-
公开(公告)号：CN118966096A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411012015.X
申请日：2024-07-24
申请人： 深圳市速腾聚创科技有限公司
IPC分类号： G06F30/33 , G06F30/337
摘要： 本申请实施例涉及芯片设计技术领域，公开了一种芯片的安全设计方法、电子设备及存储介质，该芯片的安全设计方法，通过在芯片的设计过程中进行功能安全仿真，确定芯片的每一个模块对应的诊断覆盖率，进一步基于每一个模块对应的诊断覆盖率以及每一个模块对应的权重，计算芯片对应的诊断覆盖率，通过迭代调整模块对应的功能安全模块，使得芯片对应的诊断覆盖率满足预设的功能安全等级，本申请能够在芯片设计阶段实现芯片的安全验证，从而保证芯片的安全性。
-
公开(公告)号：CN118940693A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411426351.9
申请日：2024-10-14
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC分类号： G06F30/337 , G06F30/3308 , G06F30/398 , G06F119/02 , G06F113/18 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种基于MOPSO的存算一体芯粒2.5D封装可靠性智能优化方法，包括如下步骤：S1.确定2.5D封装结构关键凸点参数；S2.按照田口正交实验划分的水平组合建立2.5D封装结构的等效有限元模型；S3.采用百分制加权评判法和信噪比的极差分析法，确定参数排名；S4.通过信噪比的极差分析法实现多目标综合评判，按照计算得出的权重占比进行百分制加权，得到不同水平组合的综合评分，确定最优2.5D封装结构参数方案；S5.采用最小二乘法对应力、翘曲以及综合评分的函数进行拟合；S6.采用MOPSO模型对多个目标变量进行寻优。本发明能够提前规避因翘曲、应力过大而导致产品可靠性失效的风险。
-
公开(公告)号：CN118940692A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310537647.7
申请日：2023-05-12
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： G06F30/3315 , G06F30/337 , G06F30/3308 , G06F111/08
摘要： 本发明提出一种关键路径分析方法与电子装置，该关键路径分析方法包括：取得关于数字电路的多条关键路径；根据关键路径的级数对关键路径进行排序并将这些关键路径分成多个批次；以及使用集成电路模拟程序依序对批次进行分析以产生关于关键路径的静态时序分析结果。
-
公开(公告)号：CN118940690A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410962815.1
申请日：2024-07-18
申请人： 广州概伦电子技术有限公司
IPC分类号： G06F30/3308 , G06F30/337
摘要： 本发明公开一种SiC‑MOSFET建模方法，包括确定当前拟合温度temp，基于当前拟合温度和室温分别确定随温度变化的线性区综合跨导系数Kplin和随温度变化的饱和区综合跨导系数Kpsat，基于所确定的线性区综合跨导系数Kplin和饱和区综合跨导系数Kpsat确定出IV特性电流Imos，IV特性电流Imos基于SiC‑MOSFET所处不同区采用不同的公式表征，确定CV特性，CV特性由栅源电容Cgs、漏源电容Cds和栅漏电容Cgd所决定，栅源电容Cgs为静态电容，漏源电容Cds基于漏源电压和第一预设阈值的大小关系采用对应公式表征，栅漏电容Cgd基于栅漏电压与漏极内部的阈值电压的和与第二预设阈值的大小关系采用对应公式表征。本发明能够很好地拟合与实际相符的IV特性和CV特性。
-
公开(公告)号：CN118690698B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411188714.X
申请日：2024-08-28
申请人： 中茵微电子(南京)有限公司
发明人： 刘德启
IPC分类号： G06F30/3312 , G06F30/337
摘要： 本发明涉及一种高速LPDDR电路设计的功耗优化方法及系统，属于芯片设计管理技术领域，获取高速LPDDR电路分布模型图中的异常传输电路，并构建气泡图分析异常电路处于信号传输速率下对应的实际运行温度值，得到待优化的功耗异常电路；基于实际波形干扰失真率调整待优化的功耗异常电路与邻近信号电路之间的间距，并获取相应的干扰屏蔽技术进行应用，以降低串扰优化功耗；通过获取制造工艺变化下存储器访问待优化的功耗异常电路的访问冲突率以计算出校准后的时钟缓冲器，并基于校准后的时钟缓冲器优化时钟路径。本发明能够对高速LPDDR电路设计过程中的功耗进行精准高效的优化，提升高速LPDDR电路的运行速率和稳定性。
-
公开(公告)号：CN118898222A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410971857.1
申请日：2024-07-19
申请人： 上海概伦电子股份有限公司
发明人： 米哈伊洛夫·康斯坦丁·弗拉基米罗维奇 , 鲁萨科夫·亚历山大·谢尔盖耶维奇 , 马玉涛
IPC分类号： G06F30/33 , G06F30/337
摘要： 本披露公开了一种用于处理工艺描述文件的方法及其相关产品，其中该方法包括：响应于用户指令，加载至少一个所述工艺描述文件，其中所述工艺描述文件包括与制造效应函数相关的制造效应参数；在第一图形用户界面中向所述用户显示所述制造效应参数；以及响应于所述用户在第一图形用户界面中对所述制造效应参数的操作，在所述第二图形用户界面中绘制出所述制造效应函数的图形表示。利用本披露的方案，能够简化发展、调试、分析及转换的寄生提取过程描述，加速工艺开发工具包的开发，并提高寄生提取与硅测量的相关性。
-
公开(公告)号：CN114330187B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111581085.3
申请日：2021-12-22
申请人： 无锡中微亿芯有限公司
IPC分类号： G06F30/337
摘要： 本申请公开了一种基于数据流向和频率形成平面规划的FPGA布局方法，涉及FPGA技术领域，该方法通过分析关键数据流的数据流向和时序要求，得到与关键数据流的传输带宽相关的约束区域条件，继而确定关键数据流的约束区域，然后将关键数据流包含的所有实例模块摆放在约束区域内来减少时延从而满足时序要求，实现在正式布局前的局部平面规划，减小布局难度，优化布局结果。
-
公开(公告)号：CN118821677A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410547834.8
申请日：2024-05-06
申请人： 国家电网有限公司华中分部 , 武汉大学
IPC分类号： G06F30/33 , G06F30/337
摘要： 一种双芯对称型移相变压器的参数优化方法及系统，该方法首先基于构建的双芯对称型移相变压器的电磁暂态模型，计算双芯对称型移相变压器的内相移角，再根据移相范围，得到双芯对称型移相变压器的关键电气参数，最后将参数输入到电磁暂态模型中进行仿真验证，若仿真验证通过，则得到双芯对称型移相变压器的关键电气参数；若仿真验证不通过，则引入修正不平衡系数对双芯对称型移相变压器的漏磁磁导进行修正，并基于修正后的漏磁磁导重新计算内相移角。本发明通过建立双芯对称型移相变压器的电磁暂态模型，根据有限元仿真结果引入修正不平衡系数对电磁暂态模型中的电气参数进行调整，对双芯对称型移相变压器的关键技术参数进行更精确的计算和设计。
-
公开(公告)号：CN118798101A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410900197.8
申请日：2024-07-05
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/33 , G06F30/337
摘要： 本发明公开了基于矩阵不变量的S‑box仿射等价判定方法、计算机程序及终端，属于数字集成电路与密码学的技术领域，包括：对S‑box进行零点化操作，通过零点化操作，原仿射等价问题可以转化为2n个线性等价问题；利用标准正交空间矩阵(SOSM)的秩在AE变换下保持不变的性质，使用深度优先搜索方法还原出线性等价变换系数，从而判定其仿射等价性。本发明采用搜索方法找到相应的仿射变换，用SOSM对搜索过程进行剪枝，不仅保证了结果的正确性，还能大大缩小时间复杂度，提高了算法的效率。
-
公开(公告)号：CN118520826B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410981490.1
申请日：2024-07-22
申请人： 奇捷科技(深圳)有限公司
IPC分类号： G06F30/333 , G06F30/337
摘要： 本发明提出了一种进行扫描链ECO的系统和方法，该方法接收用户输入的原始网表作为第一输入信息，所述原始网表中包含原始设计中的扫描链信息；接收用户输入的寄存器修改列表和Scan DEF文件作为第二输入信息，所述寄存器修改列表用于指示待上链和/或待下链的寄存器信息；根据所述第一输入信息和所述第二输入信息对所述原始网表执行修改操作，完成第二输入信息中寄存器清单的上链和/或下链，得到修改后的扫描链网表；将修改后的扫描链网表并返回给用户；该方法能够准确高效地完成对原始网表的修改，防止因为Functional ECO等操作导致的测试覆盖率损失。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
800 条记录 (耗时 0.02 秒)
