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公开(公告)号：CN118645880A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410734350.4
申请日：2024-06-07
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种低电压高电光转换效率半导体激光器结构，属于半导体激光器技术领域，由下至上依次为GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlGaInP下限制层、GaInP下波导层一、AlGaAs下波导层二、AlGaAs量子阱层、AlGaAs上波导层一、GaInP上波导层二、AlGaInP上限制层、GaInP过渡层、GaAs欧姆接触层，通过在量子阱两侧设计可调组分的AlGaAs材料，调节下波导层二和上波导层一势垒高度，合理控制注入势垒高度，以此达到降低电压和提升电光转换效率的目的。
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公开(公告)号：CN118508233A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410562608.7
申请日：2024-05-08
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
IPC分类号： H01S5/20
摘要： 本发明提出了一种氮化镓半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，所述上波导层包括从下至上设置的第一极化场屏蔽上波导层和第二极化场屏蔽上波导层，所述第一极化场屏蔽上波导层和第二极化场屏蔽上波导层均具有共价键能分布特性和空穴迁移率分布特性。本发明能够屏蔽压电极化场和自发极化场，减少极化效应，降低空穴迁移势垒，减少电子泄漏，降低自发辐射效率的下降，同时，降低价带中的态密度和增加跃迁概率来降低阈值载流子密度，能量值越高，跃迁概率越高，增益增加，振荡所需的阈值载流子密度降低，从而降低阈值电流密度。
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公开(公告)号：CN118487108A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410662553.7
申请日：2024-05-27
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种大功率窄线宽的片上外腔激光器。所述大功率的片上外腔激光器由两个芯片混合集成，其中一个是输出带有倾角的增益芯片，另一个是带有滤波器的外腔芯片，该外腔芯片包括端面耦合器、相移器、模式复用器、第一采样光栅和第二采样光栅。增益芯片和外腔芯片经过端面耦合后形成激光器，经过相移器的调节，使激光在两个芯片之间形成振荡，可以实现大功率且高边模抑制比的片上激光输出。本发明可以实现大功率窄线宽高边模抑制比的片上激光输出，并且外腔芯片满足CMOS工艺流程，工艺简便。
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公开(公告)号：CN118472794A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410647205.2
申请日：2024-05-23
申请人： 材料科学姑苏实验室
IPC分类号： H01S5/20
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：衬底；外延结构，位于衬底一侧；外延结构包括激光出射层以及位于激光出射层远离衬底一侧的第一波导层；第一波导层包括叠层设置的至少两组子波导层组，子波导层组包括第一子波导层以及第二子波导层，第一子波导层以及第二子波导层中均包括InGaN；沿外延结构的生长方向，第一波导层中In组分逐渐减小。采用上述技术手段，第一波导层包括叠层设置的至少两组子波导层组，且子波导层组包括第一子波导层以及第二子波导层，如此第一波导层为超晶格结构，晶体质量好，减少缺陷，此外，第一波导层中In组分逐渐减小，能够优化第一波导层的折射率，提高光场限制能力。
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公开(公告)号：CN118448995A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410526107.3
申请日：2024-04-29
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明提出一种具有应变极化空穴层的半导体激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，上波导层与上包覆层之间设置有应变极化空穴层，应变极化空穴层具有热膨胀系数分布特性、热导率分布特性、菲利浦电离度分布特性和形变势分布特性。本发明形成应变极化诱导空穴离化效应，可实现在少量或不掺杂Mg杂质的情况下实现较高的自由空穴浓度，降低p型氮化物半导体中因掺杂大量Mg受主杂质导致的受主补偿破坏p型，也减少未离化Mg受主杂质引起的内部光学损耗上升，从而提升激光器的斜率效率和降低阈值电流。
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公开(公告)号：CN118448993A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410525976.4
申请日：2024-04-29
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明提出了一种具有渐变电场与渐变光场层的半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，所述衬底与下包覆层之间设置有渐变电场与渐变光场层，所述渐变电场与渐变光场层具有电子有效质量分布特性、电子迁移率分布特性、空穴迁移率分布特性、电子亲和能分布特性和峰值速率电场分布特性。本发明在半导体激光器芯片的衬底与下包覆层之间设置渐变电场与渐变光场层，且该渐变电场与渐变光场层具有电子有效质量分布特性、电子迁移率分布特性、空穴迁移率分布特性、电子亲和能分布特性和峰值速率电场分布特性，从而能够抑制电子泄露,改善阈值和输出功率。
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公开(公告)号：CN118431897A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410511890.6
申请日：2024-04-26
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器芯片结构，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，上波导层包括第一上波导层和第二上波导层；通过光刻和蚀刻工艺，刻蚀上包覆层、电子阻挡层和上波导层的非脊区域，脊刻穿上覆层和电子阻挡层，并刻蚀掉一部分上波导层的厚度，刻蚀掉上波导层的厚度为100～3000埃米，刻蚀余留下的上波导层、电子阻挡层、上包覆层组成脊；脊的上方制备接触电极，脊的侧壁镀上钝化层；第一上波导层余下厚度为100～3000埃米，第一上波导层和余下第二上波导层组成余下上波导层。
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公开(公告)号：CN118431894A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410310544.1
申请日：2024-03-19
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明提出了一种具有强相干性下波导层的氮化镓基半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层与有源层之间设置有强相干性下波导层，所述强相干性下波导层具有电子亲和能分布特性、击穿场强分布特性、导带有效态密度分布特性和菲利浦电离度分布特性。本发明能够提升横模光强和光场分布，提升横模稳定性，提升输出激光相干性；同时，降低纵模的模间变化，提升时间相干性。
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公开(公告)号：CN118412745A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410439302.2
申请日：2024-04-12
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种氮化镓半导体激光器；该氮化镓半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波层，有源层、上波导层、上包覆层，所述上波导层包括第一抑制折射率色散上波导层和第二抑制折射率色散上波导层；该氮化镓半导体激光器，可以抑制激光器出射面的色散，提升水平扩展角，实现低纵横比的FFP远场图像，抑制光泄漏，并形成较大的有效折射率差，实现高扭结水平，降低功率消耗，延缓器件的老化速度，提高使用寿命，从而控制光的传输特性和改善器件性能。
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公开(公告)号：CN118399199A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410327517.5
申请日：2020-01-16
申请人： 日亚化学工业株式会社
发明人： 中津嘉隆
摘要： 提供半导体激光元件，能够降低吸收损失从而能够提高效率。半导体激光元件朝向上方依次具有各自由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层和p侧半导体层，在p侧半导体层设有向上方突出的脊。p侧半导体层具有：未掺杂的第一部分，其与活性层的上表面相接地配置，并具有一个以上的半导体层；电子屏障层，其与第一部分的上表面相接地配置，带隙能量比第一部分大，并含有p型杂质；第二部分，其与电子屏障层的上表面相接地配置，并具有一个以上的p型半导体层，p型半导体层含有p型杂质。第一部分具有：未掺杂的p侧成分倾斜，其层带隙能量随着朝向上方而变大；未掺杂的p侧中间层，其配置于p侧成分倾斜层的上方；脊的下端位于p侧中间层。
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