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公开(公告)号：CN118639330A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410662641.7
申请日：2020-11-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C30B29/34 , G01T1/202 , C30B28/02 , C30B15/00 , C30B11/00 , C30B17/00 , C30B15/08 , C04B35/50 , C04B35/16 , C04B35/18
摘要： 本发明提供一种共掺杂型性能改善的稀土正硅酸盐闪烁材料，所共掺杂型性能改善的稀土正硅酸盐闪烁材料按化学式RE2(1‑x)Ce2xSi(1‑y)MyO5设计配料，其中RE为稀土离子，所述RE选自La、Gd、Lu、Y中的至少一种，M为选自铝Al、硼B、碳C、磷P、钒V、铁Fe、锗Ge、砷As、硒Se、碲Te中至少一种的取代离子；0＜x≤0.05，0.003≤y≤0.1。
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公开(公告)号：CN118563415A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410600175.X
申请日：2024-05-14
申请人： 芜湖东旭光电装备技术有限公司 , 东旭光电科技股份有限公司
发明人： 郑煜
摘要： 本发明涉及蓝宝石废料回收利用技术领域，尤其公开了一种晶体的制备方法，其包括以下步骤：S1、碎晶块表面清洗后脱水烘干；S2、置于真空炉内表面金属杂质挥发处理后湿法化学处理，去离子水过滤烘干，得到蓝宝石晶体生长用晶体料；S3、坩埚中间装填蓝宝石晶体生长用晶体料，底部、周边和初始原料缝隙装填氧化铝细料；S4、置于长晶炉，抽真空加热，直到完全熔化形成熔体后恒定功率加热煮料，调整功率进行后续生长，制得蓝宝石晶体。本发明通过对掏棒过程中未被完全利用的废弃晶体进行破碎、清洗、高温真空金属杂质挥发处理、湿法化学处理、清洗和烘干，使其达到高质量蓝宝石晶体生长原料的需要，有效减少资源浪费，节约原料采购成本。
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公开(公告)号：CN118186573A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410456829.6
申请日：2024-04-16
申请人： 三嵩(天津)光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种利用主加热器和副加热器的掺杂蓝宝石生长方法，属于晶体生长技术领域。所述生长方法包括以下步骤：(1)将坩埚放置在掺杂蓝宝石生长装置中保温装置的保温腔内；(2)通过控制主加热器，控制坩埚内的掺杂氧化铝原料融化成熔体程度以及间接控制坩埚底部的籽晶融化程度；(3)通过控制加热导热板的副加热器的功率，精确控制籽晶融化程度；(4)控制主加热器开始降温，在降温完成后移动冷却杆使得开始下降坩埚，同时缓慢打开坩埚底部的保温装置的底部保温部和侧保温筒之间的间隙，直至晶体生长完成；(5)进入退火程序。
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公开(公告)号：CN117737820A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311778704.7
申请日：2023-12-21
申请人： 山东省科学院新材料研究所
摘要： 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及红外非线性光学晶体的制备方法；本发明中红外非线性光学晶体分子式为SrZnSnSe4，制备方法包括顶部籽晶生长法和助熔剂生长法；本发明提供的一种红外非线性光学晶体的制备方法，制备过程中不需要真空硅管封装技术和使用保护气氛，利用本发明中的制备方法制得的晶体，其生长周期短，晶体直径可达厘米级以上。
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公开(公告)号：CN116949560B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311202103.1
申请日：2023-09-18
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，具有炉盖和炉室，炉盖上设有横移通道；蓝宝石提拉轴，可活动地穿设于横移通道；及保温结构，位于炉室内，具有顶壁和容纳坩埚的保温腔，顶壁设有供蓝宝石提拉轴进入保温腔的升降通道；横移通道具有第一端和第二端，升降通道与第一端错位设置且与第二端正对设置，蓝宝石提拉轴能够处于第一端和第二端。本发明的优点在于：在煮料阶段，蓝宝石提拉轴移动至第一端，从而与升降通道错开，进而远离从升降通道飘出的气态杂质，这样可以降低蓝宝石提拉轴所携带的籽晶被气态杂质污染的程度，有利于生长高质量的蓝宝石晶体。
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公开(公告)号：CN116949561B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311209613.1
申请日：2023-09-19
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉及蓝宝石晶体生长方法，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，包括炉盖和炉壁，炉盖和炉壁围设形成炉室，炉盖开设有第一横移通道；保温结构，位于炉室内，具有顶壁和保温腔，顶壁开设有第二横移通道，第二横移通道和第一横移通道沿着同一水平方向延伸；坩埚，位于保温腔内，具有用于生长蓝宝石晶体的长晶区；投料通道，依次贯穿炉盖和顶壁，投料通道所在的轴线位于长晶区外；及蓝宝石提拉轴，依次穿设第一横移通道和第二横移通道。在蓝宝石晶体生长过程中，可以通过投料通道向坩埚内补充氧化铝原料，从而生长出更大尺寸的蓝宝石晶体；蓝宝石提拉轴能够沿着水平方向移动以实现偏心引晶，从而提高晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN116949557B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311202055.6
申请日：2023-09-18
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种保温结构及蓝宝石晶体生长炉，该保温结构包括：保温层，具有顶壁和容纳坩埚的保温腔，顶壁开设有用于蓝宝石提拉轴穿设的升降通道，升降通道与保温腔连通；及密封件，连接于顶壁且密封升降通道，包括易熔部和连接易熔部的密封本体，易熔部由助剂制成，密封本体由助剂和/或氧化铝制成，密封本体通过易熔部与顶壁连接。本发明的优点在于：在煮料阶段的前一段时间内，具体是在密封件处的温度上升至易熔部的熔点之前的一段时间内，可以通过密封件密封升降通道，从而防止煮料阶段出现的气态杂质通过升降通道上飘而污染籽晶，进而保证蓝宝石晶体的生长质量。同时也能够提高保温层的保温性能，提高蓝宝石晶体生长炉的煮料效率。
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公开(公告)号：CN116926661B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311209635.8
申请日：2023-09-19
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉及蓝宝石晶体生长方法，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，包括炉盖和炉壁，炉盖和炉壁围设形成炉室；保温结构，位于炉室内，具有保温盖和保温腔；坩埚，位于保温腔内，具有用于生长蓝宝石晶体的长晶区；及，投料通道，依次贯穿炉盖和保温盖，投料通道所在的轴线位于长晶区外。本发明的优点在于：在使用本发明提供的蓝宝石晶体生长炉时，可以在蓝宝石晶体生长过程中通过投料通道向坩埚内补充氧化铝原料，从而生长出更大尺寸的蓝宝石晶体。
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公开(公告)号：CN116575114B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310863980.7
申请日：2023-07-14
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种引晶方法，包括：控制籽晶进行引晶以形成晶结；当所述晶结的底锥开始生长后，控制所述底锥在熔融液面处移动，以使所述底锥在所述熔融液面处的横截面半径变化；获取所述底锥在移动前位于所述熔融液面处的横截面半径、所述底锥在移动后位于所述熔融液面处的横截面半径、所述晶结的移动距离以及所述晶结在移动前后的称重值变化量中的三个数据；基于获得的三个数据，获得所述底锥的顶角值；基于所述底锥的顶角值调节引晶过程中的控制参数。本发明解决了底锥的顶角值在熔融液面下方无法被检测的问题。
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公开(公告)号：CN116949558A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311202056.0
申请日：2023-09-18
申请人： 内蒙古晶环电子材料有限公司 , 宁夏鑫晶盛电子材料有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石提拉轴及蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：上分轴；下分轴，与上分轴可活动连接；及形变动力件，设于上分轴与下分轴之间，具有伸展推动下分轴相对上分轴移动的触发状态。本发明的优点在于：当需要引晶时，保持上分轴静止，同时形变动力件进入触发状态，形变动力件发生伸展从而推动下分轴向下移动，以使籽晶接触熔汤。在该过程中，形变动力件的伸展和下分轴的移动均不会导致波纹管发生压缩，从而防止波纹管内温度较低的气体进入蓝宝石晶体生长炉的炉室内而影响炉室内的热场分布，避免对蓝宝石晶体的生长产生不利影响。
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