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公开(公告)号：CN117941069A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280062380.4
申请日：2022-09-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , G01J1/02 , G01J1/42 , H04N5/64 , H04N25/70
Abstract: 在光检测装置中，各像素(G)包含多个APD。各APD形成受光区域(R)并且以盖革模式动作。多个APD(11)在多个像素(G)中的对应的像素(G)所占的像素区域(α)中，形成在沿着主面(40a)的方向上排列的多个受光区域(R)。从Z轴方向观察，MOS开关电路区域(β)与多个受光区域(R)重叠。从Z轴方向观察，MOS开关电路区域(β)的面积比形成于像素区域(α)的1个受光区域的面积大，并且为像素区域(α)的面积以下。各像素(G)所包含的多个APD彼此电连接且并联连接，并且分别与MOS开关电路连接。
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公开(公告)号：CN105683779A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480055404.9
申请日：2014-09-26
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/244 , G01T1/2018 , G01T1/2921
Abstract: 本发明提供一种康普顿摄像机(1)，其具有散射检测部(10)、吸收检测部(20)、信号处理部(30)、第一屏蔽部(41)和第二屏蔽部(42)。散射检测部(10)对从放射线源(90)发射而入射的放射线的康普顿散射进行检测。吸收检测部(20)对在散射检测部(10)上发生康普顿散射而入射的放射线的吸收进行检测。信号处理部(30)根据散射检测部(10)中的放射线的康普顿散射和吸收检测部(20)中的放射线的吸收的同时检测现象，求出放射线源(90)的图像。第一、第二屏蔽部(41、42)设置在散射检测部(10)与吸收检测部(20)之间。第一屏蔽部(41)选择性地使前方散射放射线通过，选择性地遮断后方散射放射线。由此可以实现能够降低噪音的康普顿摄像机。
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公开(公告)号：CN109923383B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201780069330.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J1/02 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , G01T1/20
Abstract: 光检测装置具备一维排列有多个像素的半导体基板。光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。在栅极接地电路，通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。
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公开(公告)号：CN106921387B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201610955356.X
申请日：2016-10-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H03K23/78
Abstract: 本发明涉及一种读取电路，是读取来自将在分别包含雪崩光电二极管的多个像素中产生的电流一并输出的光电转换元件的输出电流的电路，包括：接收上述输出电流，输出与上述输出电流成比例的大小的第1和第2电流的电流镜像电路；基于上述第1电流，进行入射至上述光电转换元件的光子的计数的光子计数电路；对上述第2电流进行积分而生成电压信号的积分电路；和基于从上述光子计数电路输出的计数结果和从上述积分电路输出的上述电压信号的大小，判断入射至上述光电转换元件的光的大小的信号处理部。
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公开(公告)号：CN103650166B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180072092.9
申请日：2011-12-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1446
Abstract: 本发明提供光电二极管阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法。对光电二极管阵列施加反偏电压，该光电二极管阵列具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各雪崩光电二极管串联连接的降压电阻。使施加的反偏电压变化而测定电流，并将所测定的电流的变化中的拐点处的反偏电压作为基准电压而决定。将对所决定的基准电压加上规定的值而得到的电压作为推荐动作电压而决定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117999469A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280062393.1
申请日：2022-08-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J1/02 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N25/766
Abstract: 在光检测装置中，开关(21、22、23)相互并联连接。各开关(21、22、23)与APD(11)连接。读出线(10)电连接开关(21)和信号处理部(9)。开关(21)以第二端子(24b)与读出线(10)连接，并且在导通状态下将击穿电压以上的电压提供到APD(11)的方式构成。开关(22)以第二端子(24b)不与读出线(10)连接，并且在导通状态下将击穿电压以上的电压提供到APD(11)的方式构成。开关(23)以第二端子(24b)不与读出线连接，并且在导通状态下将小于击穿电压的电压提供到APD(11)的方式构成。
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公开(公告)号：CN109952649B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201780069329.5
申请日：2017-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N25/70 , H01L27/146 , H01L31/02
Abstract: 光检测装置具备：具有二维排列的多个像素的半导体光检测元件、具有对来自对应的像素的输出信号进行处理的多个信号处理部的搭载基板。半导体光检测元件在每个像素具有：多个雪崩光电二极管，其以盖革模式动作；多个灭弧电阻，其串联地电连接于对应的雪崩光电二极管；贯通电极，其与多个灭弧电阻电连接。各信号处理部具有通过对应的贯通电极而电连接有多个雪崩光电二极管并且输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号的电流镜电路。搭载基板具有的多个信号处理部的数量比各像素中的受光区域的数量多。
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公开(公告)号：CN103650166A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180072092.9
申请日：2011-12-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1446
Abstract: 本发明提供光电二极管阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法。对光电二极管阵列施加反偏电压，该光电二极管阵列具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各雪崩光电二极管串联连接的降压电阻。使施加的反偏电压变化而测定电流，并将所测定的电流的变化中的拐点处的反偏电压作为基准电压而决定。将对所决定的基准电压加上规定的值而得到的电压作为推荐动作电压而决定。
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公开(公告)号：CN118647844A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380019711.0
申请日：2023-01-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 在信号处理电路(21)，输入端子(22)以被输入从以盖革模式动作的雪崩二极管(11)输出的模拟信号的方式构成。比较电路(23)输出基于输入比较电路(23)的信号中包含的成分中超过阈值的成分的信号。调整电路(25)包含AC耦合部(42)、电平转换部(43)和基准值调整部(44)。AC耦合部(42)将输入端子(22)与比较电路(23)AC耦合。电平转换部(43)将输入比较电路(23)的信号的电压调整为比赋予雪崩二极管(11)的逆向偏压低的值。基准值调整部(44)对输入比较电路(23)的信号的基准值进行调整。
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公开(公告)号：CN109923383A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780069330.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/42 , G01J1/02 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , G01T1/20
Abstract: 光检测装置具备一维排列有多个像素的半导体基板。光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。在栅极接地电路，通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。
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