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公开(公告)号：EP0250301B1
公开(公告)日：1991-02-27
申请号：EP87401323.8
申请日：1987-06-12
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Mamodaly, Narguise , Colin, Pascal , Bert, Alain , Obregon, Juan
IPC分类号： H03B5/18
CPC分类号： H03B5/1876 , H03B5/1852 , H03B19/14 , H03B2200/007 , H03B2200/0088 , H03B2200/009 , H03B2200/0098 , H03B2202/088
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公开(公告)号：EP0202152A1
公开(公告)日：1986-11-20
申请号：EP86400922.0
申请日：1986-04-25
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Mamodaly, Narguise , Bert, Alain
IPC分类号： H03B9/14
CPC分类号： H03B9/148 , H03B2009/126
摘要： L'invention concerne un oscillateur hyperfréquences à résistance négative, fonctionnant dans la bande millimétrique.
Il comporte un guide d'ondes (1) délimité d'un côté par un iris (14) et une charge utile (Z c ) et de l'autre côté par une charge annexe (Z a ). Une diode - (4) Gunn ou Impatt est polarisée et couplée au guide d'ondes (1) au moyen d'une antenne (7). La cavité résonante de cet oscillateur est délimitée par l'iris - (14) et par un résonateur diélectrique (13), placé dans le guide d'ondes (1) entre l'antenne (7) et la charge annexe (Z a ). On utilise le double couplage du résonateur (13) au guide (1) et de la diode (4) au guide (1) pour concevoir un oscillateur stable et peu bruyant.
Application aux systèmes hyperfréquences, pour synchroniser des sources hyperfréquences et conjuguer leur puissance.-
3.发明公开
公开(公告)号：EP0156708A1
公开(公告)日：1985-10-02
申请号：EP85400423.1
申请日：1985-03-05
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Derewonko, Henri , Bessonneau, Guy , Camiade, Marc , Bert, Alain
IPC分类号： H03B5/18
CPC分类号： H03B5/1852 , H03B2200/0028 , H03B2200/004 , H03B2201/0208 , H03B2201/031
摘要： L'invention concerne un oscillateur hyperfréquences travaillant en bande X.
Le circuit de l'oscillateur comprend un transistor à effet de champ (1) monté en grille commune. Le circuit d'accord, relié à la source, comprend une capacité variable (2) de type varicap commandée par une tension Vp, et une self (3) en parallèle. La tension de commande Vp est découplée de la masse par une capacité (5). Selon l'invention, le transistor (1), le varicap (2) et la capacité (5) sont intégrés dans un même boîtier sous forme d'un micromodule : la capacité (5) sert d'embase au transistor (1) et au varicap (2) soudés côte à côte. La longueur (L) de la connexion entre le varicap (2) et la source du transistor (1) étant minimale permet d'élargir la bande de fréquences linéaire en fonction de la tension de commande Vp.
Application aux matériels hyperfréquences.-
公开(公告)号：EP0216699B1
公开(公告)日：1990-08-16
申请号：EP86402026.8
申请日：1986-09-16
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Bert, Alain , Malbe, Serge
IPC分类号： H01L23/66
CPC分类号： H01L23/642 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45014 , H01L2224/48091 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
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公开(公告)号：EP0106740B1
公开(公告)日：1986-11-20
申请号：EP83401835.0
申请日：1983-09-20
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Bert, Alain
IPC分类号： H03B5/18
CPC分类号： H03B5/1852 , H03B2200/0024 , H03B2200/0076
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6.发明公开Stabilized solid state hyperfrequency oscillator device and one of its embodiments 失效稳定的固态超高频振荡器装置及其实施例之一
公开(公告)号：EP0009435A3
公开(公告)日：1980-04-16
申请号：EP79400622
申请日：1979-09-06
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Bert, Alain , Le Clerc, Bernard
CPC分类号： H03B9/148
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公开(公告)号：EP0202152B1
公开(公告)日：1990-03-21
申请号：EP86400922.0
申请日：1986-04-25
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Mamodaly, Narguise , Bert, Alain
IPC分类号： H03B9/14
CPC分类号： H03B9/148 , H03B2009/126
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8.发明授权Combineur compact de dispositifs semi-conducteurs, fonctionnant en hyperfréquences 失效在超高频区域的半导体器件功能的紧凑组合
公开(公告)号：EP0161166B1
公开(公告)日：1988-07-20
申请号：EP85400705.1
申请日：1985-04-09
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Bert, Alain , Mamodaly, Narguisse
CPC分类号： H03B9/143 , H01L23/66 , H01L2224/32188 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/3011
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9.发明授权
公开(公告)号：EP0156708B1
公开(公告)日：1988-02-03
申请号：EP85400423.1
申请日：1985-03-05
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Derewonko, Henri , Bessonneau, Guy , Camiade, Marc , Bert, Alain
IPC分类号： H03B5/18
CPC分类号： H03B5/1852 , H03B2200/0028 , H03B2200/004 , H03B2201/0208 , H03B2201/031
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10.发明公开Combineur compact de dispositifs semi-conducteurs, fonctionnant en hyperfréquences 失效紧凑的加法器，在超高频运行的半导体器件。
公开(公告)号：EP0161166A1
公开(公告)日：1985-11-13
申请号：EP85400705.1
申请日：1985-04-09
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Bert, Alain , Mamodaly, Narguisse
CPC分类号： H03B9/143 , H01L23/66 , H01L2224/32188 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/3011
摘要： L'invention concerne un combineur compact de dispos i tifs semiconducteurs hyperfréquences, tels que les diodes à résistance négative (Gunn-Impat).
Le combineur selon l'invention regroupe sur une embase (11):
-au centre au moins une pastille semiconductrice (1) ou une pluralité de dispositifs semiconducteurs intégrés dans une seule pastille (9),
-une première couronne de capacités (5), en éléments localisés,
- une seconde couronne (7) en matériau diélectrique métallisé sur deux faces planes opposées (14,15), formant à la fois une seconde capacité et une partie du boîtier d'encap- sulation du combineur,
- des rubans métalliques (4, 6) assurant les liaisons entre composants actifs (1 ou 9) et capacités (5, 7) et formant simultanément des selfs en éléments non localisés.
Un couvercle métallique (16) soudé sur la couronne extérieure (7) assure l'étanchéité du bottier et amène la tension de polarisation.
Application aux oscillateurs et amplificateurs hyperfréquences.
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