 ,  丸本洋 ,  增住拓朗 ,  束野宪人 ,  清濑浩巳

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B5/04

摘要： 提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。

公开(公告)号：CN108074844A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711142504.7

申请日：2017-11-17

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 大野广基 ,  江头佳祐 ,  五师源太郎 ,  川渕洋介 ,  北山将太郎 ,  丸本洋 ,  增住拓朗 ,  束野宪人 ,  清濑浩巳

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02101 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719

摘要： 本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。

公开(公告)号：CN117276127A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311230939.2

申请日：2017-11-17

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 大野广基 ,  江头佳祐 ,  五师源太郎 ,  川渕洋介 ,  北山将太郎 ,  丸本洋 ,  增住拓朗 ,  束野宪人 ,  清濑浩巳

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供基板处理装置。本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。

公开(公告)号：CN110491770A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910402577.8

申请日：2019-05-15

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 菅野至 ,  清瀬浩巳 ,  五师源太郎 ,  滨村直彦 ,  增住拓朗 ,  关口贤治 ,  田中晓 ,  南辉臣

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。

公开(公告)号：CN109390254B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201810902225.4

申请日：2018-08-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 束野宪人 ,  五师源太郎 ,  增住拓朗 ,  清濑浩巳 ,  福井祥吾

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形成步骤之后，作为供给停止步骤，使基片(W)的转速成为第一转速以下的转速，并且停止向基片(W)供给处理液。在供给停止步骤之后，作为液量调整步骤，使基片(W)的转速成为比第一转速大的转速，减少形成液膜的处理液的液量。

公开(公告)号：CN116724378A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202280010522.2

申请日：2022-01-13

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 三村勇之 ,  前田浩史 ,  增住拓朗 ,  寺田尚司 ,  本田胜 ,  坂本亮一 ,  布瀬晓志 ,  久保田雄介

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本公开的表面改性方法用于通过处理气体的等离子体将基板的与其它基板接合的接合面进行改性，所述表面改性方法包括调整工序和改性工序。在调整工序中，通过向能够收容基板的处理容器内供给加湿后的气体，来调整处理容器内的水分量。在改性工序中，在调整了处理容器内的水分量的状态下，在处理容器内生成处理气体的等离子体，由此将基板的接合面进行改性。

公开(公告)号：CN108074840A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711067648.0

申请日：2017-11-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 江头佳祐 ,  川渕洋介 ,  五师源太郎 ,  大野广基 ,  丸本洋 ,  增住拓朗 ,  束野宪人 ,  北山将太郎 ,  冈村聪

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67034 ,  B08B3/08 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/6704

摘要： 本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送出超临界状态的处理流体的流体供给源(51)和处理容器相连接。在供给线上设置有第一开闭阀(52a)，在该供给线的下游侧设置有第一节流部(55a)，在处理容器内的压力为处理流体的临界压力以下的期间，该第一节流部(55a)使在供给线中流动的超临界状态的处理流体变化为气体状态，在该供给线的更下游侧设置有第一过滤器(57)。

公开(公告)号：CN110491770B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910402577.8

申请日：2019-05-15

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 菅野至 ,  清瀬浩巳 ,  五师源太郎 ,  滨村直彦 ,  增住拓朗 ,  关口贤治 ,  田中晓 ,  南辉臣

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。

公开(公告)号：CN107706131B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201710670286.8

申请日：2017-08-08

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 中森光则 ,  川渕洋介 ,  增住拓朗 ,  山下浩司 ,  前田昭三

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 提供一种能够去除存在于基板的图案内的纯水来快速置换为溶剂的液处理方法、基板处理装置以及存储介质等。该液处理方法在对被水平保持并在表面形成有图案的基板供给纯水之后，对基板进行干燥，该液处理方法包括：纯水供给工序，向基板的表面供给纯水；加热溶剂供给工序，在所述纯水供给工序之后，以液体的状态向存在纯水的基板的表面供给被加热到水的沸点以上的温度的溶剂；以及去除工序，去除所述基板表面的溶剂来使所述基板干燥。