公开(公告)号：EP2902397A1

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：EP14305139.9

申请日：2014-01-31

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

发明人： Correia Anacleto, Antony ,  Lachaud, Christophe ,  Pinchart, Audrey ,  Zauner, Andreas

IPC分类号： C07F9/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC分类号： C07F9/005 ,  C23C16/30 ,  C23C16/303 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553

摘要： Compounds of formula (I): M(R 1 CS 2 )R 2 R 3 R 4 R 5

R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 are organic ligands being independently selected in H, C1-C4 alkyl group linear or branched, aryl group, silyl group, alkylamine group, alkylsylilamine group.
M is niobium.

摘要翻译： 式（I）的化合物：M（R 1 CS 2）R 2 R 3 R 4 R 5 R 1，R 2，R 3，R 4，R 5是有机配体H中被独立地选择，C1-C4烷基 直链或支链的，芳基，甲硅烷基，烷基，alkylsylilamine基。 M是铌。

公开(公告)号：EP2902394A1

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：EP14305114.2

申请日：2014-01-29

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

发明人： Correia Anacleto, Antony ,  Lachaud, Christophe ,  Pinchart, Audrey ,  Zauner, Andreas

IPC分类号： C07F9/00 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC分类号： C07F9/005 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841

摘要： Compounds of formula (I) : M(R 1 CS 2 )R 2 R 3 NR 6

R 1 , R 2 , R 3 are organic ligands being independently selected in H, C1-C4 alkyl group linear or branched, aryl group, silyl group, alkylamine group, alkylsylilamine group.
R 6 is an organic ligand being independently selected in H, C1-C4 alkyl group linear or branched, aryl group, silyl group, alkylsylilamine group.
M is Vanadium.

摘要翻译： 式（I）的化合物：M（R 1 CS 2）R 2 R 3 NR 6 R 1，R 2，R 3是有机配体正在H，C1-C4烷基线性独立选择的或支链的，芳基，甲硅烷基 基，烷基胺基团，alkylsylilamine基。 R 6为在H，C1-C4烷基直链被独立选择的或支链的有机配体，芳基，甲硅烷基，alkylsylilamine基。 M是钒。

公开(公告)号：EP2808336A1

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：EP13305720.8

申请日：2013-05-31

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

发明人： Lachaud, Christophe ,  Correia - Anacleto, Antony ,  Lahootun, Vanina ,  Zauner, Andreas

IPC分类号： C07F9/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： C07F9/005 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553

摘要： A method for forming a vanadium-containing layer on a substrate, the method comprising at least the steps of:
a) providing a vapor comprising at least one precursor compound according to the invention;
b) reacting the vapor comprising the at least one compound according to the invention with the substrate, according to an atomic layer deposition process, to form a layer of a vanadium-containing complex on at least one surface of said substrate.

摘要翻译： 一种在基底上形成含钒层的方法，所述方法至少包括以下步骤：a）提供包含至少一种本发明前体化合物的蒸汽; b）根据原子层沉积方法使包含根据本发明的至少一种化合物的蒸气与基材反应，以在所述基材的至少一个表面上形成含钒复合物层。

公开(公告)号：EP2708544A1

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：EP12306124.4

申请日：2012-09-18

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

发明人： Lachaud, Christophe ,  Lahootun, Vanina ,  Zauner, Andreas

IPC分类号： C07F3/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07F3/00 ,  C23C16/409

摘要： Compounds of the general formula (I): [(R 1 R 2 R 3 R 4 R 5 )C 5 )] 2 M(A) x
- M is barium;
- R1, R2, R3, R4, R5 are an organic ligand independently selected in the group consisting of H, C1-C5 linear or branched alkyl;
- A is selected in the group consisting of alcohol, alkylamine, ether (acyclic, cyclic and poly-acyclic);
- 0 ≤ X ≤ 4;

摘要翻译： 通式（I）的化合物：[（R 1 R 2 R 3 R 4 R 5）C 5）] 2 M（A）x-M为钡; -R 1，R 2，R 3，R 4，R 5是独立地选自H，C 1 -C 5直链或支链烷基的有机配体; A选自醇，烷基胺，醚（无环，环和多环）; - 0‰¤X‰¤4;

公开(公告)号：EP2484803B1

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：EP11305115.5

申请日：2011-02-07

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  Technische Universiteit Eindhoven

发明人： Lachaud, Christophe ,  Madec, Alain ,  Kessels, Wilhelmus Mathijs Marie ,  Dingemans, Gijs

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：EP2902398A1

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：EP14305140.7

申请日：2014-01-31

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

发明人： Correia Anacleto, Antony ,  Lachaud, Christophe ,  Pinchart, Audrey ,  Zauner, Andreas

IPC分类号： C07F9/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC分类号： C07F9/005 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841

摘要： Compounds of formula (I): M(R 1 CS 2 )R 2 R 3 NR 6

R 1 , R 2 , R 3 are organic ligands being independently selected in H, C1-C4 alkyl group linear or branched, aryl group, silyl group, alkylamine group, alkylsylilamine group.
R 6 is an organic ligand being independently selected in H, C1-C4 alkyl group linear or branched, aryl group, silyl group, alkylsylilamine group.
M is niobium.

摘要翻译： 式（I）的化合物：M（R 1 CS 2）R 2 R 3 NR 6 R 1，R 2，R 3是有机配体正在H，C1-C4烷基线性独立选择的或支链的，芳基，甲硅烷基 基，烷基胺基团，alkylsylilamine基。 R 6为在H，C1-C4烷基直链被独立选择的或支链的有机配体，芳基，甲硅烷基，alkylsylilamine基。 M是铌。

公开(公告)号：EP2708542B1

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：EP12306118.6

申请日：2012-09-17

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

发明人： Lachaud, Christophe ,  Lahootun, Vanina ,  Zauner, Andreas

IPC分类号： C07F3/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/409 ,  C07F3/003 ,  C23C16/18

公开(公告)号：EP2708542A1

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：EP12306118.6

申请日：2012-09-17

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

发明人： Lachaud, Christophe ,  Lahootun, Vanina ,  Zauner, Andreas

IPC分类号： C07F3/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/409 ,  C07F3/003 ,  C23C16/18

摘要： Compound of formula (I): [(R1R2R3R4R5R6)Salen)]M(A)x
- M is barium;
- R1, R2, R3, R4, R5, R6 are an organic ligands independently selected in the group consisting of H, C1-C5 linear or branched alkyl;
- A is selected in the group consisting of alcohol, alkylamine, ether;
- 0 ≤ x ≤ 3

摘要翻译： 式（I）化合物：[（R 1 R 2 R 3 R 4 R 5 R 6）Salen）] M（A）x-M为钡; -R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，R 6是独立地选自H，C 1 -C 5直链或支链烷基的有机配体; A选自醇，烷基胺，醚; - 0‰¤x‰¤3

公开(公告)号：EP2492272A1

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：EP11305189.0

申请日：2011-02-23

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

发明人： Lachaud, Christophe ,  Zauner, Andreas

IPC分类号： C07F5/00 ,  C23C14/00

CPC分类号： C07F5/00

摘要： A method for forming an indium containing thin film on a substrate comprising at least the steps of:
a) providing a vapor comprising at least one precursor compound of the formula (I): [(R a )(R b )ln(NR c R d )] 2 , wherein:
- Ra and Rb are independently selected in the group consisting of H, C1-C6 linear or branched alkyl, aryl or alkylsilyl;
- Rc and Rd are independently selected in the group consisting of C1-C4 linear or branched alkyl, aryl or alkylsilyl;

b)reacting the vapor comprising the at least one compound of formula (I) with the substrate, according to an atomic layer deposition process, to form a layer of an indium-containing complex on at least one surface of said substrate.

摘要翻译： 一种在衬底上形成含铟薄膜的方法，至少包括以下步骤：a）提供包含至少一种式（I）的前体化合物的蒸气：[（R a）（R b）ln（NR c R d）] 2，其中：-R a和R b独立地选自H，C 1 -C 6直链或支链烷基，芳基或烷基甲硅烷基; R c和R d独立地选自C 1 -C 4直链或支链烷基，芳基或烷基甲硅烷基; b）根据原子层沉积方法使包含至少一种式（I）化合物的蒸气与基材反应，以在所述基材的至少一个表面上形成含铟复合物层。

公开(公告)号：EP2484803A1

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：EP11305115.5

申请日：2011-02-07

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  Technische Universiteit Eindhoven

发明人： Lachaud, Christophe ,  Madec, Alain ,  Kessels, Wilhelmus Mathijs Marie ,  Dingemans, Gijs

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/314

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： A method of forming an Al 2 O 3 /SiO 2 stack comprising successively the steps of:
a) providing a substrate into a reaction chamber;
b) injecting into the reaction chamber, through an ALD process, at least one silicon containing compound selected from the group consisting of:







BDEAS Bis(diethylamino)silane
SiH 2 (NEt 2 ) 2 ,

BDMAS Bis(dimethylamino)silane
SiH 2 (NMe 2 ) 2 ,

BEMAS Bis(ethylmethylamino)silane
SiH 2 (NEtMe) 2 ,

DIPAS (Di-isopropylamido)silane
SiH 3 (NiPr 2 ),

DTBAS (Di tert-butylamido)silane
SiH 3 (NtBu 2 );


c) injecting into the reaction chamber an oxygen source selected in the list: oxygen, ozone, oxygen plasma, water, CO 2 plasma, N 2 O plasma;
d) reacting at a temperature comprised between 20°C and 400°C, preferably lower or equal to 250°C, into the reaction chamber at least one of the silicon containing compounds and the oxygen source in order to obtain the SiO 2 layer deposited onto the substrate;
e) injecting on said silicon oxide film, through an ALD process, at least one aluminum containing compound selected in the list: Al(Me) 3 , Al(Et) 3 , Al(Me) 2 (OiPr), Al(Me) 2 (NMe) 2 or Al(Me) 2 (NEt) 2 ;
f) injecting the oxygen source as defined in step c);
g) reacting at a temperature comprised between 20°C and 400°C, preferably lower or equal to 250°C, into the reaction chamber at least one of the aluminium containing compounds and the oxygen source in order to obtain the Al 2 O 3 layer deposited onto the SiO 2 layer issued of step d).