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公开(公告)号：CN118726954A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410722351.7
申请日：2024-06-05
申请人： 楚赟精工科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体设备的加热控制方法及控制系统，本发明的加热控制方法中，通过步骤Si得到第一加热区和第二加热区各自的第i最佳升温功率以进行第i升温过程，并且步骤S(i+n)根据目标温度相关参数，步骤Si中的预测温度相关参数，以及第一加热区和第二加热区各自的系统延迟修正值进行预测计算，使得下一步骤对最佳升温功率的预测均基于上一步骤所预测得到的预测温度相关参数，相比于基于上一步骤的实时温度相关参数对最佳升温功率进行预测，显著缩短了温度控制的平衡时间，且步骤S(i+n)的预测计算引入了步骤Si得到的各加热区的系统延迟修正值，减轻或避免S(i+n)执行过程中因系统响应延迟造成的温度稳定时间长且不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN118726950A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411227723.5
申请日：2024-09-03
申请人： 一塔半导体(安徽)有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/12 , C30B25/16 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种多片行星式MOCVD设备的气悬浮装置及MOCVD设备，本发明涉半导体技术领域，包括母盘；所述母盘上表面沿周向均匀布置至少3个基座，并且每个基座内均放置有1个载片盘；每个基座的中央均设有顶针以及环绕所述顶针等间距分布的至少3个出气孔；所述每个载片盘的背部均布有至少3条弧形导气槽；所述弧形导气槽围绕所述载片盘的中轴线旋转对称，所述载片盘的背部的中心还设有与所述顶针配合的旋转限位孔。使得载片盘悬浮更加稳定，同时在载片盘的背部设置了若干弧形导气槽，使得其旋转要更为稳定。气悬浮装置用出气孔代替传统的结构复杂的出气槽，达到同样的悬浮旋转的效果同时降低了母盘的加工难度，增加了母盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118726946A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411098412.3
申请日：2024-08-12
申请人： 上海原力芯辰科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/46
摘要： 本发明公开了一种卷对卷常压沉积设备及卷对卷常压沉积系统，涉及薄膜沉积技术领域。该卷对卷常压沉积设备包括放卷机构、反应装置及收卷机构，反应装置具有料带通道及多个依次连接的功能室，料带通道依次穿过多个功能室；多个功能室中包括ALD沉积室、两个正压隔离室、两个负压回流室及两个正压干燥室，两个正压隔离室分别处于料带通道的两端，两个负压回流室与两个正压隔离室分别连接，两个正压干燥室与两个负压回流室分别连接，ALD沉积室处于两个正压干燥室之间。本发明提供的卷对卷常压沉积设备能够在常压环境下对柔性基底进行ALD沉积，从而显著提升柔性基底的膜层生长效率与生长品质。
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公开(公告)号：CN118726944A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310323441.4
申请日：2023-03-29
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/44 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种气源供给系统及化学气相沉积设备，防止气体泄漏的气源供给系统包括反应物存储装置、第一箱体、第二箱体和反应物输出管道；所述反应物存储装置套设于所述第一箱体内，所述第一箱体内的压力为正压；所述第一箱体套设于所述第二箱体内，所述第二箱体内的压力为负压；所述反应物输出管道的一端与所述反应物存储装置连通，所述反应物输出管道的另一端作为所述气源供给系统的输出端。本发明的气源供给系统采用“多箱体”结构，通过设置内外压力差，能够有效防止气体泄漏，提升操作和环境安全性。
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公开(公告)号：CN118703974A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410871760.3
申请日：2024-07-01
申请人： 上海晶丰同创半导体技术有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种气体喷淋装置和化学气相沉积反应器，属于化学气相沉积技术领域。气体喷淋装置包括多层从上到下依次堆叠的进气单元，相邻两层所述进气单元的环形外壁的直径不同，且环形外壁上均布有出气孔；多个进气通道，所述进气通道与对应的所述进气单元连通，且与上层的所述进气单元连通的所述进气通道的通道外壁内套设有与下层的所述进气单元连通的所述进气通道的通道外壁。本发明根据不同气体性质设计不同的流动距离，从而增加了对流动距离调节的自由度，调节的灵活性大幅提升。更有利于调出流动特性更优的流场分布，能大幅提升工艺效果。
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公开(公告)号：CN118703972A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410778808.6
申请日：2024-06-17
申请人： 重庆理工大学
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/30 , C23C16/52 , C23C16/448
摘要： 本发明公开了卤化物制备领域的一种卤化物钙钛矿薄膜的雾化辅助CVD设备，包括：雾化模块，包括雾化罐、雾化发生器和温度调控装置，温度调控装置包覆设于雾化罐外周和底部，温度调控装置用于阻隔雾化发生器发出的热量；缓冲模块；反应模块，反应模块用于为钙钛矿粉体和薄膜反应提供环境；加热模块，用于对反应模块加热；尾气处理模块；控制模块用于对雾化模块、反应模块和加热模块进行控制；以及一种制备方法；本发明的有益效果为：通过设置温度调控装置能有有效防止雾化发生器在工作时发出的热量传递到雾化罐内使得反应物提前结晶，提升了制备效果和产品的质量，并且雾化发生器独立设置可随时更换，减少了停机时间和使用成本。
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公开(公告)号：CN118685755A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310294661.9
申请日：2023-03-23
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/50 , H01L21/3115 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种基于BPSG掺杂SiO2薄膜的优化方法及芯片，方法包括采取PECVD设备进行工艺制备，获取第一预设硼磷掺杂比例、气体浓度，以及工艺条件下的BPSG薄膜沉积厚度；创建平面应变模型，将沿着波导厚度沉积方向的热应变限制为零，并利用平面应变模型获取波导厚度沉积方向的热应变所产生的热应力；变换材料沿着波导厚度沉积方向的热膨胀系数，消除波导厚度沉积方向的热应变所产生的热应力，并利用平面应变模型计算出BPSG薄膜沉积的实际厚度。本发明考虑热应力对平面应变模型的影响并进行优化，消除优化后的平面应变模型沿波导厚度沉积方向的热应力，通过优化后的平面应变模型预测的薄膜沉积厚度尺寸更小，有效的降低芯片的尺寸，降低芯片成本。
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公开(公告)号：CN116364805B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310212773.5
申请日：2023-03-03
申请人： 天合光能股份有限公司
发明人： 刘成法
IPC分类号： H01L31/18 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明提供一种半导体工艺方法，包括预沉积步骤和其后至少进行一次的工艺沉积步骤，预沉积步骤包括：以第一流量向工艺腔室中通入预设工艺气体，并使预设工艺气体热分解，以在工艺腔室内部结构的表面沉积形成预沉积层；工艺沉积步骤包括：以第二流量向工艺腔室中通入预设工艺气体，并使预设工艺气体热分解，以在晶圆的表面沉积形成工艺膜层；第一流量大于第二流量。在本发明中，预沉积步骤中通入预设工艺气体的第一流量大于工艺沉积步骤中通入预设工艺气体的第二流量，从而使致密的附着膜层与石英结构的表面之间间隔一层与石英件贴合不紧密且疏松的预沉积层，延长了石英件的使用寿命，本发明还提供一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN111826631B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010288971.6
申请日：2020-04-14
申请人： ASM IP私人控股有限公司
发明人： J.弗鲁伊特
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/283
摘要： 提供了在衬底上沉积包含钼的层的方法和装置，做法是在反应室中向衬底供给包含二氯二氧化钼(VI)的前体及包含硼和氢的第一反应物以反应和形成钼层。包含硼和氢的第一反应物可为乙硼烷。
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公开(公告)号：CN118676018A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410068188.7
申请日：2024-01-17
申请人： 爱思开矽得荣株式会社
摘要： 公开了一种晶片制造系统，包括配置成用于生长EPI晶片的外延(EPI)装备和具有配置成用于控制EPI装备的处理器的控制机架设备，其中处理器配置成用于收集至少一个X参数，以基于收集的至少一个X参数来预测在EPI晶片上生长的EPI层的厚度，将EPI层的预测厚度与EPI层的测量厚度进行比较和分析，并重复执行学习直至比较和分析的结果值在预定的目标厚度范围内。
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