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公开(公告)号：CN118899743A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410968521.X
申请日：2024-07-19
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明提出了一种具有内部光吸收损耗抑制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上限制层包括第一子上限制层和第二子上限制层，所述第一子上限制层与所述第二子上限制层之间设置有内部光吸收损耗抑制层，所述内部光吸收损耗抑制层、第一子上限制层和第二子上限制层中均具有价带有效态密度变化趋势和饱和电子偏移速率变化趋势。本发明能够降低上限制层对光场的吸收损耗，提升空穴浓度和注入效率，提升有源层载流子分布均匀性，从而提升发光器的发光效率和斜率效率。
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公开(公告)号：CN118867838A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410511547.1
申请日：2024-04-26
申请人： 日亚化学工业株式会社
发明人： 小川尚史
摘要： 本发明提供一种每个横模的振荡波长的偏差小的多横模式半导体激光元件，其具有半导体层叠部，半导体层叠部包括有源层并具有波导结构，半导体层叠部具有：(i)折射率n1的第一区域，其包括第一衍射光栅；(ii)第二区域，其具有折射率n21的第一芯区域和设置在该第一芯区域的两侧的折射率n22的第一包覆层区域，以多个横模使激光传播；(iii)从第二区域射出的激光以由折射率n1、折射率n21和折射率n22确定的最大扩散角Θmax1在第一区域中传播，在与半导体层叠部的层叠方向正交且包括激光的光轴的截面中，与第一衍射光栅的周期方向正交的方向的第一区域的两端部分别位于从第一区域侧的第一芯区域的射出端面的两端以最大扩散角Θmax1扩展的虚拟线的外侧。
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公开(公告)号：CN118830153A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380013370.6
申请日：2023-02-14
申请人： 复合科技私人有限公司 , 南洋理工大学
摘要： 本发明涉及一种用于产生激光的硅光子器件(100)。所述器件(100)包括衬底以及在所述衬底上制作的至少一个激光腔(10，20，30)。每个激光腔(10，20，30)形成有至少一个基于III‑V族的增益部分(11，21，31)、至少两个微环谐振器(MRR)(12，13，22，23，32，33)以及至少一个部分反射器(14，24，34)。中介层(15，25，35)将每个增益部分(11，21，31)与对应MRR(12，22，23)光学耦合。在每个MRR(12，13，22，23，32，33)上有至少一个热光加热器，用于控制所述对应MRR(12，13，22，23，32，33)的波长选择性。
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公开(公告)号：CN118825776A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410949421.2
申请日：2024-07-16
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了基于光学奇点的纳米激光构造方法和器件。本发明将针尖型结构嵌入谐振腔中，利用针尖型结构尖端存在的光学奇点，将谐振腔中的电场极端局域在尖端附近，实现空间极端局域化的纳米激光，其模式体积可以突破光学衍射极限。本发明基于光学奇点的纳米激光器件可以采用刻蚀有源层的方法制备，利用原子层沉积的方法可以进一步减小光学奇点激光的模式体积。本发明的纳米激光器件具有模式体积小，可控性高的优点；且不依赖于金属，具有热效应小，稳定性高，能耗低和相干性高的优点。本发明可以应用于通信、计算、成像、传感、探测以及极端光场局域中光与物质相互作用的探索等领域。
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公开(公告)号：CN118763508A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411244722.1
申请日：2024-09-06
申请人： 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体激光器及半导体激光器制备方法，其中半导体激光器包括外延片、形成于所述外延片的脊波导，以及设置于所述脊波导的两侧的脊波导防压伤结构，且所述脊波导防压伤结构的高度高于所述脊波导的高度，所述脊波导防压伤结构与所述脊波导之间的高度差不小于预设值，可以使得夹具在夹取半导体激光器时不与脊波导直接接触，从而可以确保避免脊波导被夹具压伤。
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公开(公告)号：CN118743034A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380021706.3
申请日：2023-02-15
申请人： 艾普诺瓦泰克公司
发明人： 马丁·安德烈亚斯·奥尔松
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/183 , H01S5/20 , H01S5/30 , H01S5/32 , H01S5/343 , H01S5/42 , H01L33/14 , H01S5/34 , H01S5/02
摘要： 一种用于发光的装置(1)，该装置(1)包括：衬底(2)；布置在衬底(2)上的基底层(4)；布置在基底层(4)上的二极管层结构(10)，该二极管层结构(10)包括夹在n掺杂半导体层(12)与p掺杂半导体层之间的量子阱层结构(30)；量子阱层结构(30)，其包括第一量子阱(41)和第二量子阱(42)、第一近端势垒层(51)和第二近端势垒层(52)以及第一远端势垒层(61)和第二远端势垒层(62)，其中，第一量子阱(41)和第二量子阱(42)以及第一近端势垒层(51)和第二近端势垒层(52)夹在第一远端势垒层(61)与第二远端势垒层(62)之间。
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公开(公告)号：CN118738242A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410373010.3
申请日：2024-03-29
申请人： 宸明科技股份有限公司
发明人： 郭裕铭
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/02 , H01S5/30
摘要： 本发明涉及一种半导体组件，其包含基板、非极性晶向缓冲层以及第一氮化物层，其中该非极性晶向缓冲层形成于该基板上，以及该第一氮化物层形成于该非极性晶向缓冲层上。同时本发明也一并揭露此种半导体组件的制造方法。本发明所提供的半导体组件利用可在任何基板上成长出非极性晶向缓冲层的磊晶技术，可有效降低制造成本。本发明可优化磊晶质量，使任何基板上形成非极性晶向缓冲层，如此所形成的半导体组件能有效应用于发光二极管、雷射二极管及高电子迁移率晶体管等组件上。
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公开(公告)号：CN115347457B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202211020024.4
申请日：2022-08-24
申请人： 全磊光电股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体激光器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有多个依次排布的器件区；相邻两个所述器件区之间具有隔离区；在所述隔离区的表面内形成深沟槽；在所述器件区的表面上形成外延层，基于所述深沟槽导致的外延生长速率不同，使得所述外延层位于所述器件区中间区域的部分与靠近所述深沟槽的边缘部分外延材料组分不同，且厚度不同，以形成非吸收窗口结构，在所述外延层上形成所述非吸收窗口层，减小了激光器的光学灾变损伤，且采用深沟槽的方式生长所述外延层，无介质膜影响量子阱生长质量，工艺简单可靠，成本低，从而有利于提高生长的外延层的质量。
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公开(公告)号：CN118448995A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410526107.3
申请日：2024-04-29
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明提出一种具有应变极化空穴层的半导体激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，上波导层与上包覆层之间设置有应变极化空穴层，应变极化空穴层具有热膨胀系数分布特性、热导率分布特性、菲利浦电离度分布特性和形变势分布特性。本发明形成应变极化诱导空穴离化效应，可实现在少量或不掺杂Mg杂质的情况下实现较高的自由空穴浓度，降低p型氮化物半导体中因掺杂大量Mg受主杂质导致的受主补偿破坏p型，也减少未离化Mg受主杂质引起的内部光学损耗上升，从而提升激光器的斜率效率和降低阈值电流。
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