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公开(公告)号：CN118731630A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410746949.X
申请日：2024-06-11
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/26 , G01R31/12
摘要： 本发明公开了一种一侧粘连硅胶的陶瓷覆铜板界面电位测量方法及装置，包括界面电位测量单元、光学系统和采集系统；界面电位测量单元的界面电位测量元件上方放置一侧粘连硅胶的陶瓷覆铜板；光学系统激光出射单元激光束至界面电位测量元件的两侧，界面电位测量元件反射带有界面电位测量元件两侧偏振分量的相位差的椭圆偏振光，通过计算采集相位差得到界面电位测量元件两侧的电位差，进而获取电压分压比，得到一侧粘连硅胶的陶瓷覆铜板界面电位。本发明能够实现半导体芯片状态的非侵入式在线监测，解决反应界面的二维平面状态信息、最低检测阈值过高，灵敏度差的问题，具有较高的时间分辨率和空间分辨率。
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公开(公告)号：CN118275845A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410418514.2
申请日：2024-04-09
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265
摘要： 本发明公开了一种变温变磁场变光强多功能载流子输运测试系统及测量方法。所述测试系统包括一电磁铁系统为测试样品提供电磁场；一可变温恒温器系统用于对测试样品控温；一激光器系统为测试样品提供光源；一少子寿命测量系统用于测试样品的少子寿命；一电学仪器和计算机系统用于测试过程的控制，保证测试的自动化，及后续的数据处理；一水冷机用于给制冷机、及电磁铁电源降温；一真空泵用于给可变温恒温器的腔体抽真空。本系统的优点在于可以直接观察激光辐照时光生载流子的行为，同时可以获得测试样品在变温条件下的少子寿命参数。
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公开(公告)号：CN118091358A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410519310.8
申请日：2024-04-28
申请人： 四川映塞科技有限责任公司
IPC分类号： G01R31/265 , H01L21/66 , G01R31/26 , G01R27/02
摘要： 本发明属于半导体测试技术领域，其目的在于提供一种半导体测试系统及其工作方法。本发明公开了一种半导体测试系统及其工作方法。其中的半导体测试系统包括主控模块、激光发射模块、电容式传感器和采样信号处理模块。本发明在实施过程中，由于通过激光发射模块向被测件发射脉冲光，以通过被测件的反射脉冲光实现对被测件的方阻测量，可避免测试过程中与被测件直接接触，由此避免被测件受损的问题，保证了被测件在进行测试时的完整性，同时可避免本发明受损，使得本发明在长期使用时的测试准确率更为稳定，可重复性更好，具备推广应用的价值。
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公开(公告)号：CN117630621A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311543034.0
申请日：2023-11-17
申请人： 中国空间技术研究院
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265
摘要： 本发明涉及一种SiC MOSFET器件单粒子效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET单粒子效应试验。本发明可以解决SiC MOSFET的单粒子试验问题，实现对SiC MOSFET在空间环境中单粒子效应的试验评估。在试验过程中，对空间环境中器件受到的辐照注量进行计算，根据计算结果确定辐照试验离子注量和线性能量传输(LET)，对器件进行重离子辐照，辐照后进行测试，对测试结果进行综合分析计算，可以给出SiC MOSFET器件抗单粒子效应能力是否满足任务要求，解决SiC器件空间应用面临的单粒子效应评估难题，给用户进行SiC器件选择及加固设计提供支持，推动SiC器件空间应用。
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公开(公告)号：CN112526313B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202010852061.6
申请日：2020-08-21
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： G01R31/265
摘要： 提供无需使用通过使用了加速器等大型的放射线设施的实验得到的数据，就能够对半导体元件的SEB耐性进行评价的SEB耐性评价装置及SEB耐性评价方法。SEB耐性评价方法具有以下步骤：在半导体元件的模型内配置激励光源；以及一边改变向半导体元件的模型的施加电压及激励光源的能量，一边求出使半导体元件热失控的激励光源的能量。
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公开(公告)号：CN117233570A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311443088.X
申请日：2023-11-01
申请人： 北京卓立汉光分析仪器有限公司 , 北京卓立汉光仪器有限公司
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/26 , G01R1/04 , G01R1/02
摘要： 本发明公开了一种用于半导体光电器件瞬态光电性能测试的测试系统，包括：测试台，固定待测器件；稳态光源，发射稳态光照射待测器件，以在其内部生成稳态光电压信号；瞬态脉冲光源，发射脉冲光照射待测器件，以在其内部生成瞬态光电压信号；光路选择单元，切断或开启稳态光和脉冲光对待测器件的照射；光强调节单元，设置在瞬态脉冲光源与待测器件之间，以调节脉冲光；信号采集单元，与待测器件构成测试回路且采集稳态光电压和瞬态光电压信号；电位器，并联设置在信号采集单元两端；信号发生器，生成脉冲电压信号，以选择性加载在测试回路中；以及控制单元，控制测试系统执行线性增压电荷抽取测试、瞬态光电压测试和瞬态光电流测试中的任一种。
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公开(公告)号：CN117192315A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310506061.4
申请日：2023-05-05
申请人： 安庆师范大学
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265 , G01M11/00
摘要： 本发明公开了基于良率分项的半导体光电器件非接触测试装置及方法，包括位于测试区域的多种测试项，每种测试项有多个，将每种测试项按照良率从小到大排序，每个测试项正对着一个短接装置，所述短接装置包括金属板以及放置于金属板上方的待测件，待测件的发光面正对测试项的受光方向，每个短接装置还正对着一个感应线圈，所有短接装置对应的感应线圈以及脉冲电源串联连接；本发明的优点在于：考虑测试过程中良率对测试的影响，大大减少测试时间，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN116660707A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310586432.4
申请日：2023-05-23
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265
摘要： 本发明公开了一种基于连续/纳秒脉冲组合激光的激光辐照加强方法及系统，方法包括以下步骤：构建连续/纳秒脉冲组合激光，所述连续‑纳秒脉冲组合激光包括连续激光和纳秒脉冲激光；使用连续/纳秒脉冲组合激光对硅基PIN光电探测器进行辐照；系统包括连续激光模块、纳秒激光模块、空间合束模块和系统控制模块。本发明能够达到快速使光电探测器失效的效果，损伤阈值低，损伤效率高。
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公开(公告)号：CN116520125A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310610296.8
申请日：2023-05-26
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/26 , G01N21/63 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种载流子有效扩散长度的测试方法及测试系统。所述测试方法包括：提供第一外延结构和第二外延结构；使激光分别照射产生光生载流子，扩散至多量子阱层中产生复合发光，形成光致发光光谱；基于光致发光光谱获得第一光致发光强度、第二光致发光强度；基于与对应的测试层的厚度的相关关系，计算测试层中的载流子有效扩散长度。本发明所提供的测试方法无需切割破片，更方便于实际应用，也有望用于整片多点扫描式的测试；测试成本低，方法简单，可操作性强；评估得到的是测试层中的载流子有效扩散长度，反映了外延层整体的载流子输运能力；测试得到的为垂直于外延片表面方向上的扩散长度，有利于直接反映垂直器件的载流子输运特性。
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公开(公告)号：CN116298751A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310170384.0
申请日：2023-02-27
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265
摘要： 本发明涉及一种激子传输器件的激子观察方法，包括：获取激子传输器件，激子传输器件包括二维半导体单层和与其连接的第一电极、第二电极；在室温下，通过对所述第一电极施加水平电场，同时使第二电极接地，以驱动所述二维半导体单层中的激子传输；通过光照实现对所述二维半导体单层的上表面进行全覆盖照射，以观察二维半导体单层中的激子发光亮暗变换，根据所述激子发光亮暗变换得到激子传输情况。本发明能够对二维材料激子器件中单层内的激子进行有效观察，基于观察到二维半导体单层内的激子情况，真正使激子传输器件在光电转换和片上信息传输领域具有广阔的应用前景。
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