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    硅太阳能电池片及其制备方法、封装方法、相关组件
    1.
    发明公开
    硅太阳能电池片及其制备方法、封装方法、相关组件 审中-公开

    公开(公告)号：CN118610284A

    公开(公告)日：2024-09-06

    申请号：CN202410885284.0

    申请日：2024-07-03

    申请人： 河北大学

    发明人： 张璐 ,  张旭宁 ,  陈剑辉 ,  张小升 ,  张薇

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/042 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

    摘要： 本申请公开了一种硅太阳能电池片及其制备方法、封装方法、硅太阳能电池组件，涉及光伏技术领域，通过设置硅基电池片相对的两个表面中的至少一个表面的电极为定制形状的透明导电膜层，且透明导电膜层的材料为金属氧化物材料、碳纳米管材料、石墨烯材料、导电聚合物材料或金属纳米颗粒材料，由于这些材料具有良好的导电性，能够满足硅太阳能电池片的电极需求，并且，这些材料相比于现有导电性浆料(银浆和铝浆)做电极具有成本低、重量轻的优势，从而可降低硅太阳能电池片的电极的成本，扩大硅太阳能电池的应用范围。并且，相比于现有通过浆料印刷、高温烧结固化等工艺形成电极，本申请工艺上操作简便，且成本低廉，适合大规模生产。

    一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用
    2.
    发明公开
    一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用 审中-公开

    公开(公告)号：CN118610281A

    公开(公告)日：2024-09-06

    申请号：CN202410507398.1

    申请日：2024-04-25

    申请人： 广东工业大学

    发明人： 刘文杰 ,  陈纯 ,  傅开祥 ,  郭宇航 ,  孙粤辉 ,  秦玉文 ,  王云才

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/102 ,  H04B10/90 ,  G02B5/00

    摘要： 本发明涉及一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用。该光电导太赫兹光混频芯片，包括光电导有源区，所述光电导有源区从下到上包括衬底、半导体层、电极和増透层；所述电极为叉指金属光栅电极。本发明的光电导太赫兹光混频芯片通过激发高阶耦合等离激元效应，最大程度地提高半导体层的入射光吸收效率以及局域场增强效果。同时，场增强效果作用于叉指金属光栅电极，在叉指金属光栅电极下方的电场实现光场增强的效果，这将在叉指金属光栅电极下方产生更高密度的光生载流子，并且载流子在叉指金属光栅电极附近产生直接输运到叉指金属光栅电极，进一步增强载流子的输运。

    一种太阳能电池片装置
    3.
    发明公开
    一种太阳能电池片装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN118610279A

    公开(公告)日：2024-09-06

    申请号：CN202410810026.6

    申请日：2024-06-21

    申请人： 淮安捷泰新能源科技有限公司

    发明人： 宋怡潇

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224

    摘要： 本申请公开了一种太阳能电池片装置，涉及新能源电池技术领域，其包括：依次叠加设置的硅片、隧穿氧化层和掺杂导电层，定义硅片的两侧分别为第一面和第二面，所述隧穿氧化层设置于所述硅片的第二面，所述掺杂导电层设置于所述隧穿氧化层远离硅片的一层，所述太阳能电池片装置还包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层设置于所述硅片的第一面，所述第二钝化层设置于所述第一钝化层的外部，所述第二钝化层靠近至少一面与所述硅片第一面垂直的侧面的部分的厚度大于其远离所述硅片第一面垂直的侧面的部分的厚度。本申请的有益之处在于通过改变硅片的两侧的氮化硅的厚度以及折射率，有效减少了太阳能电池片的复合现象的发生。

    一种雪崩光电探测器及其制作方法
    4.
    发明授权
    一种雪崩光电探测器及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN117712215B

    公开(公告)日：2024-09-06

    申请号：CN202311710797.X

    申请日：2023-12-12

    申请人： 上海新微半导体有限公司

    发明人： 谢拾玉 ,  谢宗恒 ,  赵雅芝

    IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明提供一种雪崩光电探测器及其制作方法，该雪崩光电探测器包括衬底、外延结构、上电极层及微纳结构，其中，外延结构位于衬底上方，外延结构包括上电极接触层，上电极层位于上电极接触层上方，微纳结构位于衬底上方，微纳结构还位于上电极层中和/或上电极接触层中，微纳结构包括多个间隔排列的孔洞。该雪崩光电探测器通过设置位置灵活的微纳结构以实现对于入射光的增强吸收，兼具高带宽及高量子效率性能，此外，通过对微纳结构的具体结构进行调节能够将对入射光的吸收增强峰根据实际需要调整到光通讯系统所用的光信号波长范围，适用于各种波长比较固定的红外信号探测应用场景。该制作方法的制作工艺成熟，易于实现大规模生产。

    一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池
    5.
    发明授权
    一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池 有权

    公开(公告)号：CN114300546B

    公开(公告)日：2024-09-06

    申请号：CN202111359507.2

    申请日：2021-11-17

    申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司

    发明人： 孙召清 ,  方亮 ,  曲铭浩

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，提供硅基底后，先在硅基底的一面依次沉积第一钝化层和第一传输层，第一传输层与硅基底的导电类型不同；在第一传输层上设置掩膜，硅基底呈现由掩膜的覆盖区域与未覆盖区域之间呈叉指状的排列，并根据掩膜对第一钝化层、第一传输层进行刻蚀，再在掩膜上依次沉积第二钝化层和第二传输层，移除掩膜后在硅基底的一面形成叉指背接触排列的两传输层。此时，在过程中仅发生了一次刻蚀，一次设置掩膜，有效简化了工艺步骤，降低了制备成本，并避免了对位精度不准的问题，提高了成品质量。

    一种球形银粉及其制备方法、晶硅太阳能电池银浆
    7.
    发明公开
    一种球形银粉及其制备方法、晶硅太阳能电池银浆 审中-公开

    公开(公告)号：CN118577782A

    公开(公告)日：2024-09-03

    申请号：CN202410631875.5

    申请日：2024-05-21

    申请人： 南通连盛新材料科技有限公司

    发明人： 崔志钢 ,  王慧娟

    IPC分类号： B22F1/065 ,  B22F9/24 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

    摘要： 本公开提供一种球形银粉及其制备方法、晶硅太阳能电池银浆，属于导电银粉技术领域。其中，球形银粉包括多个堆叠设置的薄片层，多个堆叠设置的薄片层之间的多个间隙形成所述球形银粉内部的多个孔洞。本公开的球形银粉由多个薄片层堆积形成，薄片层与薄片层间的缝隙形成均匀多孔洞结构，该结构的球形银粉具有较大的比表面积、较大的振实密度以及较高的烧结活性。

    一种TOPcon太阳能电池栅线结构及其制备方法
    8.
    发明公开
    一种TOPcon太阳能电池栅线结构及其制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118571985A

    公开(公告)日：2024-08-30

    申请号：CN202410689287.7

    申请日：2024-05-30

    申请人： 协鑫集成科技股份有限公司

    发明人： 郭祥泰 ,  何保杨 ,  翁航 ,  张东威 ,  余宗保 ,  王佳军 ,  陈麟辉

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224

    摘要： 本发明公开了一种TOPcon太阳能电池栅线结构及其制备方法，包括在制绒后直接激光开槽，为细栅预留隐藏位置；开槽后硼扩，槽体内形成多面PN结，且细栅激光辅助烧结后完美接触硅基体内PN结，降低接触电阻同时提高载流子收集概率；细栅顶部与主栅接触结构，保证载流子汇集到主栅位置；通过镀膜隐藏细栅，镀膜后印刷主栅的工艺流程，能够在正背面细栅数量不变的情况下，隐藏细栅的TOPCon电池结构；增强细栅与PN结接触面积，降低表面反射率，提高电池光电转换效率。