User-proof post-assembly offset voltage trim
    2.
    发明公开
    User-proof post-assembly offset voltage trim 失效
    Gebrauchssichere Offsetspannungsnachstellung nach Zusammenbau。

    公开(公告)号:EP0472065A1

    公开(公告)日:1992-02-26

    申请号:EP91113394.0

    申请日:1991-08-09

    IPC分类号: H03F3/45

    CPC分类号: H03F3/45376

    摘要: A post-assembly trim of a monolithic IC is set forth wherein selected package pins can be employed to address the on-chip trim circuit. Then, after the trim is completed, the circuit is addressed to provide a disconnect of the coupling between the trim pins and the post assembly trim circuit of the IC, while leaving the pins fully usable for other purposes. This means that following the post-assembly trim the trim pins cannot accidentally be employed for further trimming and the packaged IC is user-proof. A circuit that employs zener zapping for both trimming and disconnect is detailed and the invention is clearly usable for plastic encapsulated devices. However, when cavity containing packages are involved it is shown that a combination of zener zapping and fuse blowing can be employed.

    摘要翻译: 提出了单片IC的后装配修剪,其中可以采用选择的封装引脚来寻址片上修整电路。 然后,在修整完成之后,寻址电路以提供修剪引脚和IC的柱组件微调电路之间的耦合的断开,同时使引脚完全可用于其它目的。 这意味着,在组装后修剪后,修整引脚不会意外地用于进一步修整,而封装的IC是用户自检的。 详细描述了采用齐纳切割进行切割和断开的电路,本发明可清楚地用于塑料封装装置。 然而,当涉及包含空腔的封装件时,可以采用齐纳复位和保险丝熔断的组合。

    Circuit amplificateur différentiel régénérateur de signeaux complémentaires de faible amplitude
    3.
    发明公开
    Circuit amplificateur différentiel régénérateur de signeaux complémentaires de faible amplitude 失效
    差分放大器电路和再生器为互补小幅度信号。

    公开(公告)号:EP0249287A1

    公开(公告)日:1987-12-16

    申请号:EP87201073.1

    申请日:1987-06-09

    IPC分类号: H03K19/094 H03F3/45

    CPC分类号: H03F3/45376 H03K19/09436

    摘要: Circuit amplificateur différentiel régénateur de signaux complémentaires analogiques de faible amplitude, incluant:

    - une paire différentielle de transistors à effet de champ (T,,T 2 ) dont les sources communes sont connectées à une première tension d'alimentation V ss à travers une charge (R 3 );
    - une paire de charges (R 1 , R 2 ) connectées respectivement au drain de chaque transistor de la paire différentielle (T,, T 2 ) et à une seconde alimentation (v DD );
    - un circuit régérateur de niveau comprenant une paire de diodes (D 1 , D 2 ) prelevant les signaux respectivement au drain de chaque transistor de la paire différentielle (T 1 , T 2 ), caractériséen ce que les signaux transportés par les diodes (D 1 , D 2 ) sont appliqués respectivement sur le transistor bas (T, o , T 20 ) d'une paire d'étages PUSH-PULL, dont le transistor haut (T 11 , TR,) reçoit directement le signal prélevé sur le drain du transistor opposé de la paire différentielle (T,, T 2 ), la source des transistors bas (T 10 , T 2o ) des étages PUSH-PULL étant portée à la masse et le drain du transistor haut (T 11 ,TR 1 ) de ces étages étant porté au second potentiel d'alimentation V DD , les sorties complémentaires amplifiées étant disponibles aux points milieux (11,21) des étages PUSH-PULL.

    Application: régénération de signaux complémentaires analogiques de faible amplitude et de valeur continue moyenne va-riable pour mémoires statiques.

    Integrierbarer Differenzverstärker
    5.
    发明公开
    Integrierbarer Differenzverstärker 失效
    IntegrierbarerDifferenzverstärker。

    公开(公告)号:EP0412566A2

    公开(公告)日:1991-02-13

    申请号:EP90115415.3

    申请日:1990-08-10

    IPC分类号: H03F3/45

    摘要: Ein integrierbarer Differenzverstärker besteht aus einem ersten (S11,S12) und einem zweiten (S22,S21) Verstärkerast mit jeweils einem CMOS-Inverter, der in Serie zwischen zwei Stromquellen-Feldeffekttransistoren (Q11, Q12 bzw. Q21, Q22) geschaltet ist. Die Gate-Elektroden (G) der Stromquellen-Feldeffekttransistoren sind miteinander verbunden und an den Mittelabgriff des im ersten Verstärkerast (S12,S11) angeordneten CMOS-Inverters angeschlossen. Durch Dimensionierung der verwendeten Transistoren kann eine äußerst geringe Gleichtaktverstärkung des Differenzverstärkers erzielt werden.

    摘要翻译: 可积分微分放大器由第一和第二放大器分支组成,在每种情况下都有一个串联连接在两个电流源场效应晶体管(Q11,Q12和Q21,Q22)之间的CMOS反相器。 电流源场效应晶体管的栅电极(G)彼此连接并连接到布置在第一放大器分支中的CMOS反相器的中心抽头。 可以通过使用的晶体管的尺寸来实现差分放大器的极低共模增益。

    Dispositif semiconducteur comprenant un amplificateur différentiel à deux étages
    6.
    发明公开
    Dispositif semiconducteur comprenant un amplificateur différentiel à deux étages 失效
    Halbleiteranordnung mit zweistufigenDifferenzverstärker。

    公开(公告)号:EP0549045A1

    公开(公告)日:1993-06-30

    申请号:EP92203929.2

    申请日:1992-12-15

    发明人: Philippe, Pascal

    IPC分类号: H03F3/45 H03F1/02

    摘要: Dispositif semiconducteur comprenant un amplificateur différentiel à deux étages, ayant une première paire différentielle de transistors couplés par leur source, recevant chacun un signal d'entrée, et une seconde paire différentielle de transistors couplés par leur source, recevant chacun la sortie d'une des branches de la première paire différentielle, et fournissant chacun une sortie.
    Dans l'amplificateur, chaque branche de la deuxième paire différentielle est mise en série avec une branche de la première paire différentielle, de manière à former deux sous-circuits incluant chacun un transistor de la première paire et sa charge, et un transistor de la deuxième paire et sa charge, pour que les deux transistors de chaque sous-circuit partagent le même courant.
    Application : Télécommunications.

    摘要翻译: 半导体器件包括具有两级的差分放大器,其具有通过其源极耦合的第一差分对晶体管,每个晶体管接收输入信号,以及由其源极耦合的第二差分对晶体管,每个晶体管接收来自 第一差分对的分支,并且每个提供输出。 在放大器中,第二差分对的每个分支与第一差分对的分支串联放置,以便形成两个子电路,每个子电路包含第一对晶体管及其负载和第二对晶体管 并且其负载,使得每个子电路的两个晶体管共享相同的电流。 应用:电信。

    Integrierbarer Differenzverstärker
    7.
    发明公开
    Integrierbarer Differenzverstärker 失效
    可整合的差分放大器

    公开(公告)号:EP0412566A3

    公开(公告)日:1991-07-03

    申请号:EP90115415.3

    申请日:1990-08-10

    IPC分类号: H03F3/45

    摘要: Ein integrierbarer Differenzverstärker besteht aus einem ersten (S11,S12) und einem zweiten (S22,S21) Verstärkerast mit jeweils einem CMOS-Inverter, der in Serie zwischen zwei Stromquellen-Feldeffekttransistoren (Q11, Q12 bzw. Q21, Q22) geschaltet ist. Die Gate-Elektroden (G) der Stromquellen-Feldeffekttransistoren sind miteinander verbunden und an den Mittelabgriff des im ersten Verstärkerast (S12,S11) angeordneten CMOS-Inverters angeschlossen. Durch Dimensionierung der verwendeten Transistoren kann eine äußerst geringe Gleichtaktverstärkung des Differenzverstärkers erzielt werden.

    摘要翻译: 可积分微分放大器由第一和第二放大器分支组成,在每种情况下都有一个串联连接在两个电流源场效应晶体管(Q11,Q12和Q21,Q22)之间的CMOS反相器。 电流源场效应晶体管的栅电极(G)彼此连接并连接到布置在第一放大器分支中的CMOS反相器的中心抽头。 可以通过使用的晶体管的尺寸来实现差分放大器的极低共模增益。