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    Halbleiterbauelement im Chip-Format und Verfahren zu seiner Herstellung
    3.
    发明公开
    Halbleiterbauelement im Chip-Format und Verfahren zu seiner Herstellung 有权
    Halbleiterbauelement im芯片格式和Verfahren zu seiner Herstellung

    公开(公告)号：EP1324389A2

    公开(公告)日：2003-07-02

    申请号：EP03003230.4

    申请日：1999-07-06

    申请人： Infineon Technologies AG

    发明人： Hacke, Hans-Jürgen ,  Galuschki, Klaus-Peter

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/532

    CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/321 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2201/10234 ,  H05K2201/10992 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49133 ,  Y10T29/49137 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49798 ,  Y10T156/1089 ,  H01L2924/00

    摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement im Chip-Format mit einem Chip, der mindestens eine erste Isolierschicht (3) und davon freie elektrische Anschlußflächen (2) aufweist. Auf der ersten Isolierschicht (3) verlaufen Leiterbahnen (5) vcn den elektrischen Anschlußflächen (2) zu Fußbereichen (10) äußerer Anschlußelemente (12). Eine weitere aufgebrachte Isolierschicht (8) ist mit Durchgangsöffnungen (9) versehen, die von außen zu den Fußbereichen (10) der äußeren Anschlußelemente (12) führen. In den Durchgangsöffnungen (9) befindet sich ein Leitkleber (11), auf den mindestens außen metallene Kügelchen (12) aufgesetzt sind.
    Das Halbleiterelement kann in den Durchgangsöffnungen (9) anstelle eines Leitklebers auch eine Lotpaste enthalten, auf die metallisierte Kunststoffkügelchen aufgesetzt sind.
    Die Erfindung bezieht sich ferner auf Verfahren zum Herstellen des beschriebenen Halbleiterbauelementes.

    摘要翻译： 芯片形式的半导体器件具有外部连接（11,12），该外部连接包括置于通孔中的导电粘合剂或焊膏填充物（11）上的金属球（12）。 芯片格式半导体器件具有：（a）第一绝缘层（3）和无绝缘接触焊盘（2）的芯片（1）; （b）在绝缘层（3）上延伸并从焊盘（2）引导到外部连接元件（11,12）的脚部区域的导线（5）; （c）位于导线（5）和第一绝缘层（3）上的另一个绝缘层（8），并且具有在每个脚部区域之上具有导电粘合剂或焊膏填充物（11）的通孔 ; （d）一个或多个外部金属球（12），每个外部金属球放置在通孔的自由端区域中的导电粘合剂或焊膏（11）上。 还包括用于制造上述芯片格式半导体器件的方法的独立权利要求：（i）将第一绝缘层（3）施加到芯片表面上，同时留下无绝缘的接触焊盘（2 ）; （ii）将在绝缘层（3）上延伸的接触焊盘（2）的导体线（5）施加到外部连接元件（11,12）的脚部区域; （iii）在导线（5）和第一绝缘层（3）上施加在脚部区域上方具有通孔的另外的绝缘层（8）; （iv）将导电粘合剂或焊膏（11）引入到通孔中; （v）将一个或多个外部金属球（12）放置在通孔的自由端区域中的导电粘合剂或焊膏（11）上; （vi）固化导电粘合剂或熔化焊膏。 优选特征：另外的绝缘层（8）比第一绝缘层（3）厚得多。 金属球可以包括金属化的塑料球（12）。 该工艺在晶片上进行，并且在导电粘合剂固化或焊膏熔化之后，将晶片分离为单独的器件。