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公开(公告)号：CN118771873A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410812847.3
申请日：2024-06-22
申请人： 广东华中科技大学工业技术研究院
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , C04B41/00 , C04B41/51 , H10N30/097 , H10N30/853
摘要： 本发明公开了一种高性能铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷的织构制备方法，所述陶瓷组成通式为#imgabs0#式中BiFeO3和BaTiO3的摩尔分数比为2：1，x、y、t和m均表示摩尔分数，且0
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公开(公告)号：CN118479905A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410457147.7
申请日：2024-04-16
申请人： 深圳市聚能永拓科技开发有限公司
IPC分类号： C04B38/06 , B01J20/04 , C02F1/28 , B01J20/30 , C04B35/10 , C04B41/85 , C04B41/00 , C04B41/50 , C01G23/00 , C01D15/00 , C02F103/00
摘要： 本发明提供了一种锂离子筛的制备方法、锂离子筛和应用。该制备方法先将泡沫基材在陶瓷浆料中浸泡处理后烧结，得到多孔陶瓷，然后将所述多孔陶瓷在Li‑Ti凝胶中浸泡后，进行热处理，得到负载偏钛酸锂的多孔陶瓷材料，最后将所述负载偏钛酸锂的多孔陶瓷材料进行洗脱，得到所述锂离子筛。本发明还提供了由制备方法得到的锂离子筛和锂离子筛在盐湖提锂中的应用。
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公开(公告)号：CN118451221A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202280071280.8
申请日：2022-08-23
申请人： 安德万细胞同位素有限公司
发明人： J·F·凯利
摘要： 本公开总体上涉及用于产生放射性同位素的材料、方法、发生器和/或系统。本公开总体上还涉及陶瓷材料，所述陶瓷材料包括适用于放射性同位素发生器的放射性同位素。本公开总体上还涉及用于产生和捕获放射性同位素的方法、发生器和/或系统。本公开总体上还涉及制备用于放射性药物学和/或其它临床应用的放射性同位素溶液。
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公开(公告)号：CN116003161B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202211173681.2
申请日：2022-09-26
申请人： 安徽建工集团建材科技有限公司
摘要： 本发明公开了退回流态混凝土资源化利用领域的一种循环利用退回混凝土的方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)使用水调节退回混凝土泥浆水胶比，并与三乙胺混合均匀；(2)向步骤(1)浆体中通入CO2气体；(3)将石灰石粉和煅烧黏土加入步骤(2)的碳化退回混凝土中，充分搅拌。(4)将前述混合碳化退回混凝土静置一定时间后，等体积取代新拌混凝土，并搅拌均匀，制得低碳混凝土。本发明专利提出利用三乙胺作为纳米碳化产物诱导剂，加速与煅烧黏土中氧化铝反应，形成更多的碳铝酸盐水合物，提高低碳混凝土的力学性能，制成低碳混凝土，环境和经济效益显著，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN118405939A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310839856.7
申请日：2023-07-10
申请人： 四川师范大学
摘要： 本发明公开的一种原位加固修复出土糟朽象牙的方法，包括如下步骤：S1、将待加固象牙进行脱水处理。S2、称取一定量的钙源和无水柠檬酸溶解在去离子水中得到混合钙源溶液A，称取一定量的磷源溶解在去离子水中得到磷源溶液B，溶液A中Ca2+与溶液B中PO42‑的摩尔比为1.66‑1.68；S3、将钙源溶液A和磷源溶液B滴加到脱水处理后的待加固象牙上使其渗透，取一定量的氨水与待加固象牙放置在一起并封闭，氨水挥发调节pH，使羟基磷灰石在待加固象牙上原位生成。本发明采用熏蒸法在待加固象牙原位生成羟基磷灰石，不会对象牙进行损坏，并且加固效果更好。在室温下合成羟基磷灰石以及在室温下加固象牙，条件温和，符合文物保护的要求。
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公开(公告)号：CN118324489A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410336737.4
申请日：2024-03-22
申请人： 唐山市开平区华庭瓷业有限公司
发明人： 赵学东
摘要： 本发明提供了一种遗像瓷器摆件的加工工艺和制作方法，坯、釉原料进厂后，经过精选、淘洗，根据生产配方称量配料，入球磨细碎，达到所需细度后，除铁、过筛，然后根据成型方法的不同，对注浆成型用泥浆，进行真空处理后，成为成品浆；机制成型用泥浆压滤脱水，真空练泥。成型工序分为滚压成型和注浆成型，然后干燥、修坯。滚压成型后根据需要有的进行镂空雕刻得到想要的形状、有的进行打眼处理。在取得素坯后，入窑素烧，素烧出来骨子，骨子精修，然后施釉，然后进行釉烧，釉烧后出来白瓷，白瓷检选，得到合格白瓷；在合格白瓷上贴电子版照片做成的花纸、根据需要有的镶金后，入烤花窑烧烤，得到合格彩瓷成品。
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公开(公告)号：CN118108510B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410521221.7
申请日：2024-04-28
申请人： 中南大学
IPC分类号： C04B35/56 , C04B41/80 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B41/00
摘要： 本发明公开了一种含表面氧化膜的复相陶瓷材料及其制备方法，将Zr粉、V粉、C粉混匀获得混合粉，将混合粉加入酚醛树脂溶液中混合然后压制成型获得压坯，将压坯采用硅粉包埋后进行反应烧结熔渗硅，获得基体碳化物，然后将基体碳化物进行预氧化处理，即得含表面氧化膜的复相陶瓷材料；本发明所提供的含表面氧化膜的复相陶瓷材料由基体碳化物层和表面氧化膜层组成，氧化膜层致密度高，坚硬、可以在微观层面上增强材料表面的抗氧化性，且本发明的制备方法简单，较易批量化成本控制，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN114334444B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111668230.1
申请日：2021-12-31
申请人： 广东芯晟电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，该材料按重量百分比由以下原料制成：SrCO360～69％，TiO230～38％，添加剂0.2～3％；其中，所述添加剂为ZnO、CaCO3、CuO、La2O3、Li2CO3、B2O3、SiO2和Bi2O3中的一种或多种组合。本发明还涉及该材料的制备方法以及利用该材料制作的单层陶瓷电容器。本发明的所述单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，不含镉和铅等重金属，具有对环境污染少，介电常数高等优点。
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公开(公告)号：CN117858858A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280050311.1
申请日：2022-07-12
申请人： 欧瑞康表面解决方案股份公司 , 普费菲孔
IPC分类号： C04B41/52 , C23C28/04 , C23C14/32 , C23C14/08 , C23C14/00 , C04B41/90 , C04B111/00 , C04B41/89 , C04B41/00
摘要： 本发明涉及一种包括至少一个耐CMAS层的耐CMAS覆盖涂层(240)，其中覆盖涂层(240)i.布置在基材(10a)的表面(11a)上，所述基材(10a)包含易受CMAS腐蚀的材料或由其组成，ii.包括金属氧化物基质，并且iii.具有至少部分垂直柱状结构。此外，在金属氧化物基质中包埋至少一种选自铝、铬以及包含铝和铬或由其组成的金属组分的非氧化金属组分。另外，本发明还涉及在易受CMAS腐蚀的材料的表面(231)上具有所讨论的耐CMAS覆盖涂层(240)的基材(10a)。本发明也涉及在易受CMAS腐蚀的材料的表面(231)上形成这样的耐CMAS覆盖涂层(240)的CAE方法。
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公开(公告)号：CN117836254A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057308.2
申请日：2022-09-02
申请人： 贺利氏科纳米北美有限责任公司
IPC分类号： C04B35/44 , C04B35/626 , C04B35/645 , B32B18/00 , C04B38/00 , C04B41/00 , H01J37/00 , H01L21/00
摘要： 本文公开了一种烧结陶瓷体，该烧结陶瓷体包括至少一个层，该至少一个层包含90体积％至99.8体积％的多晶钇铝石榴石(YAG)和15ppm至500ppm的锆，其中该至少一个层包括至少一个表面，其中该至少一个表面包括孔径不超过5pm并且最大孔径为1.5pm的孔，占该孔的至少95％，其中该至少一个表面表现出50至77的L*值以及6至12的“a”值，其中该至少一个层具有500pm至2cm的厚度，并且其中该L*值和该“a”值在该至少一个表面上变化不超过10％。还公开了制备该烧结陶瓷体的方法。
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