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公开(公告)号：CN118033601A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410118136.6
申请日：2024-01-26
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种用于激光雷达的光收发器件，包括通过端面耦合的反射式半导体光放大器和基于薄膜铌酸锂的激光器外腔；激光器外腔包括多个模斑转换器、电光相位调制器、热光游标滤波器、反射镜、定向耦合器、多模干涉仪和平衡光电探测器，反射式半导体光放大器用于为激光器提供增益；模斑转换器用于提高器件之间光耦合传输效率；电光相位调制器和热光游标滤波器用于调节激光器的激光输出波长；反射镜用于调节激光谐振腔的反馈；定向耦合器用于将部分激光耦合至多模干涉仪；多模干涉仪用于将回波信号和本地参考光进行混频得到测距光信号。本发明实施例，能够输出调频连续波激光，该器件具有高分辨率和强抗干扰能力，可广泛应用于光器件技术领域。
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公开(公告)号：CN116053351A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211327557.7
申请日：2022-10-27
申请人： 旭化成微电子株式会社
IPC分类号： H01L31/16 , H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供一种高性能的红外线光设备，其具备能够在中红外区域广泛利用的反射层结构。红外线光设备具备在中心波长λ具有峰的光接收和发射特性，所述红外线光设备具备半导体基板和薄膜层叠部，所述薄膜层叠部依次具有形成在半导体基板上的第一反射层、具有第一导电型的下部半导体层、光接收和发射层、具有第二导电型的上部半导体层、以及第二反射层，第一反射层包含构成材料含有AlGaInAsSb(0≤Al+Ga≤0.5、0≤As≤1.0)且杂质浓度不同的多个层，中心波长λ在室温下为2.5μm以上。
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公开(公告)号：CN115274887A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210869156.8
申请日：2022-07-22
申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 周健
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/16 , H01L31/18 , H01L35/28 , H01L35/34 , G01J3/42
摘要： 本申请实施例提供了一种光电探测器及其制作方法、光谱仪。在本申请实施例提供的光电探测器中，通过在感测基板入光侧设置超透镜基板，使得超透镜单元将入射的光线聚焦到感测基板中对应感测单元的吸收层，通过吸收层将光线转换为热能，热电转换层将热能转换成电信号，完成入射光线的探测，从而通过超透镜单元能够提升入射至感测单元的光线的强度和能量，通过吸收层捕捉或吸收大部分源自光能的能量并转换能量形态，从而能够提高光电探测器探测入射光线的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112531053A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010887455.5
申请日：2020-08-28
申请人： 成都特频微电子科技发展有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/16 , H01L31/18 , H01L31/02 , H03K17/78
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池(2)，包括具有n区(5)和p区(6)的半导体基底(4)，在半导体基底(4)的n区侧布置的钝化层(8)，穿过钝化层(8)并接触n区(5)的引出电极(9)和栅电极(10)，其布置在钝化层(8)上，并且与半导体基底(4)和钝化层(8)一起形成光开关，该光开关设置为，当在栅电极(10)与引出电极(9)之间施加外部电压时，用光(L)照射钝化层(8)时该开关切换成非线性导电状态。
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公开(公告)号：CN112068231A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010993363.5
申请日：2016-12-15
申请人： 大立光电股份有限公司
摘要： 本发明揭露一种遮光片、成像镜头与电子装置。遮光片包含一第一外表层、一第二外表层，一内部基材层以及一中心轴。第一外表层包含一第一开孔，第二外表层包含一第二开孔，内部基材层设置于第一外表层与第二外表层间且连接第一外表层与第二外表层，其中内部基材层包含一基材开孔，中心轴与第一开孔、第二开孔及基材开孔同轴，当满足特定条件，有利于消减杂散光。本发明还公开了具有上述遮光片的成像镜头与具有上述成像镜头的电子装置。
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公开(公告)号：CN103635785B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280018360.3
申请日：2012-02-14
申请人： 勒克思马克斯科技公司
发明人： 杨纳森·丹特勒 , 欧尔理·亚迪德-佩科特
CPC分类号： G01J3/45 , C08L79/08 , G01J3/0259 , G01J3/44 , G01J3/4531 , G02B6/125 , G02B6/13 , G02B6/29344 , G02B6/2935
摘要： 本发明公开一种位在一硅晶绝缘体(SOI)晶圆上，以CMOS技术整合的傅立叶转换红外光(FTIR)光谱仪。本发明完全整合于一精巧、微型、低成本及CMOS制造兼容芯片。本发明可在1.1μm到15μm范围内的各种红外光区运作，或可一次覆盖1.1μm到15μm的全光谱。所述CMOS‑FTIR光谱仪具有高光学分辨率，无可移动部件，无光学镜片，精巧，在恶劣外部环境下不易损坏之特性，以及可用标准CMOS技术制造，使得FTIR光谱仪可大量生产。所述完全整合CMOS‑FTIR光谱仪可用电池运作，所需的功能可用标准CMOS技术集成到单一芯片上。本公开发明的FTIR光谱仪亦可改造成一CMOS‑拉曼光谱仪。
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公开(公告)号：CN105390576A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510553420.7
申请日：2015-09-02
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/06 , H01L25/167 , H01L33/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L31/165
摘要： 本发明的实施方式提供一种结晶缺陷的增长受到抑制的半导体发光元件及光耦合装置。实施方式的半导体发光元件具备具有发光层的半导体积层体，该发光层包含应变量子阱构造，该应变量子阱构造包含：n层(n：1以上10以下的整数)阱层，包含Inx(Ga1－yAly)1－xAs(其中，0＜x≦0.2、0＜y＜1)；以及(n+1)层势垒层，与所述阱层交替地积层且包含Ga1－zAlzAs(其中，0＜z＜1)；且所述发光层发出具有700nm以上且870nm以下的峰值波长的光。
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公开(公告)号：CN104737305A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380052233.X
申请日：2013-09-18
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： G01S17/026 , G01S7/4813 , G01S7/4814 , G01S7/4816 , H01L31/0203 , H01L31/02327 , H01L31/173 , H01L2924/1815 , Y02E10/52
摘要： 本发明提供一种光传感器，其在基板(2)的表面(2A)设置发光元件(3)和受光元件(4)。发光元件(3)和受光元件(4)分别被透明树脂体(5)、(7)密封。透明树脂体(5)上设有位于发光元件(3)上部的透镜(6)。透镜(6)的中心与发光元件(3)的安装位置错开配置。从而，经由透镜(6)而出射的光的光轴以规定的仰角向受光元件(4)的相反侧方向倾斜。此时，从透镜(6)出射的光的光束发散角(θ)被设定为规定值。
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公开(公告)号：CN103456828A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210452127.8
申请日：2012-11-12
申请人： 郭磊
发明人： 郭磊
IPC分类号： H01L31/16 , H01L31/167
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明提供一种半导体光电电能转换器，包括输入模块和输出模块，其中，输入模块包括一个或多个半导体电光转换结构，用于将输入电能转换为光能，输出模块包括一个或多个半导体光电转换结构，用于将光能转换为输出电能，根据半导体电光转换结构和半导体光电转换结构之间连接关系的不同，可以实现AC-AC、AC-DC、DC-AC或DC-DC电能转换。本发明具有体积小，重量轻，结构简单，可以同时实现变流变压的功能，安全可靠，使用寿命长，安装维护方便的优点。
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公开(公告)号：CN102945889A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210522248.5
申请日：2012-12-07
申请人： 东莞市五峰科技有限公司
发明人： 杨汇鑫
IPC分类号： H01L31/16
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种激光器与光导半导体开关结构，包括基片，所述基片顶端面的两侧分别设置有电极，所述基片的底端面均匀设置有若干个垂直腔面发射半导体激光器，所述垂直腔面发射半导体激光器、基片及电极一体化封装。本发明在工作过程中电流根据激光照射的点形成更多的电流丝，相当于把导通电流分散，从而能够承受更大的导通电流，使得垂直腔面发射半导体激光器与光导半导体开关的使用寿命得以延长。另外，激光器与光导半导体开关的一体化封装使得生产过程中省去组装环节，便于使用，且能适应强烈的振动、冲击和高温的使用环境。
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