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    一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法
    2.
    发明公开
    一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN109461783A

    公开(公告)日：2019-03-12

    申请号：CN201811604862.X

    申请日：2018-12-26

    申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  南京航空航天大学

    发明人： 张树德 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  钱洪强 ,  连维飞 ,  胡党平 ,  王泽辉

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/047 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种双面晶硅太阳能电池，所述双面晶硅太阳能电池由第一迎光面至第二迎光面依次包括第一电极、P型半导体层、N型基体、介质层及第二电极；所述介质层为带高固定负电荷的介质层；所述介质层在所述N型基体与所述介质层接触的表面感应形成P型反型层；所述介质层具有与所述第二电极相配合的图案，使所述第二电极可直接与所述N型基体接触。本发明会在N型基体的第二迎光面表面附近形成浮动结，抑制了第二迎光面的表面复合，增大了双面晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术，成本低廉，工艺简单。本发明还同时提供了一种具有上述有益效果的双面晶硅太阳能电池的制作方法。

    具有亚带隙红外响应的宽谱晶硅太阳电池及其制备方法
    4.
    发明公开
    具有亚带隙红外响应的宽谱晶硅太阳电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN111180541A

    公开(公告)日：2020-05-19

    申请号：CN202010007683.9

    申请日：2020-01-05

    申请人： 复旦大学

    发明人： 戴希远 ,  胡斐 ,  陆明

    IPC分类号： H01L31/047 ,  H01L31/07 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明属于硅基光伏技术领域，具体为具有亚带隙红外响应的宽谱晶硅太阳电池及其制备方法。本发明太阳电池结构包括：包括上、下两个部分：上半部分为透明导电电极ITO、由黑硅与钝化层组成的常规PN结，下半部分为由N型黑硅与金属纳米颗粒制成的具有亚带隙红外光伏响应的肖特基电池、背电极Al；上、下两部分之间由透明导电胶PEDOT:PSS连接；其中，ITO和Al作为电池的负极，中间的导电胶PEDOT:PSS作为电池的正极，上下电池呈并联叠层结构。本发明有效地将常规PN结电池与具有亚带隙红外光伏响应的肖特基电池结合，与常规PN结电池相比，拓宽了电池的光谱响应范围，提高了光电转化效率。

    太阳能电池模块
    5.
    发明公开
    太阳能电池模块 有权

    公开(公告)号：CN110235257A

    公开(公告)日：2019-09-13

    申请号：CN201780084846.X

    申请日：2017-03-06

    申请人： 株式会社 ,  TOPSUN

    发明人： 尹柾泽 ,  吉宗石 ,  金呈勳

    IPC分类号： H01L31/05 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/047

    摘要： 本发明涉及一种太阳能电池模块，并且更具体地，涉及太阳能电池的一部分被重叠以使得可以提高太阳能电池的空间占用率并且可以解决因重叠的太阳能电池而出现的安全和结构问题的太阳能电池模块。根据本发明的太阳能电池模块具有预定部分被重叠的太阳能电池，并且因此能够减小非发电区域并提高太阳能电池的空间占用率，从而提高发电效率。通过减少太阳能电池的重叠部分，显著减少了因外部力而导致的对太阳能电池造成裂纹和损坏的发生率，并且因此可以改善稳定性和结构性能。

    一种钢彩瓦上结构改良的光伏板支架
    6.
    发明公开
    一种钢彩瓦上结构改良的光伏板支架 有权 转让 质押

    公开(公告)号：CN106549627A

    公开(公告)日：2017-03-29

    申请号：CN201610945683.7

    申请日：2016-10-26

    申请人： 东莞市天合机电开发有限公司

    发明人： 赵鸿斌

    IPC分类号： H02S20/23 ,  H02S20/26 ,  H01L31/047

    CPC分类号： Y02B10/12 ,  Y02E10/50 ,  H02S20/23 ,  H01L31/047 ,  H02S20/26

    摘要： 本发明公开了一种钢彩瓦上结构改良的光伏板支架，钢彩瓦下表面上冲压成型有若干“V”字形的凹槽，钢彩瓦凹槽处的上表面成型有“V”字形的凸块，凸块并呈一列分布在钢彩瓦上，钢彩瓦的下侧设有条形的支撑板，支撑板上、下两端成型有“V”字形的插块，插块插接在钢彩瓦的凹槽内；定位块上、下两侧的端面上固定有螺杆，螺杆上螺接有螺母并分别插套有L型的上压块和L型的下压块，螺母抵靠在下压块和上压块上，上压块上成型有V型的顶块，顶块插接在钢彩瓦的凸块内，下压块上成型有V型的槽口，钢彩瓦的凸块插接在下压块的槽口内。能在不破坏钢彩瓦的基础上实现光伏板支架的安装，从而避免因光伏板支架而造成钢彩瓦屋顶漏雨的状况。

    广角三维太阳能电池
    9.
    发明公开
    广角三维太阳能电池 失效

    公开(公告)号：CN104396023A

    公开(公告)日：2015-03-04

    申请号：CN201380010655.0

    申请日：2013-02-20

    申请人： 三维太阳能电池公司

    发明人： 穆罕默德·内齐尔·达勒 ,  宋长万

    IPC分类号： H01L31/047 ,  H01L31/0236

    CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/047 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/50

    摘要： 一种包括半导体主体的三维太阳能电池，该半导体主体具有基本上平坦的底表面以及沿着其顶侧以阵列方式形成的成形沟槽。这样，朝向半导体主体的顶侧延伸的多个柱子由此形成在半导体主体中。光收集材料沿着半导体主体的顶侧填充成形沟槽，并且形成与半导体主体的底表面平行的基本上平坦的光接收顶表面。沟槽中的至少一些沟槽中的每个沟槽被构造成使得在基本上平坦的光接收表面上存在至少一个点，以使得在光线入射在该点上的情况下，如果与进入半导体主体相对地，光线保持在相应沟槽内，则光线将至少在相邻柱子上的第四次反射之后被重定向为向上。

    具有亚带隙红外响应的宽谱晶硅太阳电池及其制备方法
    10.
    发明授权
    具有亚带隙红外响应的宽谱晶硅太阳电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN111180541B

    公开(公告)日：2021-06-04

    申请号：CN202010007683.9

    申请日：2020-01-05

    申请人： 复旦大学

    发明人： 戴希远 ,  胡斐 ,  陆明

    IPC分类号： H01L31/047 ,  H01L31/07 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明属于硅基光伏技术领域，具体为具有亚带隙红外响应的宽谱晶硅太阳电池及其制备方法。本发明太阳电池结构包括：包括上、下两个部分：上半部分为透明导电电极ITO、由黑硅与钝化层组成的常规PN结，下半部分为由N型黑硅与金属纳米颗粒制成的具有亚带隙红外光伏响应的肖特基电池、背电极Al；上、下两部分之间由透明导电胶PEDOT:PSS连接；其中，ITO和Al作为电池的负极，中间的导电胶PEDOT:PSS作为电池的正极，上下电池呈并联叠层结构。本发明有效地将常规PN结电池与具有亚带隙红外光伏响应的肖特基电池结合，与常规PN结电池相比，拓宽了电池的光谱响应范围，提高了光电转化效率。