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公开(公告)号：CN118946257A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310543958.4
申请日：2023-05-12
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本申请涉及芯片技术领域，公开了一种裸芯片、芯片及电子设备。裸芯片包括衬底以及层叠于衬底之上的第一总线信号板、第一金属板和晶体管。其中，第一总线信号板和第一金属板沿第一方向间隔设置，第一方向为衬底的厚度方向；并且，沿第一方向，第一总线信号板在衬底上的投影区域为第一投影区域，第一金属板在衬底上的投影区域为第二投影区域，第一投影区域和第二投影区域至少部分重叠；沿第一方向，晶体管在衬底上的投影区域为第三投影区域，第三投影区域与第一投影区域相互间隔，并且，第一总线信号板和第一金属板分别与晶体管的管脚连接。该裸芯片通过合理设计内部电路的布局，有效提升了空间利用率，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN118920820A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411090736.2
申请日：2024-08-09
摘要： 本发明公开了一种双面混合封装的驱动集成功率模块及其制作方法，属于电力电子器件封装集成技术领域，该功率模块包括DBC板、PCB板、SiC芯片、输入端子、输出端子、垫片及驱动插针；该功率模块通过混合双面封装工艺，可以热阻较低、散热更好，杂散电感小，通过缓冲垫片实现源极连接，增加了载流能力，提高了能量密度，引入PCB板集成功率层和驱动层设计可以同时减小直流环路电感和驱动回路电感。另外集成化设计可以实现功率模块的高集成度和高功率密度。
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公开(公告)号：CN118919509A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411402644.3
申请日：2024-10-09
申请人： 丰睿成科技(深圳)股份有限公司 , 丰睿成(湖北)半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种光通信用超高强度键合金丝及其线径测量装置，涉及线径测量装置领域，包括绕设于绕线轮上的键合金丝，所述键合金丝的成分和重量百分比含量如下：银0.002%‑0.004%，铜0.002%‑0.004%，锗0.0005%‑0.0015%，铍0.0003%‑0.0008%，余量为金，金的纯度≥99.99wt%；本发明通过转盘旋转送料，通过适应结构来支撑键合金丝，在防止键合金丝自由端垂落的同时，还能有效避免键合金丝出现变形，通过夹持机构与转动组件的配合，使键合金丝处于拉直状态，利用测径组件完成线径检测，在拉直到完成检测的时间内，可以装上新的绕线轮，能够同步进行，从而可以节省检测时间，提高检测效率，且适应结构与夹具配合使用，还能防止键合金丝出现抖动，从而能提高检测结果的准确性。
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公开(公告)号：CN118899287A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411072927.6
申请日：2024-08-06
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种基于柔性互连的高压功率器件结构及制备方法和电力设备，属于电力半导体封装技术领域。本发明提供的基于柔性互连的高压功率器件互连结构为双面封装结构，通过融合中部形变段和两端固定段的导电弹片，克服了现有技术中双面互连封装因刚性构造固有的局限性，将传统技术中刚性的多芯片互连结构转化为柔性结构，实现固定铜板和活动铜板的柔性连接；基于柔性连接，通过导电弹片对由于芯片、焊层、金属垫块等加工公差导致的高度差异变化，加以补偿，避免了多芯片互连时，上表面高度差对于焊接质量的影响；同时，通过基于柔性互连的高压功率器件结构设计，提升高压功率器件的通流能力、可靠性及对抗热应力老化的能力。
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公开(公告)号：CN118898230A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410930515.5
申请日：2024-07-11
申请人： 湖南鲸瓴智联信息技术有限公司
IPC分类号： G06F30/392 , H10B80/00 , H01L25/18 , H01L23/538 , H01L23/49 , H01L23/482 , G06F30/394 , G06F13/42 , G06F13/38
摘要： 本申请涉及基于飞腾DSP的存算一体SIP微系统，通过采用SiP技术，对飞腾M6678DSP芯片、QSPI Nor Flash芯片和DDR3内存使用塑封基板表面倒装的方式进行封装集成，实现了系统核心器件的模块化和小型化同时，以飞腾M6678DSP芯片作为主处理单元，而DDR3作为高速存储单元，QSPI Nor Flash芯片作为其配置芯片及存储芯片，单元之间通过高速总线互联，满足DSP与各部件间大数据量的交互，作为存算一体的微系统，有效实现自主可控的目的，同时在塑封基板内部通过多层布线扇出系统的各功能引脚，为系统的其他配置接口、存储接口和外设接口等的引出使用提供软硬件条件，有效提供了自主可控的小型化微系统。
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公开(公告)号：CN114242665B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111455958.6
申请日：2021-12-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/58 , H01L23/49 , H01L23/488
摘要： 本发明提供了一种基于BGA焊球的差分传输结构，属于陶瓷封装技术领域，包括：HITCE上基板；两条间隔设置的上差分传输线，均自HITCE上基板的上表面贯穿至下表面，且在HITCE上基板的上表面形成上测试点；HITCE下基板，与HITCE上基板层叠设置；两条间隔设置的下差分传输线，均自HITCE下基板的上表面在HITCE下基板的厚度方向折弯延伸，并从HITCE下基板的上表面穿出形成下测试点；信号传输焊球，设于HITCE上基板和HITCE下基板之间，上差分传输线和下差分传输线通过信号传输焊球连接；以及多个接地焊球，绕信号传输焊球设置，且与HITCE上基板和HITCE下基板中的回流地层连接。
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公开(公告)号：CN113394176B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110696544.6
申请日：2021-06-23
申请人： 上海道之科技有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/14 , H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种可提高模块安装可靠性的双面冷却功率模块，包括功率模块本体，所述功率模块本体主要包括相对设置的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板的相对面上均设置有导电铜层，第一基板和第二基板互相背离的一侧均设置有背覆铜层；所述第一基板的导电铜层上通过锡焊焊接固定有若干芯片部分，芯片部分的顶部通过锡焊焊接固定有导电连接块，该导电连接块的一端与芯片部分焊接，另一端与第二基板的导电铜层通过锡焊焊接；所述芯片部分通过金属导线与第一基板或第二基板的导电铜层电性连接以实现功率模块本体的电气控制连接，第一基板的导电铜层上焊接固定有功率端子和控制端子，第一基板和第二基板之间的相对空隙通过环氧塑封体注塑。
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公开(公告)号：CN118782561A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411268886.8
申请日：2024-09-11
申请人： 浙江翠展微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/49
摘要： 一种高散热性的HPD功率模块，其包括散热组件，芯片组件，以及保持架。所述散热组件包括底座，凹槽，进口，出口，散热基板，以及散热针。所述凹槽的底部设置有扰流凸台。所述扰流凸台朝向所述散热基板的端面上设置有两个隔板，两个所述隔板相互垂直设置。所述扰流凸台的中心设置有一个盲孔，所述盲孔位于两个所述隔板的连接处，所述盲孔与所述出口连通。使冷却液两边进入只流到中间就进行流出，减少了流动路径，提高散热效果。所述芯片组件包括基板，芯片，正极功率端子，负极功率端子。所述正极功率端子和所述负极功率端子的所在平面平行且间隔设置，这样上下相反的电流产生的磁通就会抵消，使得回路杂感减小，这样极大地降低了回路杂感。
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公开(公告)号：CN112490138B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011487565.9
申请日：2020-12-16
申请人： 上海艾为电子技术股份有限公司
发明人： 卢建
摘要： 本申请实施例提供了一种芯片结构的制备方法，包括：在承载体的第一侧表面固定有源元件，在有源元件背离承载体一侧形成多根第一焊线，在有源元件背离承载体一侧形成封装有源元件和多根第一焊线的第一封装层，避免将有源元件嵌入到无源基板内部形成有源基板结构导致的生产周期较长，成本较高的问题，接着从第一封装层背离承载体一侧去除第一封装层部分厚度，使得多根第一焊线中任一根第一焊线形成两根独立的第二焊线，从而通过第二焊线将有源元件和/或承载体的电连接端引出，便于与第一元件电连接，避免了通过打孔和电镀金属的方式电连接堆叠的有源元件和第一元件造成芯片结构的封装可靠性较差的现象。
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