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公开(公告)号：CN118748140A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410740619.X
申请日：2024-06-09
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明涉及高功率微波技术领域的微波源器件，具体涉及一种引入阶梯阴极的永磁封装X波段同轴速调管振荡器，利用扩大阴阳极间距和阶梯阴极抑制电子束侧发射，属于高功率微波技术领域；采用了阶梯阴极抑制侧发射产生的回流电子通过增大阴阳极间距，阶梯阴极的引入使得阴极右端电子束发射区域阴阳极间距变大，从而降低阴极侧面径向电场，并通过高频结构非均匀化，通过改变调制腔在径向上的排布，使之处于不同的半径下，形成径向非均匀化，从而提高功率效率；本发明可以克服永磁封装下电子束侧发射问题，具有低电子束侧发射特性，输出功率效率高，工作稳定等优点。
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公开(公告)号：CN115148564B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210741480.1
申请日：2022-06-27
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种无箔二极管中抑制电子发射的阴极结构及高功率微波系统，以解决目前阴极底座在回流电子束轰击下，会发射电子轰击到阳极组件，导致阻抗崩溃的技术问题。该阴极结构包括阴极底座和阴极引杆；阴极底座的外侧面由母线绕中轴线周向旋转一圈形成；母线包括依次连接的第一圆弧段、第一直线段、第二直线段、第三直线段、第四直线段、第二圆弧段、第三圆弧段、第五直线段及第六直线段；第一直线段、第二直线段、第三直线段及第四直线段周向旋转形成的平面组成电子束收集环腔；第一圆弧段和第二圆弧段的半径分别为R1和R2，0.5R3≤R2≤0.7R3，R1＝R02‑R01。该高功率微波系统包括抑制电子发射的阴极结构。
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公开(公告)号：CN113097032B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110443718.8
申请日：2021-04-23
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种微波激射器，具体涉及一种微波激射器用长寿命微柱阵列石墨和金属的复合阴极结构及其制备方法。本发明的目的是解决现有微柱石墨阴极结构存在凸起发射结构消耗严重，甚至完全失去凸起发射结构，从而失去稳定发射电子束流的作用，并且石墨材料自身的多孔结构经电子束轰击后易释气，导致系统的真空度下降、束波的耦合效率降低以及系统器件绝缘性下降的技术问题。该阴极结构包括微柱阵列石墨阴极，该微柱阵列石墨阴极包括刀口状环形石墨阴极基体，以及阵列式设置于刀口状环形石墨阴极基体刀口处表面的多个石墨微柱，其改进之处在于：所述刀口状环形石墨阴极基体的表面以及各个石墨微柱的顶端和侧壁都均匀粘附有金属涂层，所述金属涂层采用难熔金属。
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公开(公告)号：CN115064429B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210722494.9
申请日：2022-06-20
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明涉及高功率微波技术领域的微波源器件，尤其是一种两级调制的同轴相对论速调管振荡器，包括阴极座、阴极、阳极外筒、内筒、准直孔、一级调制腔、一级漂移段、二级调制腔、二级漂移段、提取腔、同轴输出波导、第一支撑杆、第二支撑杆、螺线管磁场、梯形收集极；整个结构关于中心轴线旋转对称。阴极座左端外接脉冲驱动源的阳极，阳极外筒左端外接脉冲驱动源的外导体，同轴输出波导右端连接模式转换器和天线。本发明克服低磁场下效率低的难题，通过合理设计电磁结构，采用两级调制腔，在低磁场条件下通过二次调制电子，提高电子的群聚效果，进而在低导引磁场下实现高效率的束‑波转换。
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公开(公告)号：CN115148564A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210741480.1
申请日：2022-06-27
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种无箔二极管中抑制电子发射的阴极结构及高功率微波系统，以解决目前阴极底座在回流电子束轰击下，会发射电子轰击到阳极组件，导致阻抗崩溃的技术问题。该阴极结构包括阴极底座和阴极引杆；阴极底座的外侧面由母线绕中轴线周向旋转一圈形成；母线包括依次连接的第一圆弧段、第一直线段、第二直线段、第三直线段、第四直线段、第二圆弧段、第三圆弧段、第五直线段及第六直线段；第一直线段、第二直线段、第三直线段及第四直线段周向旋转形成的平面组成电子束收集环腔；第一圆弧段和第二圆弧段的半径分别为R1和R2，0.5R3≤R2≤0.7R3，R1＝R02‑R01。该高功率微波系统包括抑制电子发射的阴极结构。
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公开(公告)号：CN115064429A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210722494.9
申请日：2022-06-20
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明涉及高功率微波技术领域的微波源器件，尤其是一种两级调制的同轴相对论速调管振荡器，包括阴极座、阴极、阳极外筒、内筒、准直孔、一级调制腔、一级漂移段、二级调制腔、二级漂移段、提取腔、同轴输出波导、第一支撑杆、第二支撑杆、螺线管磁场、梯形收集极；整个结构关于中心轴线旋转对称。阴极座左端外接脉冲驱动源的阳极，阳极外筒左端外接脉冲驱动源的外导体，同轴输出波导右端连接模式转换器和天线。本发明克服低磁场下效率低的难题，通过合理设计电磁结构，采用两级调制腔，在低磁场条件下通过二次调制电子，提高电子的群聚效果，进而在低导引磁场下实现高效率的束‑波转换。
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公开(公告)号：CN112338198B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011182510.7
申请日：2020-10-29
申请人： 中国科学院过程工程研究所
IPC分类号： B22F9/22 , G02F1/13357 , F02K1/82 , H01J25/50 , H01J23/04
摘要： 本发明提供一种微米级钼粉及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)混合含氧气体与含钼杂化物固体，进行气固氧化反应，得到中间固体；(2)混合氢气与步骤(1)所得中间固体，进行气固氢还原反应，得到微米级钼粉。所述微米级钼粉可用于制备液晶显示屏背光源钼电极、微波炉磁控管钼阴极组件或空间发动机用钼合金喷嘴和喉管。本发明提供的制备方法操作简单，所得产物具备粒度均匀、分散性好等特点，并能实现不同形貌钼粉颗粒的可控制备，具有较好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN111048375B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201911233532.9
申请日：2019-12-05
申请人： 西北核技术研究院
摘要： 为解决现有的低磁场双模工作相对论返波管因兼顾束波相互作用和模式控制而转换效率较低的技术问题，发明提供了一种高效率低磁场双模工作相对论返波管，包括环形阴极、磁场线圈、阴极反射环、依次设置在环形阴极后端的双预调制腔、双段非均匀慢波结构和输出波导；阴极反射环的内半径R0对TM01模截止，且满足R0＜0.382c/f；阴极反射环置于环形阴极内，且与环形阴极端部的距离L0满足λg1/2＜L0＜λg2，λg1和λg2分别为TM01模和TM02模的导波波长；双预调制腔包括两个半径不等的调制腔单元，其外半径分别为R1和R2，内半径分别为r1和r2，且满足1.25λ＜R2＜R1＜1.4λ，1.15λ≤r1,r2≤1.25λ，λ为微波波长；双段非均匀慢波结构由8‑10个慢波单元构成，其外半径和内半径分别为Rsn和rsn，且满足：1.3λ≤Rsn≤1.4λ,1.15λ≤rsn≤1.3λ。
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公开(公告)号：CN110931332B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201911259027.1
申请日：2019-12-10
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
摘要： 本发明公开了真空微波振荡源，包括：外壳和设置在外壳内部的加热器、阴极、栅网和反射极；阴极和反射极相对设置，且栅网设置在阴极和反射极之间，反射极和栅网之间形成谐振腔；加热器设置在阴极旁，为阴极提供热源，外壳上还设置有介质窗，外壳的外部还设置有与介质窗相配合的输出窗；外壳的内部呈真空状态。该真空微波振荡源克服现有技术中的微波振荡源体积较大，而且频率无法调节的问题。
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公开(公告)号：CN114644517A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210318256.1
申请日：2022-03-29
申请人： 南京三乐集团有限公司
IPC分类号： C04B35/44 , C04B35/622 , H01J23/04 , H01J25/34
摘要： 本发明公开了一种太赫兹行波管用高性能铝酸盐源及其制备方法，本发明所述的太赫兹行波管用高性能铝酸盐源，它包括Ba3Al2O6、Ba3CaAl2O7、Ba5CaAl4O12和Ba2CaWO6。本发明采用最优摩尔比4：1：0.4～0.8的碳酸钡、碳酸钙和氧化铝粉合成多种物相高性能电子发射材料。本发明制备的铝酸盐钡钨阴极发射电流密度≥50A/cm2(1050℃)，阴极支取电流密度12A/cm2(1050℃)，工作寿命≥2000h。取得了非常好的技术进步。
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