摘要:
The invention relates to a photovoltaic thin-film module (1) having a substrate (2) on which a transparent front electrode layer (3), a semiconductor layer (4), and a rear electrode layer (5) are deposited as functional layers provided for forming cells (C1, C2, C3) connected in series and having cell dividing lines (6, 7, 8), wherein ablation of the functional layers (3 to 5) is performed using a laser (23) in the edge region (10) and an insulation dividing line (13) is formed in the edge region of the functional layers (3 to 5) in the functional layers (3 to 5) for insulating between the front electrode layer (3) and the rear electrode layer (5) using a laser (24) for forming a dividing line (17) in the front electrode layer (3) and using a laser (25) for forming a dividing line (18, 19) in the semiconductor layer (4) and the rear electrode layer (5). The ablating of the functional layers (3 to 5) in the edge area (10) of the module (1) and the forming of the insulation dividing layer (13) is performed jointly in one step.
摘要:
An elongate solar cell, comprising a semiconductor body having two mutually opposed faces, at least one of the faces being an active face for receiving incident light, and two mutually opposed edges orthogonal to the faces, the edges comprising electrical contacts thereon for conducting electrical current generated by the solar cell from the light; wherein the electrical contact to at least one of the edges includes an electrically conductive material that contacts only a fractional portion of the at least one edge of the semiconductor body to improve the performance of the solar cell.
摘要:
A diode such as a cell string bypass diode or a reverse-current preventive diode exhibiting excellent heat dissipativity and preferably sealed integrally in a soar cell module. An N terminal (11) consists of a constant thickness part of 0.8 mm or above, i.e. an N substrate part (12), one thin part, i.e. an N thin part (13), and the other thin part, i.e. an N connecting wire receiving part (14). A P terminal (21) consists of a P substrate part (22), a P thin part (13), and a P connecting wire receiving part (24). In a state where a diode chip (31) is connected, the thicknesses of the entire lead terminals are substantially the same, the total value of the plane area of the N substrate part and the P substrate part is 200 (mm)2 or above, and the diode with a lead terminal is sealed together with the solar cell between the front surface material and the rear surface material for sealing the solar cell.
摘要:
In the solar cell element 2, the second semiconductor layer 24 includes the first extension part 241 which is extended toward and in contact with the first semiconductor layer 22. The extension part 241 is provided along the element separation groove 6 and the power generation region separation groove 7.
摘要:
A see-through solar battery module (20, 42) includes a transparent substrate (22), a plurality of block metal electrodes (24) formed on the transparent substrate (22), and a plurality of block photoelectric transducing layers (26). Each block photoelectric transducing layer (26) is formed on the corresponding block metal electrode (24) and the transparent substrate (22) along a first direction and formed on the corresponding block metal electrode (24) and the transparent substrate (22) along a second direction. The see-through solar battery module (20, 42) further includes a plurality of striped transparent electrodes (28). Each striped transparent electrode (28) is formed on the corresponding block photoelectric transducing layer (26) and the transparent substrate (22) along the first direction and formed on the corresponding block photoelectric transducing layer (26) and the block metal electrode (24) along the second direction. Each block metal electrode (24) and block photoelectric transducing layer (26) do not contact the adjacent block metal electrode (24) and block photoelectric transducing layer (26) along the first direction.
摘要:
A high voltage semiconductor based wafer, which defines a front surface for exposure to solar light and an opposite back surface, The semiconductor based wafer includes a plurality of p-n junctions each exposed to solar light at the front surface, and the plurality of p-n junctions are electrically connected in series to provide a voltage substantially higher than the voltage of a single p-n junction.
摘要:
Die Erfindung betrifft eine Solarzellenanordnung, die insbesondere in Form eines Dünnschichtsolarmoduls ausgebildet sein kann, welche umfasst: ein Substrat, auf dem ein über mehrere Schichten verfügender Schichtenaufbau aufgebracht ist, wobei der Schichtenaufbau eine erste Elektrodenschicht, eine zweite Elektrodenschicht und eine zwischen den beiden Elektrodenschichten angeordnete Halbleiterschicht aufweist, durch die ein pn-Übergang gebildet ist, wobei der Schichtenaufbau in eine Mehrzahl verschiedener Bereiche unterteilt ist, die durch einen oder mehrere Bereichsgräben elektrisch voneinander getrennt sind, wobei in jedem Bereich ein Solarzellenstrang ausgebildet ist, der aus einer oder mehreren seriell verschalteten, gleichgerichteten Solarzellen besteht; einen ersten Anschlusskontakt und einen zweiten Anschlusskontakt, die durch die Solarzellenstränge elektrisch miteinander verbunden sind, wobei die Solarzellenstränge durch einen oder mehrere Zwischenkontakte seriell verschalten sind; zumindest ein Anschlussgehäuse an das die beiden Anschlusskontakte angeschlossen sind. Ein Herstellungsverfahren hierfür umfasst eine Strukturierung des Schichtenaufbaus mittels dreier Strukturierungslinien, wobei eine Strukturierungslinie einen geradlinigen Verlauf über zumindest zwei elektrisch voneinander getrennte Bereiche hinweg aufweist, während die beiden übrigen Strukturierungslinien diese Strukturierungslinie so versetzt sind, dass eine Abfolge der Strukturierungslinien umgekehrt wird.
摘要:
Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Photovoltaik-Systems (2) mit einer flächigen Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiterschicht (7) als Absorber für Sonnenlicht und einer auf der Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiterschicht (7) aufgebrachten Metallschicht (8), wobei die Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiterschicht (7) und die Metallschicht (8) an ihrer Kontaktfläche einen Schottky-Kontakt ausbilden. Die beschriebene technische Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass die Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiterschicht (7) durch Aufbringen einer Dispersion, die nanoskalige Partikel mit einem Durchmesser von ca. 3 bis 30 nm enthält, auf ein transparentes Substratmaterial (12) hergestellt wird, wobei die Schichtstärke der auf das Substratmaterial aufgebrachten Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiterschicht (7) ca. 150 nm bis ca. 2500 nm beträgt.
摘要:
The present invention provides a volumetric solar structure comprising one or more solar cells. The solar structure comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type having a patterned surface thereof, the pattern defining an array of spaced-apart grooves of a funnel-like shape, and a second opposite conductivity type material layer positioned on at least a part of the patterned surface of the substrate. The structure thereby defines junction regions, in which charge carriers are generated by incident radiation energy to which the structure is exposed. The junction regions are located at different heights upon the patterned surface of the substrate.