公开(公告)号：CN118732630A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411218901.8

申请日：2024-09-02

申请人： 朔韦茨环境科技(江苏)有限公司

发明人： 朱薇

IPC分类号： G05B19/418 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  G06F30/27 ,  G06F30/10

摘要： 本发明涉及工艺数据处理技术领域，具体包括一种用于优化纳米薄膜制备工艺的方法及系统，包括：构建公开加密数据集，划分寻优空间，通过可信处理端评价参数并降维提取关键参数；获取标记空间编号，定义适应度函数，迭代寻优。构建解空间实施生产控制，反馈优化纳米薄膜工艺，解决了纳米薄膜制备工艺参数难以精确调控，使得制备所得的薄膜均匀性不佳的技术问题，通过参数采集与分析，确定关键工艺参数，在减少计算量的基础上，保障寻优效果，进而使得构建的寻优效果更加准确，并通过联动传感器的实时监控，保障工艺参数精确执行，实现了制备工艺优化，从而提升制备所得的薄膜均匀性的技术效果。

公开(公告)号：CN118726932A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411178734.9

申请日：2024-08-27

申请人： 浙江理工大学

发明人： 石琳 ,  吴震宇 ,  庞锦涛 ,  程晓颖 ,  李红军 ,  应志平

IPC分类号： C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  G01B15/02

摘要： 本发明涉及一种基于微型压电传感器的薄膜参数监测方法，其包括如下步骤：1），提供需要制备薄膜的厚度与模量目标值；2），开始制膜，制膜过程中，数据处理单元通过基于微型压电传感器的薄膜参数提取方法，实时监测薄膜的厚度与模量预估值；显示单元将预估值显示；3），将步骤2）监测的薄膜厚度与模量的预估值，和步骤1）的目标值比较，控制单元根据比较关系判断完成制膜的时间节点，从而控制镀膜反应炉停止制膜。本发明的基于微型压电传感器的薄膜参数监测方法可以有效提高薄膜厚度与模量的监测精度，有效评估薄膜沉积质量，对高性能高质量沉积薄膜的制备具有重要意义。

公开(公告)号：CN118726914A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410774617.2

申请日：2019-07-24

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 韩尚辰 ,  朴俊河 ,  姜有珍 ,  金东昱 ,  卢喆来 ,  薛在完 ,  郑成镐 ,  许明洙 ,  徐敏逵

IPC分类号： C23C14/24 ,  H01L21/67 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  C23C14/04

摘要： 提供了一种用于制造显示装置的设备。所述用于制造显示装置的设备包括：腔室；多个源单元，位于腔室的外部，其中，多个源单元容纳沉积材料并将沉积材料转化为气体；喷嘴单元，位于腔室中，其中，喷嘴单元连接到多个源单元，并且将从多个源单元中的一个源单元供应的沉积材料喷射到腔室中；以及调节单元，位于多个源单元中的每个源单元与喷嘴单元之间，其中，调节单元使从多个源单元中的每个源单元供应到喷嘴单元的沉积材料中断，并且选择性地将多个源单元与喷嘴单元连接。

公开(公告)号：CN118715336A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022362.8

申请日：2023-01-18

申请人： 瑞士艾发科技

发明人： J·维查尔特

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/503 ,  C23C16/511 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01J37/34 ,  H01J37/32 ,  C23C14/04 ,  C23C14/22 ,  C23C16/04

摘要： 真空层沉积设备，其包括具有内部空间的真空涂覆室；构建为在所述内部空间中生成待沉积在基材上的材料的带正电粒子的材料源；具有暴露于所述内部空间的延伸的金属或介电材料表面的基材支架；Rf等离子体源，其包括：可电操作性Rf连接或电操作性Rf连接到Rf发生器的第一极耳的第一电极；可电操作性Rf连接或电操作性Rf连接到所述Rf发生器的第二极耳的第二电极；其中所述第一电极包含金属或介电材料的第一电极表面，并且是所述第一电极的整个表面的该部分自由暴露于所述内部空间；其中所述第二电极包含金属或介电材料的第二电极表面，并且是所述第二电极的整个表面的该部分自由暴露于所述内部空间；其中所述基材支架的所述延伸的表面是所述第一电极表面的至少一部分；和其中所述第二电极表面比所述第一电极表面大至少1.5倍。本发明进一步涉及在基材上真空工艺沉积层的方法。

公开(公告)号：CN118703965A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410760389.3

申请日：2024-06-13

申请人： 北京市科学技术研究院

发明人： 金小越 ,  庞盼 ,  陈琳 ,  罗军 ,  于湲 ,  马彤 ,  包放

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/22 ,  C23C14/54 ,  G16C20/20

摘要： 本发明公开了一种离子束沉积装置自清洁优化方法及系统，涉及薄膜沉积和材料改性技术领域，旨在通过自动化和智能化的手段，对离子束沉积装置进行定期或实时的清洁，以去除沉积过程中产生的杂质和污染物；通过集成在离子束沉积装置内的传感器，实时监测沉积室内的温度、压力、离子束强度等关键参数，以及沉积层的表面状态；利用先进的数据分析算法，对实时监测数据进行处理和分析，以预测杂质积累的趋势和位置，基于数据分析结果，自动制定个性化的自清洁策略，通过控制系统自动执行自清洁策略，无需人工干预。同时，系统还可以记录清洁过程中的数据，用于后续的分析和优化离子束沉积装置在半导体制造、材料科学等领域具有广泛应用。

公开(公告)号：CN118703961A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410883414.7

申请日：2024-07-03

申请人： 江西联创电子有限公司

发明人： 曾吉勇 ,  李洪 ,  王卓 ,  王宇 ,  刘丽

IPC分类号： C23C14/54

摘要： 本发明提供了一种光学薄膜膜厚监控装置，包括底壳、监控片、旋转件和保护片；底壳包括基板和环绕部，基板上开设有一镀膜孔，环绕部设置于基板上且位于镀膜孔外侧，环绕部和基板形成一容纳槽；监控片为环形结构且中部具有第一避让孔，监控片设置于容纳槽内且位于基板上，监控片至少部分覆盖镀膜孔；旋转件与监控片通过卡接相连，旋转件带动所述监控片绕第一避让孔在基板上旋转；保护片设置于环绕部上，保护片上设有观察孔，观察孔与镀膜孔对应设置。本发明可以通过监控片旋转监控不同阶段的膜层厚度，精确控制镀膜厚度，提升镀膜水平，也提升了量产镀膜的良率，该装置结构简单，拆装方便，提高了工作效率。

公开(公告)号：CN118703959A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410907642.3

申请日：2024-07-08

申请人： 南京埃帕克斯光学有限公司

发明人： 施亚琪

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  G02B1/10

摘要： 本申请涉及一种镀膜机的镜片翻转装置及光学镜片镀膜机，其涉及光学镜片镀膜加工领域，该镀膜机的镜片翻转装置包括安装座、镜片安装板和安装板驱动装置，安装座的中部设置有镜片板安装孔，镜片安装板上设置有多个镜片安装孔，镜片安装板安装在镜片板安装孔中，安装板驱动装置包括翻转部件、摆动部件和驱动部件，翻转部件和摆动部件设置在安装座与镜片安装板之间，以能够分别驱动镜片安装板在安装座上翻转和摆动，驱动部件设置在所述安装座上，分别与翻转部件和摆动部件驱动连接，能够提高光学镜片在镀膜机中的成膜均匀性。本申请还公开了一种包括本申请的镀膜机的镜片翻转装置的光学镜片镀膜机。

公开(公告)号：CN118703956A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410916555.4

申请日：2024-07-09

申请人： 广州德芯半导体科技有限公司

发明人： 何凯 ,  李若朋 ,  汪民 ,  许玉方

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/02

摘要： 本发明涉及一种基于移动磁场的磁控溅射镀膜方法及设备。其采用圆柱靶材和移动磁场进行磁控溅射，通过控制系统控制所述移动磁场改变磁力线的交汇位置，改变所述圆柱靶材的蚀刻跑道，从而改变刻蚀的位置，在靶材上实现不同位置的镀膜。磁控溅射镀膜设备包括主机本体、载物台、至少两个镀膜室和移动磁场，主机本体上设置控制系统和电源系统；载物台设置在所述主机本体上；镀膜室分别设置在所述载物台的周边，每一所述镀膜室内安装两个圆柱靶材；所述移动磁场设置在所述载物台上，且所述移动磁场的变化方向与所述载物台移动变化方向一致，通过所述控制系统控制运动。本发明能够提高靶材的利用率，减少更换靶材的时间，提高生产效率。

公开(公告)号：CN110616404B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201911073850.3

申请日：2019-11-06

申请人： 大连齐维科技发展有限公司

发明人： 郭方准

IPC分类号： C23C14/26 ,  C23C14/12 ,  C23C14/54

摘要： 本发明涉及超高真空设备领域，特别涉及一种插拔式高真空蒸发源。一种插拔式高真空蒸发源，包括插拔式底座和蒸发源主体，蒸发源主体与插拔式底座插拔式连接，所述蒸发源主体设置有加热机构，加热机构下端设置有测温机构，所述蒸发源还包括屏蔽机构，所述屏蔽机构开合式置于蒸发源主体进料口的上方。本发明插拔式结构紧凑，方便蒸发源的安装和拆卸以及源材料的装填和更换，且便于加热丝的维护，单个蒸发源均设有加热机构和屏蔽机构，可在真空腔室内部安装有多个装有不同材料的蒸发源，实现在一个基板上依次镀多种不同的材料，简化多种材料的镀膜步骤，保证镀膜质量，同时满足超高真空环境下样品的蒸发需求，温控范围为50℃‑600℃，便于生产加工及推广使用。

公开(公告)号：CN118688883A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410764124.0

申请日：2024-06-14

申请人： 安徽光智科技有限公司

发明人： 王振 ,  刘克武 ,  蔡宇轩 ,  李满仕 ,  梁献波

IPC分类号： G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  C23C14/26 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

摘要： 本发明属于红外镀膜技术领域，公开了一种硫化锌超宽带双波段增透保护膜，包括对称设置于硫化锌基底两侧的膜系结构，所述膜系结构从所述硫化锌基底内侧至外侧的方向依次为YF3层、ZnS层、YF3层、ZnS层、YF3层、ZnS层、YF3层、ZnS层、LaF3层，通过膜系结构的设置，可以提高光学镜片在0.4μm～1.1μm和8μm～12μm波段的平均透过率，并通过各个膜层互相配合提高膜系结构的耐久性。此外，本发明还公开了上述硫化锌超宽带双波段增透保护膜的制备方法，通过调整制备工艺和各个工艺参数，提高膜系结构的耐久性和透过率。