公开(公告)号：CN115500079B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202280003366.7

申请日：2022-03-28

申请人： 法国圣戈班玻璃厂

发明人： T·拉帕内 ,  A·费塞马兹 ,  T·尼尔森

IPC分类号： C03B33/02 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/53 ,  C03B33/037 ,  C03B33/04 ,  C03B33/07 ,  B23K26/00 ,  B23K26/03 ,  B23K26/38 ,  B23K103/00

摘要： 本发明涉及具有至少一个切割的层压装配玻璃（10）和层压装配玻璃（10）的切割方法，层压装配玻璃（10）尤其是用于机动车辆并且至少包括通过包括至少一个聚合材料片材的中间层（40）组装在一起的第一玻璃片材（20）和第二玻璃片材（30），所述装配玻璃（10）还包括具有由内廓线（53）界定的孔（51）的嵌件（50），所述嵌件（50）容纳在设在所述中间层（40）中的挖空部分（41）中，所述方法包括以下步骤：‑借助于视觉装置检测所述内廓线（53）的检测步骤；‑根据所述内廓线（53）的检测来计算要行进的切割路径的计算步骤；‑借助于具有射束（402a，402b）的激光源（401a，401b）根据计算出的所述切割路径来切割所述第一玻璃片材（20）的步骤。

公开(公告)号：CN118591864A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202280090092.X

申请日：2022-10-31

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 杉本阳 ,  近藤裕太 ,  坂本刚志

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/53

摘要： 一种加工条件取得方法，取得：通过对于对象物，从第1面侧照射激光，用于在功能元件层形成弱化区域的激光加工的条件，该对象物具有包含所述第1面及所述第1面的相反侧的第2面的基板、设在所述基板的所述第2面的所述功能元件层，该加工条件取得方法具备：一边使在与所述第1面交叉的Z方向的所述激光的聚光位置在包含所述基板与所述功能元件层的界面的范围内变化，一边在所述第1面内的不同位置进行多次作为所述激光加工的第1加工的第1工序。

公开(公告)号：CN118571825A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410125971.2

申请日：2024-01-30

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 喜多直纪

IPC分类号： H01L21/683 ,  B23K26/53 ,  B81C1/00

摘要： 本发明提供晶片的加工方法，能够抑制形成有圆形凹部的晶片的挠曲。晶片的加工方法包含如下的步骤：圆形凹部形成步骤，在晶片背面的中央形成圆形凹部，从而形成围绕圆形凹部的环状凸部；以及改质层形成步骤，在实施圆形凹部形成步骤之前或之后，向环状凸部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而形成改质层。

公开(公告)号：CN111106032B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910991284.8

申请日：2019-10-18

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 饭塚健太吕 ,  大宫直树

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  B23K26/53

摘要： 提供晶片生成装置，能够从锭自动地生成晶片。该晶片生成装置包含：锭磨削单元，其对锭的上表面进行磨削而平坦化；激光照射单元，其将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离单元，其将晶片从锭剥离；以及托盘，其具有对所剥离的晶片进行支承的支承部。晶片生成装置还包含：传送带单元，其对托盘所支承的锭进行搬送；锭存放装置，其对托盘所支承的锭进行收纳；以及锭交接单元，其将托盘所支承的锭从锭存放装置交接至传送带单元。

公开(公告)号：CN118448506A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410407719.0

申请日：2024-04-07

申请人： 海目星激光智能装备(江苏)有限公司

发明人： 裴冠森 ,  周宇超 ,  尤东 ,  邓波 ,  李小勇 ,  徐有行

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/223 ,  H01L21/268 ,  B23K26/53

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种TOPCon电池的制备方法及其设备。该方法包括：对基体进行预处理，得到电池结构雏形，对电池结构雏形中的第二掺杂多晶硅层进行改质重构，在第二掺杂多晶硅层上生成微纳结构，通过湿法碱刻对第二掺杂多晶硅层中的微纳结构区域和电极区域减薄，并对湿法碱刻处理后的电池结构雏形进行后处理，得到TOPCon电池。本方案通过对非栅线区改质处理，利用非电极区域和电极区域在刻蚀中的速率差使多晶硅层形成高度差，实现了在降低多晶硅层的厚度、提高太阳能电池双面率、降低寄生吸收的同时，保证金属电极浆料不烧穿隧穿氧化层，减少了电子和空穴的运动，提高了TOPCon电池的制备效率。

公开(公告)号：CN118402044A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280081615.4

申请日：2022-11-08

申请人： 株式会社电装

发明人： 安田浩一朗 ,  高木亮汰 ,  河津知树 ,  野村飒大 ,  白井秀彰 ,  巴赫曼·苏丹尼 ,  傍岛骏介

IPC分类号： H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  B24B7/22 ,  B28D5/04

摘要： 本发明涉及晶圆制造方法。从c轴以将中心轴(L)向偏离角方向(Dθ)上倾斜超过0度的偏离角后的状态设置的锭(2)得到晶圆的晶圆制造方法包含以下的过程、工序、或处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面(21)照射具有透过性的激光束，在从表面起与晶圆的厚度对应的深度形成剥离层(25)。通过在偏离角方向上的锭的一端(23)沿一个方向施加负载，从而将作为锭的表面与剥离层之间的部分的晶圆前躯体(26)在剥离层从锭剥离。通过使通过从锭剥离晶圆前躯体从而得到的板状的剥离体的主面平坦化，从而得到晶圆。

公开(公告)号：CN118369747A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280081488.8

申请日：2022-11-08

申请人： 株式会社电装

发明人： 安田浩一朗 ,  高木亮汰 ,  河津知树 ,  野村飒大 ,  白井秀彰 ,  巴赫曼·苏丹尼 ,  傍岛骏介

IPC分类号： H01L21/304 ,  B23K26/53

摘要： 本发明涉及晶片制造方法。从锭(2)得到晶片的晶片制造方法包含以下的步骤、工序或者处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面(21)照射具有透过性的激光束，从而在距离表面与晶片的厚度对应的深度形成剥离层(25)。此时，以小面区域(RF)的照射频率比非小面区域(RN)的照射频率高的方式照射激光束。在剥离层从锭剥离锭的表面与剥离层之间的部分亦即晶片前驱体(26)。以电化学和机械的方式将通过从锭剥离晶片前驱体得到的板状的剥离体的主面平坦化，得到晶片。

公开(公告)号：CN112635309B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202011418262.1

申请日：2020-12-07

申请人： 福建晶安光电有限公司

发明人： 李瑞评 ,  曾柏翔 ,  张佳浩 ,  杨良

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/428 ,  B23K26/53 ,  C09D163/10 ,  C09D175/14 ,  C09D167/06 ,  C09D4/06 ,  C09D4/02 ,  C09D171/02 ,  C09D171/08 ,  C09D7/63 ,  C09D5/20

摘要： 本发明提供一种衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，所述衬底加工方法包括以下步骤：对衬底进行线切割处理，得到预定厚度的衬底；在切割得到的衬底进行甩胶处理，以在衬底表面形成一层平坦膜；在所述平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描所述经切割衬底来在所述经切割的衬底的预定深度位置产生破坏层；基于所述破坏层对衬底进行剥片处理；对剥片处理后的衬底进行抛光处理。本发明的衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，能够大幅度的降低机械加工的过程，由此降低衬底的应力分布，提高衬底的质量，并降低衬底加工成本。

公开(公告)号：CN118060751A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410242372.9

申请日：2024-03-04

申请人： 浙江大学

发明人： 张博 ,  王卓 ,  张捷 ,  邱建荣

IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/60 ,  B23K26/70

摘要： 本发明公开了一种透明介质内部彩色像素点阵单脉冲立体写入方法。本发明以单个超快激光脉冲在晶体内部激发脉冲内耦合效应，诱导微米级局部非晶化相变，从而在晶体基质内部嵌入非晶态像素点。利用色偏振效应，可以产生像素级干涉结构色。通过多相位叠加的空间光调制技术将入射的单激光脉冲分为有指定三维空间分布、脉冲能量、聚焦特性等的多个子脉冲。这些子脉冲可以在晶体内部生成多焦点阵列，以一对多的制造模式在晶体基质内部生成具有指定结构特征的非晶像素点，显示出不同的颜色。本发明可以在晶体内部以极高的速度批量写入能够被智能成像设备轻松识别的彩色像素点阵，在超高密度数据存储、三维彩色显示、信息防伪加密等领域具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN110767595B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201911059805.2

申请日：2015-05-22

申请人： 株式会社力森诺科

发明人： 古谷涼士 ,  铃村浩二 ,  岩永有辉启 ,  中村祐树

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L21/52 ,  B23K26/00 ,  B23K26/53

摘要： 本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。