-
公开(公告)号：CN101133308A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680007086.4
申请日：2006-03-01
申请人： 英飞康有限责任公司
IPC分类号： G01L21/30 , G01L21/32 , G01L21/34 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J41/00 , H01J41/02 , H01J41/04 , H01J41/06 , H01J41/08 , H01J41/10 , H01J19/00 , H01J19/02 , H01J19/04 , H01J19/10
CPC分类号： G01L21/32 , G01L21/12 , H01J1/3042 , H01J41/04
摘要： 本发明提出一种发射电子的阴极(6)，它由装接到由不锈钢制成的侧壁(2)上的导电的发射层(7)和门(9)，将该门以很小的距离固定在发射层(7)的凹入的发射表面的内部。阴极(6)围绕着一个反应区域(3)，该反应区域包含一个圆柱形的筛网状的阳极(5)和一个位于中心的离子收集器(4)，该离子收集器包括一直的轴向细丝。电流计(11)测量反映在反应区域(3)中气体密度的离子收集器电流(IIC)，同时将门电压(VG)保持在发射层(7)的地电压与较高的阳极电压(VA)之间，并且调节门电压，其方式使得将阳极电流(IA)保持不变。发射层(7)可包括碳纳米管，金刚石状的碳，一种金属或一种金属混合物，或者一种半导体材料，半导体材料例如是可以比如用碳化物或钼涂布的硅。然而，发射表面也可是例如被化学刻蚀过程变粗糙的侧壁的内表面的一部分。门(9)可以是一种筛网，或者，它可以包括覆盖分布在发射区上的隔离器的金属薄膜小片或覆盖设置在发射表面上的电子可穿透层的一层金属薄膜。
-
公开(公告)号：CN1181613A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97121265.1
申请日：1997-10-30
申请人： 摩托罗拉公司
CPC分类号： H01J3/022 , H01J2201/025
摘要： 场致发射器件包括一个支承在底;一个形成于其上的阴极;多个电子发射体;多个栅控提取电极,它们被放置得贴近多个电子发射体,用于使电子发射体产生电子发射体;一个主要介质表面放置在多个栅控提取电极之间;一个电荷耗散层,形成于主要介质表面上;和一个同栅控提取电极隔开一定距离的阳极。
-
公开(公告)号：CN118974867A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202280094591.6
申请日：2022-04-12
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01J19/00
摘要： 本申请提供一种电子源芯片及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决目前的电子源芯片不能兼容高压并应用于高压场景的问题。该电子源芯片的驱动电路单元和针尖单元采用不同的衬底，即分别采用第一衬底和第二衬底。驱动电路单元堆叠于针尖单元上，且驱动电路的连接触点与针尖结构电连接，可以使驱动电路对针尖结构中的两个电极施加电压，使针尖结构产生电场，以使针尖结构发射电子。驱动电路和针尖结构分别设置在不同的衬底上，驱动电路单元可以单独制作，使得驱动电路可以选择更多的电路结构，满足更多的场景需求，如可以选择能够驱动更高电压的高压电路等。
-
公开(公告)号：CN100388404C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200310123737.4
申请日：2003-12-02
申请人： 双叶电子工业株式会社
CPC分类号： H01J1/63 , C09K11/0811 , C09K11/565 , C09K11/623 , C09K11/642 , C09K11/673 , C09K11/7703 , C09K11/7787 , C09K11/7789
摘要： 本发明涉及一种暖发光色的荧光体及荧光显示器件。通过混合无镉的红发光色荧光体和同样无镉的绿色系发光色荧光体，提供一种混合荧光体，其中混合荧光体的发光色为从黄色至橙色范围内的暖色。而且在该混合荧光体中，硫组分被除去或少于常规的暖发光色荧光体的量。因此，暗纹不会出现或可延迟暗纹出现时间，从而提供具有改善显示质量的荧光显示器件。
-
公开(公告)号：CN100342518C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410031053.6
申请日：2004-04-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C14/00 , C23C16/00 , H01J3/00 , H01J19/00 , H01J37/00
CPC分类号： H01L21/67207 , C23C16/54 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67201
摘要： 本发明涉及用于处理待处理物体的处理设备、处理方法、压力控制方法、被处理物体传送方法以及传送设备。提供了一种可以有效地进行多个处理的被处理物体处理设备。多个处理系统可连通地在一线连接在一起并在其中处理被处理物体。负载锁定系统可连通地连接到处理系统并具有将被处理物体送进和送出每个处理系统的传送机构。至少一个处理系统是真空处理系统，负载锁定系统设置在适当的位置以与处理系统形成一线。
-
公开(公告)号：CN101133308B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200680007086.4
申请日：2006-03-01
申请人： 英飞康有限责任公司
IPC分类号： G01L21/30 , G01L21/32 , G01L21/34 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J41/00 , H01J41/02 , H01J41/04 , H01J41/06 , H01J41/08 , H01J41/10 , H01J19/00 , H01J19/02 , H01J19/04 , H01J19/10
CPC分类号： G01L21/32 , G01L21/12 , H01J1/3042 , H01J41/04
摘要： 本发明提出一种发射电子的阴极(6)，它由装接到由不锈钢制成的侧壁(2)上的导电的发射层(7)和门(9)，将该门以很小的距离固定在发射层(7)的凹入的发射表面的内部。阴极(6)围绕着一个反应区域(3)，该反应区域包含一个圆柱形的筛网状的阳极(5)和一个位于中心的离子收集器(4)，该离子收集器包括一直的轴向细丝。电流计(11)测量反映在反应区域(3)中气体密度的离子收集器电流(IIC)，同时将门电压(VG)保持在发射层(7)的地电压与较高的阳极电压(VA)之间，并且调节门电压，其方式使得将阳极电流(IA)保持不变。发射层(7)可包括碳纳米管，金刚石状的碳，一种金属或一种金属混合物，或者一种半导体材料，半导体材料例如是可以比如用碳化物或钼涂布的硅。然而，发射表面也可是例如被化学刻蚀过程变粗糙的侧壁的内表面的一部分。门(9)可以是一种筛网，或者，它可以包括覆盖分布在发射区上的隔离器的金属薄膜小片或覆盖设置在发射表面上的电子可穿透层的一层金属薄膜。
-
公开(公告)号：CN1975980B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610160637.2
申请日：2006-11-29
申请人： 东芝照明技术株式会社
IPC分类号： H01J61/02 , H01J61/52 , H01J19/00 , F21V29/00 , F21Y103/00
摘要： 本发明提供一种包括点灯装置的薄型且小型的荧光灯装置。该荧光灯装置使点灯装置以及灯座部的温度降低。在设置于天花板(2)的插座装置(10)上，以可装卸的方式安装有荧光灯装置(11)。荧光灯装置(11)在本体(21)的内部的点灯装置收容部(20)内收容有点灯装置(22)。在本体(21)上一体地设置GX53型的灯座部(23)。在本体(21)的下表面侧安装荧光灯(24)。用灯罩(25)覆盖荧光灯(24)连同本体(21)的下表面侧。本体(21)包括固定器(31)、隔板(32)以及灯座体(33)。因为固定器(31)是铝制的，所以可使荧光灯(24)的热排出至外周部。隔板(32)隔热的同时也支撑点灯装置(22)。
-
公开(公告)号：CN1975980A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610160637.2
申请日：2006-11-29
申请人： 东芝照明技术株式会社
IPC分类号： H01J61/02 , H01J61/52 , H01J19/00 , F21V29/00 , F21Y103/00
摘要： 本发明提供一种包括点灯装置的薄型且小型的荧光灯装置。该荧光灯装置使点灯装置以及灯座部的温度降低。在设置于天花板(2)的插座装置(10)上，以可装卸的方式安装有荧光灯装置(11)。荧光灯装置(11)在本体(21)的内部的点灯装置收容部(20)内收容有点灯装置(22)。在本体(21)上一体地设置GX53型的灯座部(23)。在本体(21)的下表面侧安装荧光灯(24)。用灯罩(25)覆盖荧光灯(24)连同本体(21)的下表面侧。本体(21)包括固定器(31)、隔板(32)以及灯座体(33)。因为固定器(31)是铝制的，所以可使荧光灯(24)的热排出至外周部。隔板(32)隔热的同时也支撑点灯装置(22)。
-
公开(公告)号：CN105149722B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510550996.8
申请日：2015-09-02
申请人： 成都凯赛尔电子有限公司
IPC分类号： H01J19/00
摘要： 本发明公开了一种芯柱封接用模具及其使用方法，所述模具由压块、支撑座、瓷支撑板、定位块和挂柱组合而成；支撑座位于底部，支撑座的上端开有一个凹槽用于放置瓷支撑板，定位块位于瓷支撑板的上方，待封接的芯柱位于瓷支撑板和定位块之间，压块位于定位块的上端，挂柱位于支撑座内部，挂柱通过待封接的芯柱的支杆上开有的悬挂孔与支杆悬挂连接。本发明通过对芯柱在结构和模具的设计，封接出的芯柱钎焊性固可靠。利用本发明封接出的芯柱在低温（650℃）和高温（800℃）进行反复热冲击，芯柱的漏率均优于10‑9Pa·m3/s，成品率为100%。
-
公开(公告)号：CN100411083C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200310122329.7
申请日：2003-12-16
申请人： 中国科学院电子学研究所
摘要： 本发明涉及电真空器件，特别是一种电真空器件用新型同轴输能窗及其封接方法。其封接方法，包括制备外导体、内导体和窗瓷，并进行相关处理，焊接为毛坯件，其不对窗瓷的中心孔内壁进行金属化；且包括：制备氧化物焊料环；将制备的氧化物焊料环置于内导体外周缘和窗瓷的中心孔内壁之间，定位；将得到的半成品置于高温炉中加热，至氧化物焊料环熔化，使窗瓷与内导体经金属氧化物良好浸润并封接起来；高温炉冷却后，得成品同轴输能窗。本发明的同轴输能窗，其中的介电材料层由窗瓷层和氧化物焊料环层组成，将同轴输能窗的驻波比做到更小，且适宜于用到更高的频段。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
26 条记录 (耗时 0.011 秒)
