公开(公告)号：EP2148289B1

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：EP09165995.3

申请日：2009-07-21

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Charles, Alexandre ,  Conraux, Jérôme ,  Malherbe, Alexandre ,  Tramoni, Alexandre

IPC: G06K7/00

CPC classification number: G06K7/0008 ,  G06K7/10128

公开(公告)号：EP2306167A3

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：EP10185175.6

申请日：2010-10-01

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Rivero, Christian

IPC: G01K5/48 ,  G01K7/22

CPC classification number: G01K5/486 ,  G01K7/226 ,  G01K2217/00

Abstract: L'invention concerne un dispositif de détection de variations de température du substrat d'une puce de circuit intégré, comportant, dans le substrat, des résistances implantées (41, 43, 45, 47) reliées en un pont de Wheatstone, dans lequel chacune de deux premières résistances (45, 47) opposées du pont est recouverte d'un réseau de lignes métalliques parallèles à une première direction, la première direction étant telle qu'une variation des contraintes du substrat selon cette direction entraine une variation de la valeur de déséquilibre (V OUT ) du pont.

公开(公告)号：EP2267635B1

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：EP10160771.1

申请日：2010-04-22

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Wuidart, Luc

IPC: G06K7/00 ,  G06K19/07 ,  G06K19/073

CPC classification number: G06K7/0008 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/07336

公开(公告)号：EP2267645A3

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：EP10160763.8

申请日：2010-04-22

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Wuidart, Luc

IPC: G06K19/07 ,  G06K19/073

CPC classification number: G06K19/0723 ,  G06K19/07336

Abstract: L'invention concerne un procédé d'authentification d'un terminal produisant un champ magnétique, par un transpondeur comportant un circuit oscillant à partir duquel est produite une tension continue, dans lequel le transpondeur : reçoit une première information ((I1 vide/ I1 R20 ) MES ) relative au courant (I1) dans un circuit oscillant du terminal, mesuré par le terminal pour une première valeur (R20) de charge résistive du transpondeur ; et exploite (55, 56) cette première information et des deuxièmes informations (V C2]R20 , V C2]R21 ) relatives au niveau de ladite tension continue, mesurée respectivement pour ladite première valeur de charge résistive et pour une seconde valeur (R21) de charge résistive.

公开(公告)号：EP2535933B1

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：EP12168456.7

申请日：2012-05-18

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Lisart, Mathieu ,  Sarafianos, Alexandre ,  Gagliano, Olivier ,  Mantelli, Marc

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/763

CPC classification number: H01L23/576 ,  H01L21/763 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0921 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2369521B1

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：EP11154885.5

申请日：2011-02-17

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Liardet Pierre-Yvan ,  Teglia Yannick ,  Tournemille Jérome

IPC: G06F21/72 ,  G06F21/75 ,  H04L9/00

CPC classification number: G06F21/75 ,  G06F21/72 ,  G06F2221/2105 ,  H04L9/004

公开(公告)号：EP2652671A2

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：EP11796992.3

申请日：2011-12-12

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS ,  STMicroelectronics Application GmbH

Inventor： CHARLES, Alexandre ,  BÖHLER, Jürgen ,  MEZIACHE, Thierry ,  RIZZO, Pierre

IPC: G06K7/00 ,  G06K7/10 ,  H04W88/06

CPC classification number: H04W4/80 ,  G06K7/0008 ,  G06K7/10237 ,  G06K7/10247 ,  H04B5/0031

Abstract: A device, including a main element (ME) and a set of at least two auxiliary elements (SEi), said main element including a master SWP interface (MINT), each auxiliary element including a slave SWP interface (SLINTi) connected to said master SWP interface of said NFC element through a controllably switchable SWP link (LK) and management means (PRM, CTLM, AMGi) configured to control said SWP link switching for selectively activating at once only one slave SWP interface on said SWP link.

公开(公告)号：EP2624172A1

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：EP12305132.8

申请日：2012-02-06

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS ,  STMicroelectronics, Inc.

Inventor： Coulon, David ,  Winterton, Darin

IPC: G06K9/20 ,  G06F3/01

CPC classification number: H04N5/23296 ,  G06F3/017 ,  G06K9/209 ,  Y10T29/41

Abstract: The invention concerns a user presence detection device having: a camera module (102) with a silicon-based image sensor (108) adapted to capture an image; and a processing device (104) configured to process said image to detect the presence of a user, wherein the camera module further comprises a light filter (107) having a lower cut-off wavelength of between 550 nm and 700 nm.

Abstract translation: 本发明涉及一种用户存在检测装置，其具有：具有适于捕获图像的硅基图像传感器（108）的相机模块（102） 以及处理装置（104），被配置为处理所述图像以检测用户的存在，其中所述相机模块还包括具有550nm和700nm之间的较低截止波长的滤光器（107）。

公开(公告)号：EP2416181A3

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：EP11174702.8

申请日：2011-07-20

Applicant: STMicroelectronics Rousset SAS

Inventor： Teissier, Maxime ,  Troise, Cyril

IPC: G01V3/08 ,  H03K17/945

CPC classification number: G01B7/14 ,  G01B7/003 ,  G01V3/088 ,  H03K17/945 ,  H03K17/955 ,  H03K2217/960705

Abstract: L'invention concerne un procédé de détection d'objet au moyen d'un signal de détection (Sd) fourni par un capteur (10) de proximité. Le procédé comprend des étapes consistant à générer un signal de référence (Sr) par filtrage de la valeur du signal de détection (Sd), définir un premier seuil de détection (Th1), et passer d'un état de non-détection d'objet (NDET) à un état de détection d'objet (DET) lorsque la valeur du signal de détection devient supérieure au premier seuil de détection (Th1). Lorsque la valeur du signal de détection devient supérieure au premier seuil de détection (Th1), la valeur du signal de référence (Sr) est réajustée de manière que la valeur du signal de détection (Sd) redevienne inférieure au premier seuil de détection (Th1).

公开(公告)号：EP2535932A1

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：EP12168455.9

申请日：2012-05-18

Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

Inventor： Lisart, Mathieu ,  Sarafianos, Alexandre

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/763

CPC classification number: H01L23/576 ,  H01L21/763 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0921 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne une puce de circuit intégré comprenant une pluralité de caissons (5, 7) parallèles de types de conductivité alternés, formés dans la partie supérieure d'un substrat semiconducteur (3) d'un premier type de conductivité (P), et un dispositif de protection contre des attaques incluant entre les caissons, des tranchées (25) à parois isolées remplies d'un matériau conducteur (29), lesdites tranchées s'étendant depuis la face supérieure des caissons jusqu'au substrat (3) et incluant en outre une couche (23) du second type de conductivité (N) s'étendant sous la ladite pluralité de caissons, entre la face inférieure desdits caissons et le substrat ; la puce comprenant en outre un circuit (33) adapté à détecter une modification de la capacité parasite formée entre ledit matériau conducteur (29) et une région (3, 11, 15) de la puce.

Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路芯片，其包括形成在第一导电类型（P）的半导体衬底（3）的上部中的交替导电类型的多个平行盒（5,7） 以及用于防止包括沉箱之间的攻击的装置，具有填充有导电材料（29）的绝缘壁的沟槽（25），所述沟槽从沉箱的上表面延伸到衬底（3），并且 进一步包括在所述多个阱下方，在所述阱的下侧和所述衬底之间延伸的第二导电类型（N）的层（23） 所述芯片进一步包括适于检测在所述导电材料（29）与所述芯片的区域（3,11,15）之间形成的寄生电容的变化的电路（33）。